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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第643页 > 2SJ287
SMD型
P沟道MOS场效应管硅
2SJ287
SOT-89
MOSFET
单位：mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
低导通电阻
非常高速的开关
低电压驱动
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极至源极电压V
GS
=0
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S;
1%.
V
DS
=0
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-30
15
-500
-2
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
mA
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
GS
=
12V,V
DS
=0
-1.0
240
400
1.5
2.2
50
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
35
10
7
V
DD
=-15V,I
D
= - 250毫安
L
=60
10
35
20
2.2
3.3
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
-100
10
-2.0
单位
A
A
V
ms
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-10V,I
D
=-250mA
V
GS
=-10V,I
D
=-250mA
V
GS
=-4V,I
D
=-250mA
记号
记号
JD
www.kexin.com.cn
1
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2322252
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）
联系人：张小姐
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