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2SJ567
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ567
切换应用程序
斩波稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.6
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
200
V)
增强模型： V
th
=
1.5
~
3.5
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±20
2.5
10
20
97.5
2.5
2.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B1B
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和
方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7J1B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
五，总胆固醇
=
25 ° C（初始） ，L
= 25.2
mH的，我
AR
= 2.5
A
R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
重量：0.58克（典型值）。
1
2006-11-16
2SJ567
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
0V
I
D
= 1.5
A V
OUT
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 200
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 10
V，I
D
= 1.5
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 1.5
A
民
200
1.5
1.0
典型值。
1.6
2.0
410
40
145
20
最大
±10
100
3.5
2.0
pF
单位
μA
μA
V
V
Ω
S
50
Ω
R
L
=
66.7
Ω
V
DD
100
V
ns
开启时间
开关时间
下降时间
V
GS
10
V
45
15
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
（门源，外加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
85
10
6
4
V
DD
160
V, V
GS
= 10
V,
I
D
= 2.5
A
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 2.5
A，V
GS
=
0 V
I
DR
= 2.5
A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
135
0.81
最大
2.5
10
2.0
单位
A
A
V
ns
μC
记号
J567
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-16
2SJ567
I
D
– V
DS
2.0
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
15
10
4.6
4 15
8
6
5
4.8
5
10
6
8
I
D
– V
DS
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
5.75
5.5
5.25
5
2
4.8
4.6
4.4
1
4.2
VGS
= 4
V
10
20
30
40
50
1.6
漏电流I
D
(A)
1.2
漏电流I
D
(A)
5
4.4
4.2
VGS
= 4
V
3
0.8
0.4
0
0
1
2
3
4
0
0
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
10
常见的来源
8
VDS
= 10
V
脉冲测试
Tc
= 55°C
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
V
DS
(V)
8
Tc
=
25°C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏源电压
6
25
6
4
100
4
ID
= 2.5
A
1.5
2
0.8
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
10
常见的来源
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
25
100
VDS
= 10
V
脉冲测试
R
DS （ ON）
– I
D
(S)
正向转移导纳
Y
fs
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
Tc
= 55°C
VGS
= 10
V
15
1
1
0.1
0.1
1
10
0.1
0.1
1
10
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-16
2SJ567
R
DS （ ON）
TC =
6
常见的来源
VGS
= 10
V
脉冲测试
ID
= 1.5
A
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
I
DR
– V
DS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
4
1.2
反向漏电流I
DR
(A)
1
5
3
1.0
2
1
5
0
80
40
0
40
80
120
160
0.1
0
0.2
3
0.4
1
0.6
VGS
=
0 V
0.8
1
壳温度（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
1000
西塞
5
V
th
TC =
常见的来源
V
th
(V)
4
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
（PF ）
栅极阈值电压
100
科斯
3
电容C
2
10
常见的来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
0.1
1
10
CRSS
1
0
80
100
40
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
P
D
TC =
40
160
动态输入/输出特性
VDS
VDS
= 40
V
120
180
80
80
40
VGS
4
12
常见的来源
ID
= 2.5
A
Tc
=
25°C
8
脉冲测试
16
漏极功耗P
D
(W)
20
10
0
0
40
80
120
160
0
0
4
8
12
16
20
壳温度（ ° C）
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
4
2006-11-16
栅源电压
V
GS
30
漏源电压
V
DS
(V)
(V)
2SJ567
r
th
– t
w
3
归瞬态热阻抗
r
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
0.003
0.001
10
μ
税
=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
PDM
t
0.01
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
6.25°C/W
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
脉冲宽度
t
w
(S)
安全工作区
30
10
5
3
ID MAX（脉冲）
*
100
μs*
100
E
AS
– T
ch
雪崩能量EAS （兆焦耳）
80
1毫秒*
(A)
60
漏极电流ID
1
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.01
0.005
0.1
*
单一不重复的脉冲
Tc
=
25°C
曲线必须降低
线性地增加
温度。
0.3
1
3
10
30
100
300
VDSS最大
DC
手术
40
20
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
漏源电压
V
DS
(V)
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
波形
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
= 50
V，L
=
25.2毫亨
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
VDD
2
VDSS
5
2006-11-16
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2SC4138
206-4112
25AA080BT-E/PG
2N2891LL
2534-58L
249-5123-001
20ETF12SPBF
2-1761603-3
2-34105-2
212X01S324FN1
2SC3954F
22-02-7063
2N2912
2SB1331R
2SA1294
2-1393248-7
2843010302
2SA937AMLNS
275T820A501A1A1
285D406X0050G4
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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