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SMD型
MOS田间效应晶体管
2SJ211
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
直接通过具有5V POER电源IC驱动。
不必考虑，因为驱动电流
它的高输入阻抗。
可以通过省略biasresistor减少部件的数量。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极至源极电压V
GS
=0
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲） *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10毫秒;
50%.
V
DS
=0
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-100
20
200
400
200
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-100V,V
GS
=0
V
GS
=
20V,V
DS
=0
A
-1.4
20
-1.8
45
15
11
27
V
DS
=-5.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
16
2
110
V
GS （ ON）
=-4V,R
G
=10
10毫安
L
=500
,V
DD
=-5V,I
D
=-
150
160
150
30
20
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
典型值
最大
-10
10
-2.4
单位
A
A
V
ms
V
GS （ OFF ）
V
DS
=-5.0V,I
D
=-1
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-5.0V,I
D
=-10mA
V
GS
=-4.0V,I
D
=-10mA
V
GS
=-10V,I
D
=-10mA
记号
记号
H18
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SJ211
    -
    -
    -
    -
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2SJ211
RENESAS/瑞萨
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SOT23-3
全新原装15818663367
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2SJ211
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SOT-23
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联系人：朱
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2SJ211
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