【2SJ479 （L） 2SJ479 （S）硅P沟道MOS场效应晶体管REJ03G0866-0300R】,IC型号2SJ479L,2SJ479L PDF资料,2SJ479L经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0866-0300

Rev.3.00

2006年6月5日

描述

高速电源开关

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 25毫欧（典型值）。

4 V栅极驱动装置。

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A

（包名称： LDPAK （ L））

4

1.门

2.漏

3.源

4.漏

瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B

（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ））

D

G

1

2

3

S

2

3

Rev.3.00 2006年6月5日第1页7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）注1

I

DR

PCH

注2

总胆固醇

TSTG

价值

–30

±20

–30

–120

–30

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏极至源极通态电阻

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （关闭）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

–30

±20

—

–1.0

—

12

—

典型值

—

25

40

20

1700

950

260

20

290

170

130

–1.1

70

最大

—

–10

±10

–2.0

35

60

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

I

D

= -1毫安，V

DS

= –10 V

I

D

= -15 A，V

GS

= –10 V

注3

I

D

= -15 A，V

GS

= –4 V

注3

I

D

= -15 A，V

DS

= –10 V

注3

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= –10 V

I

D

= –15 A

R

L

= 0.67

I

F

= -30 A，V

GS

= 0

I

F

= -30 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A / μs的

Rev.3.00 2006年6月5日第2 7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

主要特点

功率与温度降额

100

最高安全工作区

–500

–300

P沟（W）的

I

D

(A)

10

s

75

–100

)

s

ot

°C

0

sh

s

25

1

10

m

s(

c=

1

m

(T

n

10

TIO

=

ra

pe

O

PW

散热通道

–30

漏电流

DC

50

–10

–3

–1

25

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

0

50

100

150

200

TA = 25°C

–0.5

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

V

DS

(V)

典型的输出特性

–50

–10 V –6 V

脉冲测试

–50

典型的传输特性

I

D

(A)

–40

–3.5 V

I

D

(A)

–5 V

–4.5 V

–4 V

TC = -25°C

–40

25°C

–30

–3 V

75°C

–30

漏电流

–20

V

GS

= –2.5 V

–20

–10

V

DS

= –10 V

脉冲测试

0

–2

–4

–6

–8

–10

0

–1

–2

–3

–4

–5

漏源极电压

V

DS

(V)

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

–1.0

脉冲测试

–0.8

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.5

脉冲测试

0.2

0.1

0.05

V

GS

= –4 V

–0.6

I

D

= –20 A

–0.4

–10 A

–0.2

–5 A

0.02

0.01

–1

–10 V

0

–4

–8

–12

–16

–20

–2

–5

–10

–20

–50

栅极至源极电压

V

GS

(V)

漏电流

I

D

(A)

Rev.3.00 2006年6月5日第3页7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.10

脉冲测试

0.08

I

D

= –20 A

0.06

V

GS

= –4 V

0.04

–5 A, –10 A, –20 A

–10 V

0

–40

0

40

80

120

160

–5 A, –10 A

50

20

TC = -25°C

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–5 –10 –20 –50

75°C

25°C

0.02

外壳温度

TC （ ℃）

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

10000

5000

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

50

20

10

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

–5 –10 –20 –50

电容C （PF ）

2000

1000

500

西塞

科斯

CRSS

200

100

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

–4

–8

–12

–16

–20

5

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

反向漏电流

I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

开关特性

V

DS

(V)

–10

–4

开关时间t（ NS ）

V

DD

= –5 V

–10 V

–25 V

I

D

= –30 A

V

GS

(V)

0

1000

500

TD （关闭）

200

100

50

20

10

tr

TD （上）

V

GS

= –10 V, V

DD

= –10 V

税

≤

1 %

–5 –10 –20

–50

tf

漏源极电压

–20

V

DS

V

DD

= –25 V

–10 V

–5 V

V

GS

–8

–30

–12

–40

–16

–50

0

16

32

48

64

–20

80

栅极至源极电压

5

–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

栅极电荷

QG （ NC ）

漏电流

I

D

(A)

Rev.3.00 2006年6月5日第4 7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

–50

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

–40

–

10 V

–30

–

5 V

–20

V

GS

= 0, 5 V

–10

0

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

θch

- C （T ） =

γ

S（ T）

θch

– c

θch

- C = 2.5 ° C / W ，TC = 25°C

P

DM

u

tp

LSE

D=

PW

T

0.03

PW

T

1

0.0

1s

ho

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

VIN

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

VOUT

MONITOR

10%

波形

90%

VIN

–10 V

50

V

DD

= –10 V

VOUT

TD （上）

10%

tr

TD （关闭）

10%

tf

Rev.3.00 2006年6月5日第5 7

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

硅P通道DV -L MOS FET

高速电源开关

ADE-208-541

1日。版

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 25毫欧（典型值）。

4V栅极驱动装置。

高速开关

概要

LDPAK

4

D

1

2

3

G

2

3

1.门

2.漏

3.源

4.漏

S

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

–30

±20

–30

–120

–30

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

零门voltege漏

当前

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

I

GSS

民

–30

±20

—

–1.0

—

12

—

典型值

—

25

40

20

1700

950

260

20

290

170

130

–1.1

70

最大

—

–10

±10

–2.0

35

60

—

单位

V

A

V

m

S

pF

ns

V

ns

I

F

= -30A ，V

GS

= 0

I

F

= -30A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

测试条件

I

D

= -10mA ，V

GS

= 0

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0

V

DS

= –30 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±16V,

V

DS

= 0

I

D

= -1mA ，V

DS

= –10V

I

D

= -15A ，V

GS

= –10V

Note3

I

D

= -15A ，V

GS

= –4V

Note3

I

D

= -15A ，V

DS

= –10V

Note3

V

DS

= –10V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= -10V ，我

D

= –15A

R

L

= 0.67

门源截止电压V

GS （ OFF ）

静态漏源状态R

DS （ ON）

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

反向传输电容的Crss

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

见2SJ471的特性曲线

3

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

主要特点

功率与温度降额

100

通道耗散P沟（W）的

–500

–200

最高可安全工作区

漏电流I

D

(A)

10

s

0

10

PW

C

D

O

75

–100

–50

–20

–10

–5

–2

–1

–0.5

=

1

10

m

s

ho

m

50

s

(1

s

=

25

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

TA = 25

°C

n

TIO

ra

pe

t)

(T

c

25

°

C

)

0

50

100

150

200

壳温度（ ° C）

–3

–0.1 –0.3

–1

–10 –30 –100

漏极至源极电压V

DS

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

归瞬态Thermao阻抗

γ

秒（ t）的

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

S（ T）

θ

CH - C

θ

CH - C = 2.5

° C / W ，

TC = 25

°C

PDM

PW

T

0.03

0.02

1

LSE

0.0

吨PU

ho

1s

D=

PW

T

0.01

10

100

1m

10 m

脉冲宽度PW （S ）

100 m

1

10

4

2SJ479 （L） 2SJ479 （S）

开关踢门测试电路

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

90%

VIN

10 V

50

V

DD

= –10 V

VOUT

TD （上）

90%

10%

tr

TD （关闭）

90%

10%

t

f

VOUT

MONITOR

VIN

10%

波形

5