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2SJ546
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0893-0300
（上一个： ADE- 208-638A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.075
典型值。
低驱动电流。
4 V栅极驱动装置。
高速开关。
概要
瑞萨封装代码：
PRSS0003AE-A
（包名称：
TO-220C
FM ）
D
G
1.门
2.漏
3.源
1 2
3
S
Rev.3.00 2005年9月7日第1页7
2SJ546
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–60
±20
–15
–60
–15
–15
19
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
6.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.075
0.105
11
850
420
110
12
75
125
75
–1.1
70
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.095
0.155
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
注4
I
D
= -8 A ，V
GS
= –10 V
I
D
= -8 A ，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -8 A ，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –8 A
R
L
= 3.75
I
F
= -15 A，V
GS
= 0
I
F
= -15 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注4
Rev.3.00 2005年9月7日第2 7
2SJ546
主要特点
功率与温度降额
40
1000
300
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
30
100
30
10
3
1
0.3
PW
10
s
m
s
=1
s
DC
0m
Op
s(
ERA
1s
ho
TIO
n(
t)
操作
Tc
=2
这个区域是
5°
C)
限于由R
DS （ ON）
1
散热通道
10
0
20
10
漏电流
TA = 25°C
0
0
50
100
150
200
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–20
–10 V
–6 V
–20
–4 V
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–16
–3.5 V
–12
I
D
(A)
漏电流
脉冲测试
–16
–12
漏电流
–8
–3 V
–8
25°C
–25°C
–4
V
GS
= –2.5 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–4
TC = 75℃
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–4.0
脉冲测试
–3.2
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
脉冲测试
3
1
0.3
V
GS
= –4 V
0.1
–10 V
0.03
0.01
–0.1 –0.3
–2.4
–1.6
I
D
= –15 A
–0.8
–10 A
–5 A
0
–4
–8
–12
–16
–20
0
–1
–3
–10
–30
–100
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第3页7
2SJ546
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.40
脉冲测试
0.32
–5 A
0.24
I
D
= –15 A
0.16
V
GS
= –4 V
–10 A
100
30
TC = -25°C
10
3
1
0.3
0.1
–0.1
75°C
25°C
正向转移导纳主场迎战
漏电流
0.08
–5 A, –10 A, –15 A
–10 V
0
–40
0
40
80
120
160
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.3
–1
–3
–10
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
电容C （PF ）
200
100
50
3000
1000
300
100
CRSS
30
10
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
西塞
科斯
20
10
5
–0.1 –0.2
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
–0.5 –1
–2
–5 –10 –20
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
V
DS
–60
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
开关特性
V
GS
(V)
0
1000
500
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 5
s,
税
≤
1 %
0
–20
–4
漏源极电压
开关时间t（ NS ）
栅极至源极电压
–40
200
100
50
–8
TD （关闭）
tf
–12
–80
I
D
= –15 A
0
8
16
24
32
–16
tr
20
TD （上）
10
–0.1 –0.2
–0.5 –1
–2
–5 –10 –20
–100
–20
40
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第4 7
2SJ546
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–20
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
I
AP
= –15 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–16
–10 V
–5 V
–8
V
GS
= 0, 5 V
16
–12
12
8
–4
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
4
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
1
h
p
ot
ü LS
e
0.03
0.02
0.0
D=
PW
T
PW
T
1s
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
Rev.3.00 2005年9月7日第5 7
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