订购数量： ENA0489
2SJ630
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
2SJ630
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
超高速开关。
1.8V驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 600毫米
!0.8mm)
2
条件
评级
--12
±8
--6
--24
1.5
3.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
Tc=25°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = -
-12V ， VGS = 0V
VGS = ± 6.4V ， VDS = 0V
VDS = -
-6V ， ID = - 1毫安
VDS = -
-6V ， ID = - 3A
ID = - 3A ， VGS = -
-4.5V
ID = - 1.5A ， VGS = -
-2.5V
ID = - 0.3A ， VGS = -
-1.8V
VDS = -
-6V ， F = 1MHz的
VDS = -
-6V ， F = 1MHz的
VDS = -
-6V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
--12
--10
±10
--0.3
5.7
9.5
45
57
78
940
230
180
12
143
71
89
58
80
112
--1.0
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： MD
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
81006PA MS IM TC- 00000120号A0489-1 / 4
2SJ630
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = -
-6A
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = -
-6A
VDS = - 6V ，V GS = - 4.5V ，ID = -
-6A
IS = - 6A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
11
1.6
2.8
--0.95
--1.5
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007A-003
开关时间测试电路
VIN
VDD = --6V
顶视图
4.5
1.6
1.5
0V
--4.5V
VIN
ID = --3A
RL=2
D
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
2.5
G
4.0
1.0
1
0.4
0.5
1.5
2
3
0.4
2SJ630
P.G
50
S
3.0
0.75
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
底部视图
三洋： PCP
--6
ID - VDS
--2.
5V
--2.
0V
--9
ID - VGS
VDS = --6V
--5
--3.5
V
.
V
--1
.8
--1
--3.0
5V
--8
--7
漏极电流ID -
V
漏极电流ID -
--4
--6
--5
--4
--3
--4.5
V
--1
VGS = --1.0V
--2
--1
TA
75
°
C
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
漏极至源极电压VDS - V
IT11389
栅极 - 源极电压VGS - V
25
°
C
--25
°
C
--2
--3
IT11390
第A0489-2 / 4
2SJ630
160
RDS （ ON） - VGS
Ta=25°C
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
160
140
120
100
80
60
40
20
0
--60
RDS （ ON） - TA
静态漏 - 源
通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧
140
120
--1.5A
100
80
60
40
20
0
0
--0.5 --1.0 --1.5 --2.0 --2.5 --3.0 --3.5 --4.0 --4.5 --5.0 --5.5 --6.0
ID = --0.3A
--3.0A
--1.8V
V S =
--0.3A ，G
I D =
.5V
V S = --2
= --1.5A ，G
ID
= --4.5V
ID = --3.0A ， VGS
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
栅极 - 源极电压VGS - V
3
y
fs - ID
IT11391
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
环境温度，钽 -
°C
IT11392
IS - VSD
VGS=0V
正向转移导纳，
yfs
-- S
2
10
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
--0.01
VDS = --6V
°
25
C
5
°
C
--2
=
°
C
Ta
75
源出电流，是 - 个
7
5
°
C
C
25
°
--0.6
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
漏极电流ID -
2
1000
5 7 --10
IT11393
--0.01
--0.2
--0.4
--25
°
C
--0.8
TA
7
--1.0
--1.2
IT11394
SW时间 - ID
VDD “
--6V
VGS =
--4.5V
西塞，科斯，的Crss - pF的
3
2
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
二极管的正向电压， VSD - V
切换时间， SW时间 - NS
7
5
3
2
100
7
5
3
2
1000
7
5
西塞
TD （关闭）
tr
tf
3
2
科斯
CRSS
TD （上）
10
7
--0.1
100
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
--10
IT11395
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0
2
4
6
8
10
12
IT11397
7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
IT11396
漏极电流ID -
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
0
VGS - 的Qg
VDS =
--6V
ID ↓
--6A
漏极电流ID -
漏极至源极电压VDS - V
ASO
IDP = --24A
1m
栅极 - 源极电压VGS - V
ID = --6A
s
10
1
s
00
s
10
1
DC
00m
ms
op
s
ERA
TIO
n
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
--0.01
--0.01
Tc=25°C
单脉冲
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
漏极至源极电压VDS - V
IT11398
第A0489-3 / 4
2SJ630
2.0
PD - TA
允许功耗， PD - 含
4.0
3.5
3.0
PD - 锝
允许功耗， PD - 含
1.5
M
ou
NTE
do
1.0
na
ce
内存
2.0
ic
bo
ARD
0.5
(6
00
mm
2
!
0
.8
1.0
mm
)
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT11399
外壳温度，钽 -
°C
IT11400
注意使用情况：由于2SJ630是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
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PS第A0489-4 / 4
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