添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第414页 > 2SJ605
SMD型
MOS场效应晶体管
2SJ605
TO
-
263
+ .1
1 .2 7
-00.1
晶体管
IC
单位：mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 20 m
R
DS(on)2
= 31 m
MAX 。 （V
GS
= -10 V，I
D
= -33 A)
+ .2
8 .7
-00.2
MAX 。 （V
GS
= -4.0 V，I
D
= -33 A)
低输入电容
西塞= 4600 pF的典型。 （V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 A)
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
2.54
5.08
+0.1
-0.1
+ .2
2 .5 4
-00.2
内置栅极保护二极管
+ .2
5 .2 8
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
+0.2
2.54
-0.2
0.4
+0.2
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲） * 1
总功耗
通道温度
储存温度
单雪崩电流* 2
单雪崩能量* 2
* 1 。 PW
图10是， Dduty周期的1％。
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
P
T
总胆固醇
T
英镑
I
AS
E
AS
等级
-60
20
65
200
1.5
150
-55到+150
-45
203
A
mJ
单位
V
V
A
A
W
* 2.Starting总胆固醇= 25 ，R
G
=25,V
GS
=-20V-0, V
DD
=-30V
5 .6 0
1门
1门
2漏
2漏
3源
3源
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SJ605
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
= -60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
20 V, V
DS
= 0 V
晶体管
IC
民
典型值
最大
-10
10
单位
A
A
V
S
V
GS （ OFF ）
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
Y
fs
V
DS
= -10 V，I
D
= -33 A
-1.5
30
-2.0
59
17
22
4600
820
330
15
14
100
58
-2.5
R
DS(on)1
V
GS
= -10 V，I
D
= -33 A
R
DS(on)2
V
GS
= -4.0 V，I
D
= -33 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= -48 V
V
GS
= -10 V
I
D
= -65 A
I
F
= 65 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
V
DS
= -10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -30 V，I
D
= -33 A
V
GS
= -10 V
R
G
= 0
20
31
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
87
15
22
1.0
53
110
2
www.kexin.com.cn
数据表
MOS场效应
2SJ605
开关
P沟道功率MOS FET
工业用
描述
该2SJ605是P沟道MOS场效应晶体管设计的
对于高电流的开关应用。
订购信息
产品型号
2SJ605
2SJ605-S
2SJ605-ZJ
2SJ605-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 20 mΩ以下。 （V
GS
= -10 V，I
D
= –33 A)
R
DS(on)2
= 31 mΩ以下。 （V
GS
= -4.0 V，I
D
= –33 A)
低输入电容
!
C
国际空间站
= 4600 pF的典型。 （V
DS
= –10 V, V
GS
= 0 A)
内置栅极保护二极管
记
TO- 220SMD包仅产
在日本。
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
–60
m
20
m
65
m
200
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
100
1.5
150
-55到+150
–45
203
I
AS
E
AS
!
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= -30 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= –20
→
0 V
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D14650EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
!
表示主要修改点。
2000
2SJ605
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
= –48 V
V
GS
= –10 V
I
D
= –65 A
I
F
= 65 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 65 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -10 V，I
D
= -1毫安
V
DS
= -10 V，I
D
= –33 A
V
GS
= -10 V，I
D
= –33 A
V
GS
= -4.0 V，I
D
= –33 A
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= -30 V，I
D
= –33 A
V
GS
= –10 V
R
G
= 0
–1.5
30
–2.0
59
17
22
4600
820
330
15
14
100
58
87
15
22
1.0
53
110
20
31
分钟。
典型值。
马克斯。
–10
m
10
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
!
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
–2.5
!
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
!
!
!
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG
V
GS
= –20 V
→
0 V
I
D
V
DD
BV
DSS
V
DS
50
L
V
DD
!
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
90%
10% 10%
V
GS
()
V
GS
电波表
90%
0
10%
I
AS
V
GS
()
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D14650EJ2V0DS
2SJ605
!
典型特性（ TA = 25 ° C）
正向偏置的降额因子
安全工作区
120
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
0
20
40
60
80
100
120 140
160
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120 140
160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
–1000
I
D（脉冲）
I
D
- 漏电流 - 一个
PW
=1
–100
(o
n)
10
0
0
s
LIM
ITE
d
I
D（ DC）的
Po
林WER
ITE派息
d
si
1m
s
–10
R
DS
10
pa
TIO
n
DC
s
ms
–1
T
C
= 25C
单脉冲
–1
–10
–100
–0.1
–0.1
V
DS -
漏源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.25C / W
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14650EJ2V0DS
3
2SJ605
正向传递特性
–1000
漏电流与
漏源极电压
–200
I
D
- 漏电流 - 一个
–10
I
D
- 漏电流 - 一个
–100
–150
V
GS
= –10 V
–1
T
A
=
55C
25C
75C
125C
–100
–4.5 V
–50
–4.0 V
脉冲
–0.1
–1
–2
–3
V
DS
= –10 V
脉冲
–5
–4
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
40
脉冲
30
I
D
= –65 A
20
I
D
= –13 A
10 I
D
= –33 A
1000
100
10
T
A
= 125C
75C
25C
50C
V
DS
= –10 V
脉冲
–0.1
–1
–10
I
D
- 漏电流 - 一个
–100
1
0.1
–0.01
0
0
–5
–10
–15
–20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
100
脉冲
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
–4.0
V
DS
= –10 V
I
D
= -1毫安
80
V
GS
= –4.0 V
–4.5 V
–10 V
–3.0
60
–2.0
40
20
–1.0
0
0
–1
–10
–100
–1000
I
D
- 漏电流 - 一个
–50
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14650EJ2V0DS
2SJ605
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
50
脉冲
源极到漏极二极管
正向电压
–1000
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
40
V
GS
= –4.0 V
–4.5 V
–10 V
–100
V
GS
= –10 V
–10
–4 V
0V
30
20
10
I
D
= –33A
50
0
50
100
150
–1
0
–0.1
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
100000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
开关特性
1000
V
DD
= –30 V
R
G
= 0
V
GS
= –10 V
t
D（关闭）
100
t
f
t
D（上）
10
t
r
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
C
RSS
100
–0.1
–1
–10
–100
1
–0.1
–1
–10
–100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
动态输入/输出特性
–60
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
单雪崩电流与
感性负载
–1000
I
D
= –65 A
V
DD
= –48 V
–30 V
–12 V
V
GS
–12
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
–50
–40
–30
–20
–10
0
–10
–8
–6
–4
I
AS
- 单雪崩电流 - 一个
–100
I
AS
= –45 A
E
AS
–10
V
DD
= –30 V
R
G
= 25
V
GS
= –20
→
0 V
100
= 20
3m
J
V
DS
–2
0
100
0
20
40
60
80
–1
10
1m
10 m
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
L - 感性负载 - ^ h
数据表D14650EJ2V0DS
5
查看更多2SJ605PDF信息
推荐型号
2N3734
2SA1687
22-17-3052
2N7262
2SC2652
2SK2542
25EC2445Y-40.000M
2SJ334_07
205204-9
2751100005
25LC512-1/MF
2222782197
298D227X02R5P2T
2SD2391Q
24LC16B-I/ST
24LC02B-I/SN
24LC02BI/SN
292SNS-T1368Z
2082-6340-06
25YXF100MY0611
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SJ605
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市银芯龙科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1184826453 复制

电话：13510131896
联系人：欧阳
地址：龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SJ605
RENESAS
15+
9000
TO-220
原装现货真实
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SJ605
RENESAS/瑞萨
2443+
23000
TO-220
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
2SJ605
VB
25+23+
35500
P-TO220-3
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
2SJ605
RENESAS/瑞萨
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ：414322027 复制
电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SJ605
NEC
2024
26000
TO-220
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
深圳市芯满林科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息

电话：18926544209/18025435189
联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SJ605
RENESAS/瑞萨
24+
32000
TO-220
百分百原装现货，价格优势，欢迎查询！
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
2SJ605
NEC
2418+
39482
MP-25TO-220AB
全新大量库存!样品可出!实单可谈!
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SJ605
日本NEC
2024
93771
TO220
原装现货上海库存！专营进口元件
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SJ605
NEC
21+
15360
TO-220
全新原装正品/质量有保证
深圳市华创欧科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3065848471 复制 点击这里给我发消息 QQ：1391615788 复制 点击这里给我发消息 QQ：2319599090 复制
电话：0755-23945755 83248872
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
2SJ605
NEC
22+
35600
TO-220
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0755-23945755 QQ:3065848471
查询更多2SJ605供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！