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2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0866-0300

Rev.3.00

2006年6月5日

描述

高速电源开关

特点

低导通电阻

DS （ ON）

= 25毫欧（典型值）。

4 V栅极驱动装置。

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

1.门

2.漏

3.源

4.漏

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

Rev.3.00 2006年6月5日第1页7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

2.价值在Tc = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）注1

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

–30

±20

–30

–120

–30

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

DSS

GSS

GS （关闭）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

民

–30

±20

—

–1.0

—

典型值

—

1700

950

260

290

170

130

–1.1

最大

—

–10

±10

–2.0

—

单位

测试条件

= -10毫安，V

= 0

±100 A,

= 0

= –30 V, V

= 0

±16

V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

= -15 A，V

= –10 V

注3

= -15 A，V

= –4 V

注3

= -15 A，V

= –10 V

注3

= –10 V

= 0

F = 1 MHz的

= –10 V

= –15 A

= 0.67

= -30 A，V

= 0

= -30 A，V

= 0

/ DT = 50 A / μs的

Rev.3.00 2006年6月5日第2 7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

主要特点

功率与温度降额

100

最高安全工作区

–500

–300

P沟（W）的

(A)

–100

)

°C

TIO

散热通道

–30

漏电流

–10

–3

–1

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

100

150

200

TA = 25°C

–0.5

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

–50

–10 V –6 V

脉冲测试

–50

典型的传输特性

(A)

–40

–3.5 V

(A)

–5 V

–4.5 V

–4 V

TC = -25°C

–40

25°C

–30

–3 V

75°C

–30

漏电流

–20

= –2.5 V

–20

–10

= –10 V

脉冲测试

–2

–4

–6

–8

–10

–1

–2

–3

–4

–5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

–1.0

脉冲测试

–0.8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

0.2

0.1

0.05

= –4 V

–0.6

= –20 A

–0.4

–10 A

–0.2

–5 A

0.02

0.01

–1

–10 V

–4

–8

–12

–16

–20

–2

–5

–10

–20

–50

栅极至源极电压

(V)

漏电流

(A)

Rev.3.00 2006年6月5日第3页7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

0.10

脉冲测试

0.08

= –20 A

0.06

= –4 V

0.04

–5 A, –10 A, –20 A

–10 V

–40

120

160

–5 A, –10 A

TC = -25°C

0.5

0.2

0.1

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

= –10 V

脉冲测试

–5 –10 –20 –50

75°C

25°C

0.02

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

5000

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

的di / dt = 50A /

= 0 ， TA = 25℃

–5 –10 –20 –50

电容C （PF ）

2000

1000

500

西塞

科斯

CRSS

200

100

= 0

F = 1 MHz的

–4

–8

–12

–16

–20

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

反向漏电流

(A)

漏极至源极电压V

(V)

动态输入特性

开关特性

(V)

–10

–4

开关时间t（ NS ）

= –5 V

–10 V

–25 V

= –30 A

(V)

1000

500

TD （关闭）

200

100

TD （上）

= –10 V, V

= –10 V

税

≤

1 %

–5 –10 –20

–50

漏源极电压

–20

= –25 V

–10 V

–5 V

–8

–30

–12

–40

–16

–50

–20

栅极至源极电压

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

(A)

Rev.3.00 2006年6月5日第4 7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–50

反向漏电流I

(A)

脉冲测试

–40

–

10 V

–30

–

5 V

–20

= 0, 5 V

–10

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

θch

- C （T ） =

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 2.5 ° C / W ，TC = 25°C

LSE

0.03

0.0

0.01

100

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

VOUT

MONITOR

10%

波形

90%

VIN

–10 V

= –10 V

VOUT

TD （上）

10%

TD （关闭）

10%

Rev.3.00 2006年6月5日第5 7