2SJ610
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ610
开关稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
单位：mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.85
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 18 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （V
DS
=
250
V)
增强型： V
th
=
1.5~3.5
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
最大额定值
（ TC
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-250
-250
±20
-2.0
-4.0
20
180
-2.0
2.0
150
-55~150
A
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道温度
低于150 ℃。
注2 ： V
DD
= -50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
75 mH的，我
AR
= -2.0
A,
R
G
=
25
W
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
重量：0.58克（典型值）。
1
2002-09-11
2SJ610
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ610
开关稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.85
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 18 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
(V
DS
=
250
V)
增强型： V
th
=
1.5
to
3.5
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
0.95 MAX 。
0.6
±
0.15
单位：mm
5.2
±
0.2
1.7
±
0.2
6.8最大。
0.6 MAX 。
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
2.0
4.0
20
180
2.0
2.0
150
55
150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
2.3 2.3
2.5最大。
1
2
3
12.0 MIN 。
5.5
±
0.2
0.6 MAX 。
V
1.1
±
0.2
V
V
1.
2.
2
1
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
门
漏
（HEAT
汇）
3. SOURSE
3
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B1B
重量：0.58克（典型值）。
1.5
±
0.2
6.5
±
0.2
5.2
±
0.2
0.6 MAX 。
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” / “降额概念和
办法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告和
估计的故障率，等）。
9.5
±
0.3
温度/电流/电压和温度的显著变化，
1.2最大。
5.5
±
0.2
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
1.1
±
0.2
0.6 MAX 。
0.8最大。
0.6
±
0.15
1
2
1.05最大。
3
2.3
±
0.2
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
2.3
±
0.15 2.3
±
0.15
1.门
2.漏
（HEAT
汇）
3. SOURSE
2
1
0.1
±
0.1
3
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
75 mH的，我
AR
= 2.0
A,
R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
重量：0.58克（典型值）。
1
2009-07-13
2SJ610
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 250
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 10
V，I
D
= 1.0
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 1.0
A
民
250
1.5
0.5
典型值。
1.85
1.8
381
52
157
5
最大
±10
100
3.5
2.55
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
10 V
I
D
=
1.0 A
V
OUT
ns
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
V
GS
0V
20
50
Ω
R
L
=
100
Ω
V
DD
≈
100 V
36
24
11
13
6
t
f
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
V
DD
≈ 200
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 2.0
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 2.0
A，V
GS
=
0 V
I
DR
= 2.0
A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
120
540
最大
2.0
4.0
2.0
单位
A
A
V
ns
nC
记号
注4 ：根据批号的行标识产品标签的指示
[ G] ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
J610
产品型号
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令是指令2002 /欧洲议会95 / EC和
对2003年1月27日，安理会就使用某些的限制
有害物质在电气和电子设备。
2
2009-07-13
2SJ610
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ610
开关稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.85
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 18 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
(V
DS
=
250
V)
增强型： V
th
=
1.5~3.5
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
250
250
±20
2.0
4.0
20
180
2.0
2.0
150
55~150
A
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和
方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
75 mH的，我
AR
= 2.0
A,
R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
重量：0.58克（典型值）。
1
2006-11-16
2SJ610
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ610
开关稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
单位：mm
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.85
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 18 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （V
DS
=
250
V)
增强型： V
th
=
1.5~3.5
V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
最大额定值
（ TC
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-250
-250
±20
-2.0
-4.0
20
180
-2.0
2.0
150
-55~150
A
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道温度
低于150 ℃。
注2 ： V
DD
= -50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
75 mH的，我
AR
= -2.0
A,
R
G
=
25
W
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-7J1B
重量：0.58克（典型值）。
1
2002-09-11
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