【2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162硅P沟道MOS场效应晶体管REJ03G0847-02】,IC型号2SJ160,2SJ160 PDF资料,2SJ160经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

硅P沟道MOS场效应晶体管

REJ03G0847-0200

（上一个： ADE- 208-1182 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

描述

低频功率放大器

互补配对2SK1056 ， 2SK1057与2SK1058

特点

良好的频率特性

高速开关

安全运行的广域

增强型

良好的互补特性

配备了栅极保护二极管

适用于音频功率放大器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A

（包名称： TO- 3P ）

1.门

2.源（法兰）

3.排水

Rev.2.00 2005年9月7日第1页5

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SJ160

2SJ161

2SJ162

栅极至源极电压

漏电流

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.价值在Tc = 25℃

GSS

注1

PCH

总胆固醇

TSTG

符号

DSX

价值

–120

–140

–160

±15

–7

100

150

-55到+150

°C

单位

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

2SJ160

2SJ161

2SJ162

（ BR ） GSS

GS （关闭）

DS （SAT）

西塞

科斯

CRSS

关闭

符号

（ BR ） DSX

民

–120

–140

–160

±15

–0.15

—

0.7

—

典型值

—

1.0

900

400

230

110

最大

—

–1.45

–12

1.4

—

单位

±100 A,

= 0

= -100毫安，V

= –10 V

= -7 A ，V

= 0

注2

= -3 A ，V

= –10 V

= 5 V, V

= –10 V,

F = 1 MHz的

= -20 V I

= –4 A

注2

测试条件

= -10毫安，V

= 10 V

栅源击穿电压

门源截止电压

漏极至源极饱和电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

注意：

2.脉冲测试

Rev.2.00 2005年9月7日第2页5

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

主要特点

功率与温度降额

150

–20

-10我最大（连续）

–5

(–14.3 V,

–7 A)

最高安全工作区

TA = 25°C

P沟（W）的

(A)

)

SH 5℃

S（ C =

0 N （T

=比

PW Ope宇宙

100

散热通道

漏电流

–2

–1

–0.5

（ -120 V， -0.83 A）

（ -140 V， -0.71 A）

（ -160 V， -0.63 A）

2SJ160

2SJ161

2SJ162

100

150

–0.2

–5

–10 –20

–50 –100 –200

–500

外壳温度

TC （ ℃）

漏源极电压

(V)

典型的输出特性

–10

–9

TC = 25°C

–1.0

典型的传输特性

= –10 V

(A)

–8

–7

(A)

–0.8

TC = -25°C

–0.6

25°C

–0.4

75°C

–6

漏电流

–5

–4

–3

–2

PCH

00 W

–1 V

漏电流

–6

–2

= 0

–0.2

–10

–20

–30

–40

–50

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

–2.0

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

漏极至源极饱和电压V

DS （SAT）

(V)

漏极至源极饱和电压与

漏电流

漏极至源极电压 -

栅极至源极电压

DS （ ON）

(V)

–10

75°C

–5

25°C

–10

脉冲测试

–8

漏源极电压

–2

TC = -25°C

–1

–0.5

–6

–5 A

–4

–2 A

= –1 A

–2

–4

–6

–8

–10

–2

–0.2

= 0 V

–0.1

–0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

–10

漏电流

(A)

栅极至源极电压

(V)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页5

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

输入电容与

栅极至源极电压

正向转移导纳主场迎战

频率

正向转移导纳| YFS | （ S）

1000

0.3

0.1

0.03

0.01

TC = 25°C

= –10 V

= –2 A

100 k 300 k

10 M

输入电容西塞（PF ）

500

200

= –10 V

F = 1 MHz的

100

0.003

10 k 30 k

栅极至源极电压V

(V)

频率f（赫兹）

开关时间与漏电流

500

开关时间t

, t

关闭

（纳秒）

200

100

吨

花花公子

–0.1 –0.2

–0.5

–1

–2

–5

–10

漏电流

(A)

开关时间测试电路

产量

10%

输入

吨

–20 V

PW = 50

占空比= 1％

产量

波形

90%

花花公子

90%

10%

Rev.2.00 2005年9月7日第4

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

包装尺寸

JEITA封装代码

SC-65

瑞萨代码

PRSS0004ZE-A

包名称

TO-3P / TO- 3PV

质量[典型值]

5.0g

5.0 ± 0.3

单位：mm

4.8 ± 0.2

1.5

15.6 ± 0.3

0.5

1.0

3.2 ± 0.2

14.9 ± 0.2

19.9 ± 0.2

1.6

1.4最大

2.0

2.8

2.0

1.0 ± 0.2

3.6

0.9

1.0

18.0 ± 0.5

0.6 ± 0.2

5.45 ± 0.5

订购信息

部件名称

2SJ160-E

2SJ161-E

360个

QUANTITY

箱（管）

中海集装箱

2SJ162-E

360个

箱（管）

注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态

订购产品之前生产。

Rev.2.00 2005年9月7日第5

0.3

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

硅P沟道MOS场效应管

应用

低频功率放大器

互补配对2SK1056 ， 2SK1057与2SK1058

特点

良好的频率特性

高速开关

安全运行的广域

增强型

良好的互补特性

配备了栅极保护二极管

适用于音频功率放大器

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

概要

TO-3P

1.门

2.源

（法兰）

3.排水

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SJ160

2SJ161

2SJ162

栅极至源极电压

漏电流

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C

GSS

PCH *

总胆固醇

TSTG

符号

DSX

评级

–120

–140

–160

±15

–7

100

150

-55到+150

°C

单位

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

2SJ160

2SJ161

2SJ162

栅源击穿

电压

门源截止电压

漏极至源极饱和

电压

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

开启时间

打开-O FF时间

注意：

1.脉冲测试

（ BR ） GSS

GS （ OFF ）

DS （ SAT ）

西塞

科斯

CRSS

关闭

符号最小值

（ BR ） DSX

–120

–140

–160

±15

–0.15

—

0.7

—

典型值

—

1.0

900

400

230

110

最大

—

–1.45

–12

1.4

—

单位

= -20 V，I

= –4 A

±100 A,

= 0

= -100毫安，V

= –10 V

= -7 A ，V

= 0*

= -3 A ，V

= –10 V*

= 5 V, V

= –10V,

F = 1 MHz的

测试条件

= -10毫安，V

= 10 V

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

功率与温度降额

150

通道耗散P沟（W）的

–20

TA = 25°C

–10

漏电流I

(A)

100

MAX（连续）

(–14.3 V,

–5

–7 A)

–2

最高安全工作区

TIO

OT ）

)

°C

–1.0

–0.5

（ -120 V， -0.83 A）

)

（ -140 V， -0.71 A）

（ -160 V， -0.63 A）

2SJ160

2SJ161

2SJ162

100

案例温度T

(°C)

150

–0.2

–5

–10 –20

–50 –100 –200 –500

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

–10

= 25°C

–1.0

–0.8

漏电流I

(A)

典型的传输特性

°C

漏电流I

(A)

–8

–7

–6

–5

–0.6

–4

–3

PCH

–0.4

= 10

–2

–1 V

= 0

–0.2

–10

–30

–40

–20

–50

漏极至源极电压V

(V)

–0.4

–1.2

–1.6

–2.0

–0.8

栅极至源极电压V

(V)

=–

–8

–9

= –10 V

2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162

漏极至源极饱和电压V

DS （SAT）

(V)

漏极至源极饱和电压

与漏电流

–10

–5

–8

漏极至源极电压V

(V)

= 0

漏极至源极电压 -

栅极至源极电压

–10

°C

=–

–6

–5

–2

–1.0

–0.5

–2

= –1 A

–5

–10

–2

–6

–8

–4

–10

栅极至源极电压V

(V)

–2

–4

–0.2

–0.1

–0.1 –0.2

–0.5 –1.0 –2

漏电流I

(A)

输入电容与

栅极至源极电压

正向转移导纳

yfs

(S)

1,000

3.0

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

10 k

= 25°C

= –10 V

= –2 A

30K的100多K 300K的1M的

频率f（赫兹）

输入电容西塞（PF ）

正向转移导纳

与频率的关系

500

200

= –10 V

F = 1 MHz的

100

栅极至源极电压V

(V)

10 M