【订购数量： ENN76262SJ653P- CHANNL硅MOSFET2SJ653通用开关设备的应用】,IC型号2SJ653,2SJ653 PDF资料,2SJ653经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN7626

2SJ653

P- CHANNL硅MOSFET

2SJ653

通用开关设备的应用

特点

包装尺寸

单位：mm

2063A

[2SJ653]

10.0

3.2

3.5

7.2

低导通电阻。

超高速开关。

4V的驱动器。

马达驱动器，直流/直流转换器。

4.5

2.8

18.1

16.0

5.6

14.0

1.6

1.2

0.75

2.4

0.7

2.55

1 2 3

2.55

2.4

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25°C

条件

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220ML

评级

--60

±20

--37

--148

2.0

150

--55到150

单位

°C

2.55

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0

VDS = -

-60V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -

-10V ， ID = - 1毫安

VDS = -

-10V ，ID = -

-19A

评级

民

--60

--1

±10

-1.2

26.5

--2.6

典型值

最大

单位

标记： J653

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

72503 TS IM TA- 4246 No.7626-1 / 4

2SJ653

从接下页。

参数

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

RDS(on)1

RDS(on)2

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

条件

ID = - 19A ， VGS = -

-10V

ID = - 19A ， VGS = -

-4V

VDS = - 20V ， F = 1MHz的

见指定的测试电路。

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ，ID = - 37A

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ，ID = - 37A

VDS = - 30V ， VGS = -

-10V ，ID = -

-37A

IS = - 37A ， VGS = 0

评级

民

典型值

6500

700

500

245

495

255

120

--0.99

--1.2

最大

单位

开关时间测试电路

VIN

--10V

VIN

ID = --19A

RL=1.58

VDD = --30V

PW=10s

D.C.≤1%

VOUT

2SJ653

P.G

--70

ID - VDS

--10

TC = -

-2

--4V

漏极电流ID -

--50

漏极电流ID -

--50

--40

--30

--20

--10

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

--3.0

--3.5

--4.0

--4.5

--5.0

--0.5

--1.0

--1.5

--2.0

--2.5

TC =

--3.0

--25

VGS = --3V

--20

--3.5

--4.0

7 5

--4.5

--5.0

IT06547

--60

漏极至源极电压VDS - V

IT06546

栅极 - 源极电压VGS - V

No.7626-2/4

--6

Tc=25

--70

ID - VGS

VDS = --10V

2SJ653

RDS （ ON） - VGS

ID = --19A

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

--50

--25

RDS （ ON） - 锝

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

75°C

25°C

， VG

19A

10V

I D =

A，V

-19

I D =

TC = --25

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

100

125

150

栅极 - 源极电压VGS - V

100

fs - ID

IT06548

--100

外壳温度，TC -

°C

IT06549

IF - 室间隔缺损

VGS=0

正向转移导纳，

fs - S

VDS = --10V

--2

--0.1

--0.01

--0.001

5 7 --1.0

5 7 --10

漏极电流ID -

1000

5 7 --100

IT06550

10000

--0.3

Tc=7

--25

--0.6

--0.9

正向电流IF - 一个

--10

--1.0

--1.2

--1.5

IT06551

SW时间 - ID

TD （关闭）

西塞，科斯，的Crss - VDS

西塞

f=1MHz

二极管的正向电压， VSD - V

切换时间， SW时间 - NS

西塞，科斯，的Crss - pF的

100

--0.1

1000

TD （上）

科斯

CRSS

VDD = --30V

VGS = --10V

7 --1.0

7 --10

5 7

IT06552

100

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT06553

漏极电流ID -

--10

--9

漏极至源极电压VDS - V

--100

VGS - 的Qg

ASO

IDP = --148A

<10s

栅极 - 源极电压VGS - V

VDS = --30V

ID = --37V

--8

漏极电流ID -

ID = --37A

--7

--6

--5

--4

--3

--2

--1

100 110 120

IT06560

--10

--1.0

ERA

TIO

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

Tc=25°C

单脉冲

5 7 --1.0

5 7 --10

--0.1

总栅极电荷QG - 数控

漏极至源极电压VDS - V

5 7 --100

IT06554

No.7626-3/4

2SJ653

2.5

PD - TA

允许功耗， PD - 含

PD - 锝

允许功耗， PD - 含

2.0

1.5

1.0

0.5

100

120

140

160

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT06545

外壳温度，TC -

°C

IT06555

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品在没有从当局取得出口许可证出口

有关在按照上述规律。

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PS No.7626-4 / 4