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2SJ610
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ610
开关稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.85
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 18 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
(V
DS
=
250
V)
增强型： V
th
=
1.5~3.5
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
2.0
4.0
20
180
2.0
2.0
150
55~150
A
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和
方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
75 mH的，我
AR
= 2.0
A,
R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
重量：0.58克（典型值）。
1
2006-11-16
2SJ610
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 250
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 10
V，I
D
= 1.0
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 1.0
A
民
250
1.5
0.5
典型值。
1.85
1.8
381
52
157
5
最大
±10
100
3.5
2.55
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
10 V
I
D
=
1.0 A
V
OUT
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
20
50
Ω
R
L
=
100
Ω
V
DD
100 V
36
24
11
13
6
t
f
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
V
DD
200
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 2.0
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 2.0
A，V
GS
=
0 V
I
DR
= 2.0
A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
120
540
最大
2.0
4.0
2.0
单位
A
A
V
ns
nC
记号
J610
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-16
2SJ610
I
D
– V
DS
2
常见的来源
Tc
=
25℃下，脉冲测试
8 6
10
15
5.5
5
4.5
4
常见的来源
Tc
=
25℃下，脉冲测试
15
I
D
– V
DS
6
8
10
5
5.5
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
1.5
3
1
2
4.5
1
VGS
= 4
V
0.5
VGS
= 4
V
0
0
1
2
3
4
0
0
5
10
15
20
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
4
常见的来源
V
DS
= 10
V
脉冲测试
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
V
DS
(V)
漏源电压
漏电流I
D
(A)
3
8
6
2
2
4
1
25
2
ID
= 1
A
100
0
0
1
2
3
4
Tc
= 55°C
5
6
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
10
常见的来源
V
DS
= 10
V
5脉冲测试
3
Tc
= 55°C
10
常见的来源
Tc
=
25°C
5 V
GS
=
10 V
脉冲测试
3
R
DS （ ON）
I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
25
1
100
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
3
5
10
1
0.5
0.3
0.5
0.3
0.1
0.1
0.3 0.5
1
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-16
2SJ610
R
DS （ ON）
TC =
(Ω)
5
常见的来源
V
GS
= 10
V
脉冲测试
2
A
3
100
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻R
DS （ ON）
4
反向漏电流I
DR
(A)
10
ID
= 1
A
1
2
1
VGS
= 10
V
5
V
3
V
0.4
0.6
0, 1
0.8
1.0
1.2
1.4
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
1000
西塞
5
V
th
TC =
常见的来源
V
DS
= 10
V
I
D
= 1
mA
脉冲测试
V
th
(V)
栅极阈值电压
4
（PF ）
科斯
100
CRSS
电容C
3
2
10
1
1
0.1
常见的来源
V
GS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
0.3
1
3
10
30
100
0
80
40
0
40
80
120
160
壳温度
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
40
300
动态输入/输出特性
30
常见的来源
I
D
= 2
A
Tc
=
25°C
200
VDS
脉冲测试
20
漏极功耗P
D
(W)
V
DS
(V)
30
漏源电压
20
15
50
100
100
5
VGS
VDD
= 200
V
10
10
0
0
40
80
120
160
200
0
0
5
15
25
35
0
壳温度
(°C)
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-16
栅源电压
V
GS
(V)
25
2SJ610
r
th
– t
w
3
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
0.003
0.001
10
μ
税
=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
PDM
t
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
6.25°C/W
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
100
50
30
200
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS （兆焦耳）
160
10
5
3
ID MAX（脉冲）
*
1毫秒
*
DC
100
μs
*
120
(A)
80
漏极电流ID
1
0.5
0.3
40
0
25
50
75
100
125
150
0.1
0.0
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
0.0
曲线必须是线性降额
同的温度升高。
0.0
1
VDSS最大
3
5
10
30 50
100
300 500 1000
通道温度（初始）T
ch
(°C)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
= 50
V，L
=
75毫亨
5
2006-11-16
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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