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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第390页 > 2SJ602
SMD型
MOS场效应
2SJ602
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
MOSFET
单位：mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
低导通电阻
R
DS(on)1
= 73 m
R
DS(on)2
= 107m
MAX 。 （V
GS
= -10 V，I
D
= -10 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 1300 pF的典型。
内置栅极保护二极管
+0.2
5.28
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
MAX 。 （V
GS
= -4.0 V，I
D
=-10 A)
+0.2
8.7
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10
S，占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
20
20
50
40
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
5.60
1门
2漏
3源
www.kexin.com.cn
1
SMD型
2SJ602
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-60V,V
GS
=0
V
GS
=
20V,V
DS
=0
-1.5
8
-2.0
16
59
75
民
典型值
MOSFET
最大
-10
10
-2.5
单位
A
A
V
S
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
D
= -20A
V
DD
= -48 V
V
GS
=-10 V
I
F
= -20A ，V
GS
= 0 V
I
F
= -20 A，V
GS
= 0 V
d
i
/d
t
= 100 A /
s
V
GS （ ON）
=-30V,I
D
= - 10A ，V
DD
=-10V,R
G
=0
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
V
DS
=-10V,I
D
=-10A
V
GS
=-10V,I
D
=-10A
V
GS
=-4.0V,I
D
=-10A
73
107
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
1300
240
100
9
12
54
15
26
5
7
1.0
50
110
2
www.kexin.com.cn
数据表
MOS场效应
2SJ602
开关
P沟道功率MOS FET
描述
该2SJ602是P沟道MOS场效应晶体管设计的
于电磁，电机和灯驱动器。
订购信息
产品型号
2SJ602
2SJ602-S
2SJ602-ZJ
2SJ602-Z
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
TO-220SMD
记
特点
超低导通电阻：
R
DS(on)1
= 73 mΩ以下。 （V
GS
=
10
V，I
D
=
10
A)
R
DS(on)2
= 107 mΩ以下。 （V
GS
=
4.0
V，I
D
=
10
A)
低输入电容：
C
国际空间站
= 1300 pF的典型。 （V
DS
=
10
V, V
GS
= 0 V)
内置栅极保护二极管
记
TO- 220SMD包产生仅在
日本
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
60
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-262)
m
20
m
20
m
50
40
1.5
150
55
+150
20
40
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
=
30
V ，R
G
= 25
,
V
GS
=
20 →
0 V
（ TO- 263 ， TO- 220SMD ）
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证实，这是最新版本。
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供应及其他信息。
文档编号
D14647EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期2002年7月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2000, 2001
2SJ602
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
V
DD
=
48
V
V
GS
=
10
V
I
D
=
20
A
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 20 A，V
GS
= 0 V
的di / dt = 100 A /
s
测试条件
V
DS
=
60
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
分钟。
典型值。
马克斯。
10
单位
A
A
V
S
m
20 V, V
DS
= 0 V
1.5
8
2.0
16
59
75
1300
240
100
9
12
54
15
26
5
7
1.0
50
110
m
10
2.5
V
DS
=
10
V，I
D
=
1
mA
V
DS
=
10
V，I
D
=
10
A
V
GS
=
10
V，I
D
=
10
A
V
GS
=
4.0
V，I
D
=
10
A
V
DS
=
10
V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
=
30
V，I
D
=
10
A
V
GS
=
10
V
R
G
= 0
73
107
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
=
20 →
0 V
I
D
V
DD
BV
DSS
V
DS
50
L
V
DD
测试电路2开关时间
D.U.T.
R
L
PG 。
R
G
V
DD
V
DS
()
90%
90%
10% 10%
V
GS
()
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
I
AS
V
GS
()
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
PG 。
2
数据表D14647EJ3V0DS
2SJ602
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
60
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
总功耗对比
外壳温度
100
80
60
40
20
0
P
T
- 总功耗 - W
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
ch
- 通道温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
–100
I
D（脉冲）
10
0
PW
s
=
10
s
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D（ DC）的
–10
R
D
S(
)
on
m
Li
ITE
d
Po
we
rD
国际空间站
DC
1
m
s
10
LIM
IPA
m
s
TIO
n
ITE
d
–1
–0.1
–0.1
T
C
= 25C
单脉冲
–1
–10
–100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
100
R
号（j -a）的
= 83.3C / W
10
R
日（J -C ）
= 3.13 ° C / W
1
0.1
单脉冲
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D14647EJ3V0DS
3
2SJ602
正向传递特性
–100
漏电流与
漏源极电压
–60
–50
V
GS
= –10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
–10
–40
–4.5 V
–30
–4.0 V
–20
–10
–1
T
A
=
55C
25C
75C
125C
V
DS
= –10 V
脉冲
–5
–4
–0.1
–0.01
–1
0
–2
–3
0
–2
–4
–6
脉冲
–10
–8
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
120
100
80
60
40
20
0
0
–5
–10
–15
–20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
脉冲
I
D
= –20 A
–10 A
–4 A
100
10
1
T
A
= 125C
75C
25C
55C
V
DS
= –10 V
脉冲
–0.1
–1
–10
–100
I
D
- 漏电流 - 一个
0.1
0.01
–0.01
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
150
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
–4.0
V
DS
= –10 V
I
D
= -1毫安
–3.0
100
V
GS
= –4.0 V
–4.5 V
–10 V
–2.0
50
–1.0
0
–0.1
–1
–10
脉冲
–100
0
–50
0
50
100
150
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14647EJ3V0DS
2SJ602
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
通道温度
160
源极到漏极二极管
正向电压
–100
脉冲
V
GS
= –10 V
–10
–4.0 V
0V
–1
脉冲
V
GS
= –4.0 V
–4.5 V
–10 V
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
I
D
= –10 A
120
80
40
–0.1
0
50
0
50
100
150
–0.01
0
–0.5
–1.0
–1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
开关特性
1000
V
DD
= –30 V
V
GS
= –10 V
R
G
= 0
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
1000
100
t
D（关闭）
C
OSS
100
C
RSS
10
t
D（上）
t
r
t
f
10
–0.1
–1
–10
–100
1
–0.1
–1
–10
–100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
反向恢复时间对比
漏电流
1000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
的di / dt = 100 A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
V
DS
V
DD
= –48 V
–30 V
–12 V
V
GS
I
D
= –20 A
–12
–10
–8
–6
–4
–2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
100
10
1
0.1
1
10
100
I
F
- 漏电流 - 一个
数据表D14647EJ3V0DS
5
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推荐型号
2-87025-0
2500R-10J
2SA1416T
2-284392-1
26PCAEG6G
25AA160D-I/MS
207
2MBI400N-060
21-12-115
2SC460A
2020-400
2SA1721R
2SK3230
2N4210
2SC3840K
2SC4776MS
2SC3577
212U1012N320RB
20KPA64CA
2SC2558M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SJ602
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
北京元坤国际科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
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2SJ602
NEC
21+
15000.00
TO-220
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深圳市银芯龙科技有限公司
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电话：13510131896
联系人：欧阳
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2SJ602
NEC/正品
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27600
TO-220F
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
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2SJ602
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1926+
9852
TO220
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联系人：王云
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2SJ602
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电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
2SJ602
REAESAS
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深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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2SJ602
RENESAS/瑞萨
2443+
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深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SJ602
VBsemi
24+
27200
TO220
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
2SJ602
VB
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