【订购数量： ENN6396P沟道MOSFET硅2SJ339超高速开关应用特点·低导通电阻。·超高速开】,IC型号2SJ339,2SJ339 PDF资料,2SJ339经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENN6396

P沟道MOSFET硅

2SJ339

超高速开关应用

特点

·低导通电阻。

·超高速开关。

· 4V的驱动器。

· Micaless便利包安装。

包装尺寸

单位：mm

2063A

[2SJ339]

10.0

3.2

4.5

2.8

3.5

7.2

16.0

18.1

5.6

14.0

1.6

1.2

0.75

1 2

2.55

2.4

0.7

2.55

2.4

1 ：门

2 ：排水

3 ：源

三洋： TO- 220ML

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在Ta = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

Tc=25C

2.55

条件

评级

–60

±20

–25

–100

150

-55到+150

单位

电气特性

在Ta = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

栅极 - 源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

符号

V（ BR ） DSS

V（ BR ） GSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

| YFS |

RDS （ ON）

ID = -1mA ， VGS = 0

IG = ± 100μA ， VDS = 0

VDS = -60V ， VGS = 0

VGS = ± 16V ， VDS = 0

VDS = -10V ，ID = -1mA

VDS = -10V ，ID = -15A

ID = -15A ， VGS = -10V

ID = -15A ， VGS = -4V

–1.0

条件

评级

民

–60

±20

–100

±10

–2.0

典型值

最大

单位

接下页。

描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理

适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的

控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的

物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的

描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。

三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则

超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他

在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含

在本文中。

三洋电机有限公司。半导体公司

东京办事处东京大厦。， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN

30300TS （ KOTO ） TA- 2177 No.6396-1 / 4

2SJ339

从接下页。

参数

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

二极管的正向电压

符号

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

VSD

VDS = -20V ， F = 1MHz的

请参阅特定网络版测试电路

IS = -25A ， VGS = 0

条件

评级

民

典型值

3800

1200

300

150

450

220

–1.0

–1.5

最大

单位

开关时间测试电路

VDD=--30V

VIN

--10V

VIN

PW=10s

D.C.≤1%

ID=--15A

RL=2

VOUT

P.G

--50

ID - VDS

5.0V

S =--

--50

ID - VGS

VDS=--10V

25°C

--4

--1

--2

--3

--40

漏电流，我

– A

--3.5V

漏电流，我

– A

--4.5V

--30

--20

--3.0V

--20

--10

--2.5V

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

--9

--10

--5

--6

IT00662

漏极至源极电压，V

– V

100

fs - ID

IT00661

栅极 - 源极电压，V

– V

RDS （ ON） - VGS

Tc=25°C

ID=--15A

正向转移导纳， | YFS | - S

VDS=--10V

静态漏 - 源

通态电阻，R

DS （ ON）

– m

-25

c=-

25°C

1.0

7 --1.0

7 --10

7 --100

--2

--4

--6

TC = -

--8

--10

--12

--14

漏电流，我

– A

IT00663

栅极 - 源极电压，V

– V

IT00664

No.6396–2/4

2SJ339

RDS （ ON） - 锝

10000

西塞，科斯，的Crss - VDS

f=1MHz

静态漏 - 源

通态电阻，R

DS （ ON）

– m

西塞，科斯，的Crss - pF的

=--

=--1

， VG

--1

I D =

1000

100

西塞

科斯

CRSS

--80

--40

120

160

IT00665

--5

--10

--15

--20

--25

--30

IT00666

外壳温度，TC - C

1000

100

--1.0

--10

漏极至源极电压，V

– V

SW时间 - ID

VDD=--30V

VGS=--10V

TD （关闭）

漏电流，我

– A

ASO

IDP=--100A

切换时间， SW时间 - NS

--100

--10

--1.0

ID=--25A

TD （上）

操作

这个区域是

受限于RDS （ ON）。

ERA

TIO

Tc=25°C

单脉冲

7 --1.0

漏电流，我

– A

2.4

IT00667

漏极至源极电压，V

– V

--10

7--100

IT00668

PD - TA

允许功耗，P

– W

PD - 锝

允许功耗，P

– W

2.0

1.6

1.2

罪

0.8

0.4

100

120

140

160

100

120

140

160

环境温度TA - C

IT00669

外壳温度，TC - C

IT00670

No.6396–3/4

2SJ339

任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，

特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证

的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的

产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，

客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。

三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有

半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能

事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，

或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，

确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性

电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。

在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述

此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，

这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照

有关在按照上述规律。

本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或

机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，

或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，

任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化

产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"

为SANYO产品，你打算使用。

本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是

为保证批量生产。 SANYO的任何信息都是准确可靠，但

无担保就其使用或知识产权侵犯任何提出或暗示的

第三方或其他权利。

该目录规定的3月， 2000年规范和信息此处如有

更改，恕不另行通知。

PS No.6396-4 / 4