【2SJ545硅P沟道MOS场效应晶体管REJ03G0892-0400Rev.4.002006年6月5】,IC型号2SJ545-E,2SJ545-E PDF资料,2SJ545-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ545

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0892-0400

Rev.4.00

2006年6月5日

描述

高速电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 0.11

典型值。

低驱动电流

4 V栅极驱动装置

高速开关

概要

瑞萨封装代码：

PRSS0003AE-A

（包名称：

TO-220C

FM ）

1.门

2.漏

3.源

1 2

Rev.4.00 2006年6月5日第1页7

2SJ545

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

AP注3

AR注3

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

–60

±20

–12

–48

–12

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

DSS

GSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–60

±20

—

–1.0

—

典型值

—

0.11

0.16

580

300

–1.2

最大

—

–10

±10

–2.0

0.15

0.23

—

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 A,

= 0

= –60 V, V

= 0

±16

V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

= -6 A，V

= –10 V

注4

= -6 A，V

= –4 V

注4

= -6 A，V

= –10 V

注4

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –10 V

= –6 A

= 6

= -12 A，V

= 0

= -12 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

Rev.4.00 2006年6月5日第2 7

2SJ545

主要特点

功率与温度降额

–100

–30

–10

最高安全工作区

P沟（W）的

(A)

散热通道

漏电流

–3

–1

–0.3

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TIO

)

°C

100

150

200

TA = 25°C

–0.1

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

–10

–10 V

–5 V

–4 V

脉冲测试

–3.5 V

–10

典型的传输特性

= –10 V

脉冲测试

(A)

–8

(A)

漏电流

–8

–6

–3 V

漏电流

–4

25°C

–25°C

–2

–2.5 V

= –2 V

–2

TC = 75℃

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

–1.0

脉冲测试

–0.8

= –5 A

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

脉冲测试

0.5

= –4 V

–0.6

0.2

0.1

0.05

–10 V

–0.4

–2 A

–0.2

–1 A

0.02

0.01

–0.1 –0.3

–4

–8

–12

–16

–20

–1

–3

–10

–30

–100

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.4.00 2006年6月5日第3页7

2SJ545

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

0.4

–2 A

0.3

= –4 V

= –5 A

–1 A

–5 A

–10 V

–40

–1 A, –2 A

TC = -25°C

0.5

75°C

25°C

0.2

0.1

= –10 V

脉冲测试

0.2

–0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

–10

120

160

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

2000

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

脉冲测试

1000

电容C （PF ）

200

100

西塞

500

200

100

科斯

20 V

= 0

F = 1 MHz的

–10

CRSS

–0.1 –0.2

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

–0.5

–1

–2

–5

–10

–20

–30

–40

–50

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–20

–4

开关时间t（ NS ）

= –10 V

–25 V

–50 V

(V)

1000

300

TD （关闭）

100

–0.1 –0.2

漏源极电压

–40

–60

= –50 V

–25 V

–10 V

= –12 A

–8

栅极至源极电压

–12

TD （上）

–80

–16

–100

–20

= –10 V, V

= –30 V

PW = 5

税

≤

1 %

–0.5

–1

–2

–5

–10

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.4.00 2006年6月5日第4 7

2SJ545

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–10

最大雪崩能量 -

通道温度降额

重复性雪崩能量ê

（兆焦耳）

= –12 A

= –25 V

值班< 0.1 ％

≥

反向漏电流I

(A)

–8

–10 V

–6

–5 V

–4

= 0, 5 V

–2

脉冲测试

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

100

125

150

源极到漏极电压

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 5.0 ° C / W ，TC = 25°C

ULS

0.03

0.02

0.0

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

雪崩测试电路

雪崩波形

L I

AP2

DSS

– V

（ BR ） DSS

MONITOR

D.U.T

VIN

–15 V

Rev.4.00 2006年6月5日第5 7

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