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2SJ278
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0856-0200
(上一个: ADE- 208-1190 )
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以从5 V电源驱动
适合于开关稳压器, DC-DC变换器
概要
瑞萨封装代码: PLZZ0004CA -A
(包名称: UPAK
R
)
D
3
2
1
G
4
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
注:标记是“我” 。
* UPAK是瑞萨科技公司的商标。
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SJ278
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(脉冲)
I
DR
注1
价值
–60
±20
–1
–4
–1
1
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
PCH
总胆固醇
注2
储存温度
TSTG
注意事项: 1, PW
10
s,
占空比
1%
2.价值的氧化铝陶瓷板( 12.5
×
20
×
0.7 mm)
电气特性
( TA = 25°C )
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏极至源极通态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复时间
注意:
3.脉冲测试
符号
V
( BR ) DSS
V
( BR ) GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS (关闭)
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DF
t
rr
–60
±20
–1.0
0.6
典型值
0.7
0.9
1.0
160
80
28
7
8
30
25
–1.1
90
最大
±5
–10
–2.25
0.83
1.2
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= -10毫安,V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安,V
DS
= –10 V
I
D
= -0.5 A,V
GS
= –10 V
注3
I
D
= -0.5 A,V
GS
= –4 V
I
D
= -0.5 A,V
DS
= –10 V
V
DS
= –10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= –0.5 A
V
GS
= –10 V
R
L
= 60
I
F
= -1 A,V
GS
= 0
I
F
= -1 A,V
GS
= 0
di
F
/ DT = 50 A / μs的
注3
注3
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SJ278
主要特点
功率与温度降额
2.0
最高安全工作区
–5
–3
10
s
通道耗散P沟(W)的
(在氧化铝陶瓷基板)
I
D
(A)
1.5
–1
–0.3
)
ot
s
sh
0
10毫秒秒( 1
n
io
m
at
1
PW
=
10
漏电流
C
D
1.0
r
pe
O
–0.1
–0.03
–0.01
操作
这个区域是
限于由R
DS ( ON)
0.5
0
0
50
100
150
200
TA = 25°C
–0.005
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
环境温度
的Ta (℃)
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–2.0
–10 V
–6 V
–4 V
–1.0
脉冲测试
–3 V
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
脉冲测试
I
D
(A)
–1.6
I
D
(A)
漏电流
–0.8
–1.2
–0.6
TC = 75℃
–0.4
25°C
–0.2
–25°C
漏电流
–0.8
–2.5 V
–0.4
V
GS
= –2 V
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
0
0
–1
–2
–3
–4
–5
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS ( ON)
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
–0.8
I
D
= –1 A
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
()
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= –4 V
–1.0
–0.6
–10 V
–0.4
–0.5 A
0.2
0.1
0.05
–0.05 –0.1 –0.2
–0.2
–0.2 A
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–0.5
–1
–2
–5
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SJ278
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳主场迎战
漏电流
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
()
2.0
脉冲测试
1.6
–0.5 A, –0.2 A
1.2
V
GS
= –4 V
–1 A
0.8
–0.5 A, –0.2 A
–10 V
0.4
I
D
= –1 A
5
2
TC = -25°C
1
25°C
0.5
75°C
0.2
0.1
0.05
–0.01 –0.02
V
DS
= –10 V
脉冲测试
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1
0
–40
0
40
80
120
160
外壳温度
TC ( ℃)
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
1000
300
西塞
100
科斯
30
CRSS
10
3
1
体漏二极管的反向
恢复时间
500
反向恢复时间trr ( NS )
100
50
20
10
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 ,税
1 %
–0.5
–1
–2
电容C (PF )
200
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
–10
–20
–30
–40
–50
5
–0.02 –0.05 –0.1 –0.2
反向漏电流
I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
开关特性
V
DS
(V)
V
GS
(V)
0
–20
–4
开关时间t( NS )
V
DD
= –10 V
–25 V
–40 V
0
500
V
GS
= –10 V, V
DD
= –30 V
PW = 2
s,
1 %
200
100
50
TD (关闭)
tf
漏源极电压
–40
V
DS
V
DD
= –10 V
–25 V
–40 V
I
D
= –1 A
–8
V
GS
–12
–60
栅极至源极电压
20
10
TD (上)
–0.05 –0.1 –0.2
tr
–80
–16
–100
0
4
8
12
16
–20
20
5
–0.01 –0.02
–0.5
–1
栅极电荷
QG ( NC )
漏电流
I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SJ278
反向漏电流 -
源极到漏极电压
–1.0
反向漏电流I
DR
(A)
脉冲测试
–0.8
10 V
–0.6
5 V
–0.4
–0.2
V
GS
= 0, 5 V
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
开关时间测试电路
VIN
输入电压监视器
D.U.T.
R
L
VOUT
MONITOR
10%
波形
90%
90%
90%
VIN
–10 V
50
V
DD
= –30 V
VOUT
TD (上)
10%
tr
TD (关闭)
10%
tf
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
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