2SJ567
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ567
切换应用程序
斩波稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.6
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
=
200
V)
增强模型： V
th
=
1.5
~
3.5
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
工业应用
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-200
-200
±20
-2.5
-10
20
97.5
-2.5
2.0
150
-55~150
单位
V
V
V
A
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道温度
低于150 ℃。
注2 ： V
DD
= -50
五，总胆固醇
=
25 ° C（初始） ，L
= -25.2
mH的，我
AR
= -2.5
A
R
G
=
25
W,
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7J1B
重量：0.58克（典型值）。
1
2002-08-12
2SJ567
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ567
切换应用程序
斩波稳压器， DC / DC转换器和
电机驱动应用
导通电阻低的漏极 - 源极，R
DS （ ON）
= 1.6
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
200
V)
增强模型： V
th
=
1.5
~
3.5
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
200
200
±20
2.5
10
20
97.5
2.5
2.0
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7B1B
重量：0.58克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和
方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7J1B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
五，总胆固醇
=
25 ° C（初始） ，L
= 25.2
mH的，我
AR
= 2.5
A
R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。小心轻放。
重量：0.58克（典型值）。
1
2006-11-16
2SJ567
东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SJ567
切换应用程序
斩波稳压器， DC-DC转换器和
电机驱动应用
·
·
·
·
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 1.6
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.0 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
=
200
V)
增强模型： V
th
=
1.5
~
3.5
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
工业应用
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
-200
-200
±20
-2.5
-10
20
97.5
-2.5
2.0
150
-55~150
单位
V
V
V
A
JEDEC
W
mJ
A
mJ
°C
°C
―
SC-64
2-7B1B
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEITA
东芝
重量：0.58克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
6.25
125
单位
° C / W
° C / W
注1 ：请在使用条件下的设备，该通道温度
低于150 ℃。
注2 ： V
DD
= -50
五，总胆固醇
=
25 ° C（初始） ，L
= -25.2
mH的，我
AR
= -2.5
A
R
G
=
25
W,
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电敏感器件。请处理好与
慎用。
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-64
2-7J1B
重量：0.58克（典型值）。
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2002-08-12
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