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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第542页 > 2SJ527S
2SJ527(L),2SJ527(S)
硅P沟道MOS场效应晶体管
高速电源开关
ADE - 208-640A （ Z）
第2位。版
1998年6月
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.3
典型值。
低驱动电流
4 V格特驱动装置
高速开关
概要
DPAK-1
4
4
D
1 2
G
3
S
1 2
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
2SJ527(L),2SJ527(S)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
Avalenche电流
Avalenche能源
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
注3 AP
E
AR注3
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
评级
–60
±20
–5
–20
–5
–5
2.1
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
1. PW
≤
为10μs ，占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零门voltege漏电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
1.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.3
0.5
3
220
110
35
10
30
45
35
–1.35
55
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.4
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -5A ，V
GS
= 0
I
F
= -5A ，V
GS
= 0
DIF / DT = 50A / μs的
测试条件
I
D
= -10mA ，V
GS
= 0
I
G
=
±100A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16V,
V
DS
= 0
I
D
= -1mA ，V
DS
= –10V
I
D
= -3A ，V
GS
= –10V
Note4
I
D
= -3A ，V
GS
= –4V
Note4
I
D
= -3A ，V
DS
= –10V
V
DS
= –10V
V
GS
= 0
F = 1MHz的
V
GS
= -10V ，我
D
= –3A
R
L
= 10
Note4
2
2SJ527(L),2SJ527(S)
主要特点
功率与温度降额
40
P沟（W）的
I
D
(A)
最高安全工作区
–100
–50
10
10
PW
30
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
0
s
s
散热通道
漏电流
20
D
=
1
m
C
10
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
外壳温度
–0.2
TA = 25
°C
–0.1
–0.1 –0.3
–1 –3
–10 –30 –100
漏极至源极电压V
DS
(V)
pe
s (1
ra
sh
（T重刑
OT ）
c=
操作
25
这个区域是
°
C
限于由R
DS （ ON）
)
O
10
s
m
–10 V
–5
–8 V
I
D
(A)
–4
典型的输出特性
–5 V
–6 V
–5
–4 V
(A)
脉冲测试
–3.5 V
–4
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–3
I
D
漏电流
–3
漏电流
–2
–3 V
–1
V
GS
= –2.5 V
0
–2
–4
–6
漏源极电压
–10
V
DS
(V)
–8
–2
–25°C
–1
TC = 75℃
25°C
0
–1
–2
–3
栅极至源极电压
–4
–5
V
GS
(V)
3
2SJ527(L),2SJ527(S)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
–4
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
–5
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
10
脉冲测试
3
–3
1
–4 V
0.3
–2
I
D
= –5 A
–1
–1 A
–2 A
V
GS
= –10 V
0.1
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30
0
–8
–4
–12
栅极至源极电压
–16
–20
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| Y
fs
| (S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
2.0
脉冲测试
1.6
正向转移导纳主场迎战
漏电流
10
5
TC = -25°C
2
1
0.5
25 °C
75 °C
1.2
I
D
= –4 A
–2 A
V
GS
= –4 V
–5 A
0.8
–1 A
–1, –2 A
0.4
0
–40
–10 V
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
0.2
0.1
–0.1 –0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.5 –1
–2
–5
漏电流I
D
(A)
–10
4
2SJ527(L),2SJ527(S)
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
典型的电容比。
漏源极电压
1000
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
西塞
50
科斯
CRSS
20
的di / dt = 50A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
2
1
0
10
–0.1 –0.2
–0.5 –1 –2
–5 –10
反向漏电流I
DR
(A)
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
–10
–20
–30
–40
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
V
DS
(V)
0
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
(V)
V
DS
0
100
50
开关时间t（ NS ）
开关特性
吨D（关闭）
tf
–20
–4
I
D
= –5 A
漏源极电压
–40
–8
栅极至源极电压
20
10
5
2
1
–0.1 –0.2
吨D（上）
tr
–60
V
GS
–80
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
–12
–16
–20
20
–100
0
4
8
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
V
GS
= –10 V, V
DD
= 30 V
值班< 1 ％
–0.5 –1 –2
–5
漏电流I
D
(A)
–10
5
SMD型
海特速度电源开关
2SJ527S
TO-252
IC
MOSFET
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.3
典型值。
+0.2
9.70
-0.2
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
高速开关
4V栅极驱动装置。
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
2.3
+0.15
4.60
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S，占空比
1%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
20
-5
-20
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=-10mA,V
GS
=0
I
G
=
100
A，V
DS
=0
民
-60
20
-10
10
-1.0
1.8
3
0.3
0.5
220
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
110
35
10
V
GS （ ON）
=-10V,I
D
= - 3A ，R
L
=10
30
45
35
0.4
0.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-2.0
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
V
DS
=-60V,V
GS
=0
V
GS
=
16V,V
DS
=0
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-10V,I
D
=-3A
V
GS
=-10V,I
D
=-3A
V
GS
=-4.0V,I
D
=-3A
3
.8
0
低驱动电流
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
www.kexin.com.cn
1
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0877-0300
（上一个： ADE- 208-640A ）
Rev.3.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 0.3
典型值。
低驱动电流
4 V栅极驱动装置
高速开关
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A
（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ） ）
4
瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C
（包名称： DPAK （ S） ）
4
D
1
2
3
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
1
2
3
S
Rev.3.00 2005年9月7日第1页8
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在Tc = 25℃
3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
注1
价值
–60
±20
–5
–20
–5
–5
2.1
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
I
AP
注3
E
AR
PCH
总胆固醇
注2
注3
TSTG
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意：
4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （关闭）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
–60
±20
—
—
–1.0
—
—
1.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.3
0.5
3
220
110
35
10
30
45
35
–1.35
55
最大
—
—
–10
±10
–2.0
0.4
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
DS
= –60 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
注4
I
D
= -3 A ，V
GS
= –10 V
I
D
= -3 A ，V
GS
= –4 V
注4
I
D
= -3 A ，V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
GS
= –10 V
I
D
= –3 A
R
L
= 10
I
F
= -5 A ，V
GS
= 0
I
F
= -5 A ，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注4
Rev.3.00 2005年9月7日第2页8
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
主要特点
功率与温度降额
40
–100
–50
最高安全工作区
P沟（W）的
I
D
(A)
30
–20
–10
–5
–2
–1
–0.5
–0.2
PW
10
s
10
1
=
10
0
散热通道
s
漏电流
m
DC
20
s
sh
ot
)
m
s(
1
10
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
–3
–10
n
TIO
ra
pe
O
c=
(T
)
°C
25
0
0
50
100
150
200
TA = 25°C
–0.1
–0.1 –0.3
–1
–30
–100
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10 V
–8 V
典型的传输特性
–5
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–5
–6 V
–5 V
–4 V
I
D
(A)
–4
–3
–3.5 V
I
D
(A)
漏电流
脉冲测试
–4
–3
漏电流
–2
–2
25°C
TC = 75℃
–25°C
0
–1
–2
–3
–4
–5
–3 V
V
GS
= –2.5 V
–1
–1
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
–5
脉冲测试
–4
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
10
5
脉冲测试
2
1
V
GS
= –4 V
0.5
–10 V
–3
–2
I
D
= –5 A
–1
–2 A
–1 A
0
–4
–8
–12
–16
–20
0.2
0.1
–0.1
0
–0.3
–1
–3
–10
–30
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第3页8
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
2.0
脉冲测试
1.6
–2 A
I
D
= –4 A
V
GS
= –4 V
–1 A
0.4
–10 V
0
–40
0
40
–1 A, –2 A
80
120
–5 A
160
10
5
TC = -25°C
2
25°C
1
0.5
0.2
V
DS
= –10 V
脉冲测试
0.1
–0.1
–0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
75°C
1.2
0.8
外壳温度
TC （ ℃）
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
体漏二极管的反向
恢复时间
100
反向恢复时间trr （ NS ）
脉冲测试
500
电容C （PF ）
200
100
50
20
10
5
2 V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1
0
–10
西塞
50
科斯
CRSS
20
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
–20
–30
–40
–50
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
–20
–4
开关时间t（ NS ）
V
DD
= –10 V
–25 V
–50 V
V
GS
(V)
0
I
D
= –5 A
0
100
50
TD （关闭）
tf
20
10
5
TD （上）
漏源极电压
–40
V
DS
–60
V
GS
–80
V
DD
= –50 V
–25 V
–10 V
–8
–12
栅极至源极电压
tr
–16
2
1
–0.1 –0.2
–100
0
4
8
12
16
–20
20
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
税
≤
1 %
–0.5
–1
–2
–5
–10
栅极电荷
QG （ NC ）
漏电流
I
D
(A)
Rev.3.00 2005年9月7日第4页8
2SJ527 （L） 2SJ527 （S）
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–5
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
2.5
I
AP
= –5 A
V
DD
= –25 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
DR
(A)
–4
–10 V
–5 V
–2
V
GS
= 0 V
2.0
–3
1.5
1.0
–1
脉冲测试
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
0.5
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压
V
SD
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
θch
- C （T ） =
γ
S（ T）
θch
– c
θch
- C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
PW
T
1m
10 m
100 m
1
10
D=
PW
T
0.03
1
0.0
脉冲
t
ho
1s
100
0.01
10
脉冲宽度PW （S ）
雪崩测试电路
雪崩波形
1
L I
AP2
2
V
DSS
V
DSS
– V
DD
V
（ BR ） DSS
I
AP
V
DD
I
D
V
DS
V
DS
MONITOR
L
I
AP
MONITOR
E
AR
=
Rg
D.U.T
VIN
–15 V
50
V
DD
0
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