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2SJ552(L),2SJ552(S)
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
ADE - 208-651B （ Z）
3 。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.042Ω （典型值） 。
低驱动电流。
4V栅极驱动装置。
高速开关。
概要
LDPAK
4
D
1
G
1
4
2
3
2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SJ552(L),2SJ552(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–20
–80
–20
–20
34
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
体漏二极管的反向漏电流I
DR
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号最小值
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.042
0.065
16
1750
800
180
16
100
230
140
–1.0
100
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.055
0.095
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -20A ，V
GS
= 0
I
F
= -20A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= -10mA ，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -10A ，V
GS
= –10V
Note4
I
D
= -10A ，V
GS
= –4V
Note4
I
D
= -10A ，V
DS
= –10V
Note4
V
DS
= –10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= -10V ，我
D
= –10A
R
L
= 3
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
栅极至源极击穿电压V
（ BR ） GSS
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
体漏二极管的正向电压V
DF
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
t
rr
2
2SJ552(L),2SJ552(S)
主要特点
功率与温度降额
80
最高安全工作区
–1000
–300
P沟（W）的
I
D
(A)
60
–100
–30
散热通道
漏电流
40
–10
–3
–1
–0.3
10 s
10
0
PW
1
s
=
m
1
s
DC
0 m
s
Op
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
(1
er
sh
OT ）
（T ATIO
C = N
25
°C
)
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
TA = 25℃
–0.1
–0.1 –0.3 –1
–3
–10 –30 –100
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–50
–10 V
–8 V
–4.5 V
–50
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
TC = -25°C
25 °C
(A)
I
D
漏电流
I
D
(A)
–40
–6 V
–5 V
脉冲测试
–4 V
–40
–30
–3.5 V
–20
–3 V
–10
V
GS
= –2.5 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–10
V
DS
(V)
–8
–30
漏电流
–20
–10
75 °C
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
V
GS
(V)
–5
3
2SJ552(L),2SJ552(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
–2.0
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
0.5
0.2
0.1
V
GS
= –4 V
–10 V
–1.6
–1.2
I
D
= –20 A
–0.8
0.05
–0.4
–10 A
–5 A
–2 A
0.02
0.01
–1
–2
–5
–10
脉冲测试
–20
–50 –100
0
–4
–8
–12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.2
脉冲测试
0.16
–10 A
0.12
I
D
= –20 A
–5 A
0.08 V
GS
= –4 V
–20 A
0.04
–10 V
0
–40
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
–5, –10 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
100
30
TC = -25°C
10
3
75 °C
1
0.3
25 °C
0.1
–0.1 –0.3 –1
–3
–10 –30
漏电流I
D
(A)
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–100
4
2SJ552(L),2SJ552(S)
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
10000
脉冲测试
500
3000
西塞
1000
300
100
CRSS
30
10
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
200
100
50
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
电容C （PF ）
科斯
20
10
–0.1
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流
I
DR
(A)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
DS
V
GS
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
0
1000
500
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 10微秒，占空比< 1 ％
TD （关闭）
200
tf
100
50
tr
漏源极电压
–40
–8
–60
–12
–80
–16
–20
80
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
–20
–4
20
TD （上）
–10
–30
–100
I = -20
–100
D
0
64
16
32
48
栅极电荷Qg （ NC ）
10
–1
–3
–0.1 –0.3
漏电流
I
D
(A)
5
2SJ552 （L） 2SJ552 （S）
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0899-0400
（上一个： ADE- 208-651B ）
Rev.4.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.042
典型值。
低驱动电流。
4 V栅极驱动装置。
高速开关。
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
G
1
1
2
3
S
2
1.门
2.漏
3.源
4.漏
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
3
Rev.4.00 2005年9月7日第1页8
2SJ552 （L） 2SJ552 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–60
±20
–20
–80
–20
–20
34
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.042
0.065
16
1750
800
180
16
100
230
140
–1.0
100
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.055
0.095
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
注4
I
D
= -10 A，V
GS
= –10 V
I
D
= -10 A，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -10 A，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –10 A
R
L
= 3
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
I
F
= -20 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注4
Rev.4.00 2005年9月7日第2页8
2SJ552 （L） 2SJ552 （S）
主要特点
功率与温度降额
80
–1000
–300
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
60
–100
–30
–10
–3
–1
–0.3
PW
10
s
1 m
s
s
10
散热通道
0
40
20
=1
0m
Op
s(
ERA
1s
TIO
ho
n(
t)
Tc
操作
=2
5°
这个区域是
C)
限于由R
DS （ ON）
漏电流
DC
0
0
50
100
150
200
TA = 25°C
–0.1
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–50
–10 V
–8 V
–6 V
–5 V
–50
–4.5 V
脉冲测试
–4 V
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–40
I
D
(A)
漏电流
–40
–30
–30
–3.5 V
漏电流
–20
–3 V
–10
V
GS
= –2.5 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–20
–10
TC = 75℃
25°C
–25°C
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–2.0
脉冲测试
–1.6
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
1
脉冲测试
0.5
–1.2
I
D
= –20 A
–0.8
–10 A
–0.4
–5 A
–2 A
0.2
0.1
0.05
–10 V
0.02
0.01
–1
V
GS
= –4 V
0
0
–4
–8
–12
–16
–20
–2
–5
–10
–20
–50 –100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第3页8
2SJ552 （L） 2SJ552 （S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.20
脉冲测试
0.16
–10 A
I
D
= –20 A
V
GS
= –4 V
–5 A
–20 A
–10 V
0
–40
0
40
–5 A, –10 A
80
120
160
100
30
TC = -25°C
10
25°C
3
75°C
1
0.3
0.1
–0.1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
0.12
0.08
0.04
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
体漏二极管的反向
恢复时间
1000
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
500
电容C （PF ）
3000
1000
西塞
200
100
50
科斯
300
100
CRSS
30
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
20
10
–0.1 –0.3
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–1
–3
–10
–30
–100
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
0
1000
500
开关特性
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 10
s,
税
≤
1 %
TD （关闭）
200
100
50
tr
tf
–20
–4
漏源极电压
–40
V
DS
–60
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
I
D
= –20 A
0
16
32
V
GS
–8
–12
–80
–16
栅极至源极电压
开关时间t（ NS ）
20
10
–0.1 –0.3
TD （上）
–100
48
64
–20
80
–1
–3
–10
–30
–100
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.4.00 2005年9月7日第4页8
2SJ552 （L） 2SJ552 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–50
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
50
I
AP
= –20 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–40
40
–30
–10 V
–20
–5 V
V
GS
= 0, 5 V
30
20
–10
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
10
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 1.67 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
ULS
e
0.02
0.03
0.0
1s
D=
PW
T
PW
T
1
p
ot
h
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
Rev.4.00 2005年9月7日第5页8
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29F525QC
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2N2331
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