【2SJ552 （L） 2SJ552 （S）硅P沟道MOS场效应晶体管REJ03G0899-0400（】,IC型号2SJ552L-E,2SJ552L-E PDF资料,2SJ552L-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ552 （L） 2SJ552 （S）

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0899-0400

（上一个： ADE- 208-651B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

描述

高速电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.042

典型值。

低驱动电流。

4 V栅极驱动装置。

高速开关。

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

Rev.4.00 2005年9月7日第1页8

2SJ552 （L） 2SJ552 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

注1

价值

–60

±20

–20

–80

–20

150

-55到+150

单位

°C

注3

PCH

总胆固醇

注2

注3

TSTG

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

DSS

GSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–60

±20

—

–1.0

—

典型值

—

0.042

0.065

1750

800

180

100

230

140

–1.0

100

最大

—

–10

±10

–2.0

0.055

0.095

—

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 A,

= 0

= –60 V, V

= 0

±16

V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

注4

= -10 A，V

= –10 V

= -10 A，V

= –4 V

注4

= -10 A，V

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –10 V

= –10 A

= 3

= -20 A，V

= 0

= -20 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

注4

Rev.4.00 2005年9月7日第2页8

2SJ552 （L） 2SJ552 （S）

主要特点

功率与温度降额

–1000

–300

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

–100

–30

–10

–3

–1

–0.3

1 m

散热通道

ERA

TIO

操作

5°

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

漏电流

100

150

200

TA = 25°C

–0.1

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

–50

–10 V

–8 V

–6 V

–5 V

–50

–4.5 V

脉冲测试

–4 V

典型的传输特性

= –10 V

脉冲测试

(A)

–40

(A)

漏电流

–40

–30

–3.5 V

漏电流

–20

–3 V

–10

= –2.5 V

–2

–4

–6

–8

–10

–20

–10

TC = 75℃

25°C

–25°C

–1

–2

–3

–4

–5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

–2.0

脉冲测试

–1.6

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

0.5

–1.2

= –20 A

–0.8

–10 A

–0.4

–5 A

–2 A

0.2

0.1

0.05

–10 V

0.02

0.01

–1

= –4 V

–4

–8

–12

–16

–20

–2

–5

–10

–20

–50 –100

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第3页8

2SJ552 （L） 2SJ552 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

0.20

脉冲测试

0.16

–10 A

= –20 A

= –4 V

–5 A

–20 A

–10 V

–40

–5 A, –10 A

120

160

100

TC = -25°C

25°C

75°C

0.3

0.1

–0.1

正向转移导纳主场迎战

漏电流

0.12

0.08

0.04

= –10 V

脉冲测试

–0.3

–1

–3

–10

–30

–100

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

脉冲测试

500

电容C （PF ）

3000

1000

西塞

200

100

科斯

300

100

CRSS

= 0

F = 1 MHz的

–10

–20

–30

–40

–50

–0.1 –0.3

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

–1

–3

–10

–30

–100

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

(V)

= –10 V

–25 V

–50 V

1000

500

开关特性

= –10 V, V

= –30 V

PW = 10

税

≤

1 %

TD （关闭）

200

100

–20

–4

漏源极电压

–40

–60

= –10 V

–25 V

–50 V

= –20 A

–8

–12

–80

–16

栅极至源极电压

开关时间t（ NS ）

–0.1 –0.3

TD （上）

–100

–20

–1

–3

–10

–30

–100

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4页8

2SJ552 （L） 2SJ552 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–50

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= –20 A

= –25 V

值班< 0.1 ％

≥

反向漏电流I

(A)

–40

–30

–10 V

–20

–5 V

= 0, 5 V

–10

脉冲测试

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

100

125

150

源极到漏极电压

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 1.67 ° C / W ，TC = 25°C

ULS

0.02

0.03

0.0

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

L I

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

D.U.T

VIN

–15 V

Rev.4.00 2005年9月7日第5页8