2SJ464
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（长
2
-π - MOSV ）
2SJ464
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 64毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 15 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
100
V)
增强型： V
th
=
0.8
to
2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
100
100
±20
18
72
45
937
18
4.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.56 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 18
A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2009-09-29
2SJ464
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
GS
10
V
4.7
Ω
0V
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±16
V, V
DS
=
0 V
V
DS
= 100
V, V
GS
=
0 V
I
D
= 10
毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
= 10
V，I
D
= 1
mA
V
GS
= 10
V，I
D
= 9
A
V
GS
= 4
V，I
D
= 9
A
V
DS
= 10
V，I
D
= 9
A
民
100
0.8
7
V
OUT
45
ns
25
典型值。
64
85
15
2900
480
1000
25
最大
±10
100
2.0
90
120
单位
μA
μA
V
V
mΩ
S
pF
pF
pF
I
D
= 9
A
R
L
=
5.55
Ω
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
t
f
V
DD
50
V
打开-O FF时间
总栅极电荷
（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
170
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
80
V, V
GS
= 10
V，I
D
= 18
A
140
90
50
nC
nC
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
= 18
A，V
GS
=
0 V
I
DR
= 18
A，V
GS
=
0 V
dI
DR
/ DT
=
50 A / μs的
民
典型值。
220
0.97
最大
18
72
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
J464
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
2
2009-09-29
2SJ464
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS类型（长
2
-π - MOSV ）
2SJ464
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
4 -V栅极驱动
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 64毫欧（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 15 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100 μA
（最大值） （Ⅴ
DS
=
100
V)
增强型： V
th
=
0.8~2.0
V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
100
100
±20
18
72
45
937
18
4.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 50
V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.56 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
= 18
A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-16
QQ：2881677436 复制
