【2SJ322硅P沟道MOS场效应管1996年11月应用高速电源开关特点低导通电阻高速开关低驱动电流4】,IC型号2SJ322,2SJ322 PDF资料,2SJ322经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ322

硅P沟道MOS场效应管

1996年11月

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动

适合于开关稳压器， DC-DC变换器

雪崩额定值

概要

TO-220CFM

1.门

2.漏

3.源

2SJ322

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10微秒，占空比

≤

2.价值在T

= 25°C

3.价值在总胆固醇= 25°C ， RG

≥

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

评级

–60

±20

–20

–80

–20

单位

°C

总胆固醇

PCH *

150

-55到+150

TSTG

2SJ322

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号最小值

（ BR ） DSS

（ BR ） GSS

GSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

–60

±20

—

–1.0

—

典型值

—

0.05

0.07

2200

1000

300

130

320

210

–1.1

160

最大

—

±10

–250

–2.25

0.065

0.095

—

单位

= -20 A，V

= 0

= -20 A，V

= 0,

/ DT = 50 A / μs的

= -10 A，V

= –10 V,

= 3

测试条件

= -10毫安，V

= 0

= -100 μA ，V

= 0

= ±16 V, V

= 0

= –50 V, V

= 0

= -1毫安，V

= –10 V

= -10 A，V

= –10 V*

= -10 A，V

= –4 V*

= –10 V, V

= 0,

F = 1 MHz的

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

= -10 A，V

= –10 V*

见2SJ291的特性曲线

2SJ322

功率与温度降额

P沟（W）的

散热通道

100

150

TC （ ℃）

200

外壳温度

–200

–100

(A)

–50

–20

–10

–5

–2

–1

–0.5

最高安全工作区

漏电流

TIO

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

ERA

5°

TA = 25℃

–0.2

–1 –2

–5 –10 –20

–50 –100

漏极至源极电压V

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

秒（ t）的

TC = 25°C

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

CH - C （ T） =

S（ T）

CH - C

CH - C = 3.57 ° C / W ，TC = 25°C

PDM

0.03

0.02

0.0

ULS

0.01

100

10 m

脉冲宽度

100 m

PW （S ）

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