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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第349页 > 2SJ130
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0847-0200
（上一个： ADE- 208-1182 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
低频功率放大器
互补配对2SK1056 ， 2SK1057与2SK1058
特点
良好的频率特性
高速开关
安全运行的广域
增强型
良好的互补特性
配备了栅极保护二极管
适用于音频功率放大器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.源（法兰）
3.排水
1
2
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
栅极至源极电压
漏电流
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1.价值在Tc = 25℃
V
GSS
I
D
I
DR
注1
PCH
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSX
价值
–120
–140
–160
±15
–7
–7
100
150
-55到+150
V
A
A
W
°C
°C
单位
V
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
V
（ BR ） GSS
V
GS （关闭）
V
DS （SAT）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
on
t
关闭
符号
V
（ BR ） DSX
民
–120
–140
–160
±15
–0.15
—
0.7
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
1.0
900
400
40
230
110
最大
—
—
—
—
–1.45
–12
1.4
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
I
D
= -100毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -7 A ，V
GS
= 0
注2
I
D
= -3 A ，V
DS
= –10 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= –10 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= -20 V I
D
= –4 A
注2
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 10 V
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极饱和电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
注意：
2.脉冲测试
Rev.2.00 2005年9月7日第2页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
主要特点
功率与温度降额
150
–20
-10我最大（连续）
D
–5
(–14.3 V,
–7 A)
最高安全工作区
TA = 25°C
P沟（W）的
I
D
(A)
)
ot
sh
1
s(
)
)
m
ot
SH 5℃
10
1
2
=
S（ C =
m
PW
0 N （T
10
=比
PW Ope宇宙
DC
100
散热通道
漏电流
–2
–1
–0.5
50
（ -120 V， -0.83 A）
（ -140 V， -0.71 A）
（ -160 V， -0.63 A）
2SJ160
2SJ161
2SJ162
0
0
50
100
150
–0.2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
–500
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–9
TC = 25°C
–1.0
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
I
D
(A)
–8
–8
–7
I
D
(A)
–0.8
TC = -25°C
–0.6
25°C
–0.4
75°C
–6
漏电流
–5
–4
–4
–3
–2
PCH
=1
00 W
–1 V
漏电流
–6
–2
V
GS
= 0
–0.2
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （SAT）
(V)
漏极至源极饱和电压与
漏电流
漏极至源极电压 -
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
(V)
–10
75°C
–5
25°C
–10
脉冲测试
–8
漏源极电压
–2
TC = -25°C
–1
–0.5
–6
–5 A
–4
–2 A
I
D
= –1 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–0.2
V
GD
= 0 V
–0.1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
0
漏电流
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
输入电容与
栅极至源极电压
正向转移导纳主场迎战
频率
正向转移导纳| YFS | （ S）
1000
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
TC = 25°C
V
DS
= –10 V
I
D
= –2 A
100 k 300 k
1M
3M
10 M
输入电容西塞（PF ）
500
200
V
DS
= –10 V
F = 1 MHz的
100
0
2
4
6
8
10
0.003
10 k 30 k
栅极至源极电压V
GS
(V)
频率f（赫兹）
开关时间与漏电流
500
开关时间t
on
, t
关闭
（纳秒）
200
100
50
吨
花花公子
20
10
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
漏电流
I
D
(A)
开关时间测试电路
产量
10%
输入
R
L
输入
吨
–20 V
PW = 50
s
占空比= 1％
50
产量
波形
90%
花花公子
90%
10%
Rev.2.00 2005年9月7日第4
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-65
瑞萨代码
PRSS0004ZE-A
包名称
TO-3P / TO- 3PV
质量[典型值]
5.0g
5.0 ± 0.3
单位：mm
4.8 ± 0.2
1.5
15.6 ± 0.3
0.5
1.0
φ
3.2 ± 0.2
14.9 ± 0.2
19.9 ± 0.2
1.6
1.4最大
2.0
2.8
2.0
1.0 ± 0.2
3.6
0.9
1.0
18.0 ± 0.5
0.6 ± 0.2
5.45 ± 0.5
5.45 ± 0.5
订购信息
部件名称
2SJ160-E
2SJ161-E
360个
360个
QUANTITY
箱（管）
箱（管）
中海集装箱
2SJ162-E
360个
箱（管）
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年9月7日第5
0.3
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0847-0200
（上一个： ADE- 208-1182 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
低频功率放大器
互补配对2SK1056 ， 2SK1057与2SK1058
特点
良好的频率特性
高速开关
安全运行的广域
增强型
良好的互补特性
配备了栅极保护二极管
适用于音频功率放大器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.源（法兰）
3.排水
1
2
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
栅极至源极电压
漏电流
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1.价值在Tc = 25℃
V
GSS
I
D
I
DR
注1
PCH
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSX
价值
–120
–140
–160
±15
–7
–7
100
150
-55到+150
V
A
A
W
°C
°C
单位
V
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
V
（ BR ） GSS
V
GS （关闭）
V
DS （SAT）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
on
t
关闭
符号
V
（ BR ） DSX
民
–120
–140
–160
±15
–0.15
—
0.7
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
1.0
900
400
40
230
110
最大
—
—
—
—
–1.45
–12
1.4
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
I
D
= -100毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -7 A ，V
GS
= 0
注2
I
D
= -3 A ，V
DS
= –10 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= –10 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= -20 V I
D
= –4 A
注2
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 10 V
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极饱和电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
注意：
2.脉冲测试
Rev.2.00 2005年9月7日第2页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
主要特点
功率与温度降额
150
–20
-10我最大（连续）
D
–5
(–14.3 V,
–7 A)
最高安全工作区
TA = 25°C
P沟（W）的
I
D
(A)
)
ot
sh
1
s(
)
)
m
ot
SH 5℃
10
1
2
=
S（ C =
m
PW
0 N （T
10
=比
PW Ope宇宙
DC
100
散热通道
漏电流
–2
–1
–0.5
50
（ -120 V， -0.83 A）
（ -140 V， -0.71 A）
（ -160 V， -0.63 A）
2SJ160
2SJ161
2SJ162
0
0
50
100
150
–0.2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
–500
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–9
TC = 25°C
–1.0
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
I
D
(A)
–8
–8
–7
I
D
(A)
–0.8
TC = -25°C
–0.6
25°C
–0.4
75°C
–6
漏电流
–5
–4
–4
–3
–2
PCH
=1
00 W
–1 V
漏电流
–6
–2
V
GS
= 0
–0.2
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （SAT）
(V)
漏极至源极饱和电压与
漏电流
漏极至源极电压 -
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
(V)
–10
75°C
–5
25°C
–10
脉冲测试
–8
漏源极电压
–2
TC = -25°C
–1
–0.5
–6
–5 A
–4
–2 A
I
D
= –1 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–0.2
V
GD
= 0 V
–0.1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
0
漏电流
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
输入电容与
栅极至源极电压
正向转移导纳主场迎战
频率
正向转移导纳| YFS | （ S）
1000
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
TC = 25°C
V
DS
= –10 V
I
D
= –2 A
100 k 300 k
1M
3M
10 M
输入电容西塞（PF ）
500
200
V
DS
= –10 V
F = 1 MHz的
100
0
2
4
6
8
10
0.003
10 k 30 k
栅极至源极电压V
GS
(V)
频率f（赫兹）
开关时间与漏电流
500
开关时间t
on
, t
关闭
（纳秒）
200
100
50
吨
花花公子
20
10
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
漏电流
I
D
(A)
开关时间测试电路
产量
10%
输入
R
L
输入
吨
–20 V
PW = 50
s
占空比= 1％
50
产量
波形
90%
花花公子
90%
10%
Rev.2.00 2005年9月7日第4
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-65
瑞萨代码
PRSS0004ZE-A
包名称
TO-3P / TO- 3PV
质量[典型值]
5.0g
5.0 ± 0.3
单位：mm
4.8 ± 0.2
1.5
15.6 ± 0.3
0.5
1.0
φ
3.2 ± 0.2
14.9 ± 0.2
19.9 ± 0.2
1.6
1.4最大
2.0
2.8
2.0
1.0 ± 0.2
3.6
0.9
1.0
18.0 ± 0.5
0.6 ± 0.2
5.45 ± 0.5
5.45 ± 0.5
订购信息
部件名称
2SJ160-E
2SJ161-E
360个
360个
QUANTITY
箱（管）
箱（管）
中海集装箱
2SJ162-E
360个
箱（管）
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年9月7日第5
0.3
2SJ130 （L） 2SJ130 （S）
硅P沟道MOS场效应管
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器，DC-DC转换器和超声功率振荡器
概要
DPAK-1
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SJ130 （L） 2SJ130 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH *
1
总胆固醇
TSTG
评级
–300
±20
–1
–2
–1
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号最小值
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
–300
±20
—
—
–2.0
—
0.25
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
6.0
0.4
235
65
16
10
25
35
45
–0.9
200
最大
—
—
±10
–100
–4.0
8.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= -1 A，V
GS
= 0
I
F
= -1 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 50 A / μs的
I
D
= -0.5 A，V
GS
= –10 V,
R
L
= 60
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±16
V, V
DS
= 0
V
DS
= –240 V, V
GS
= 0
I
D
= -1毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -0.5 A，V
GS
= –10 V*
1
I
D
= -0.5 A，V
DS
= –20 V*
1
V
DS
= –10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
2
2SJ130 （L） 2SJ130 （S）
功率与温度降额
30
通道耗散P沟（W）的
–5
最高安全工作区
–2
漏电流I
D
(A)
20
–1.0
–0.5
D
C
PW
O
pe
=
ra
t
10
n
10
s
10
0
s
1
m
s
m
C
io
s
(T
(1
10
=
–0.2
–0.1
–0.05
–5
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
TA = 25°C
ot
25
)
°C
)
Sh
0
50
100
150
案例温度T
C
(°C)
–10 –20
–50 –100 –200 –500
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
–2.0
–15 V
–1.6
漏电流I
D
(A)
–7 V
–10 V
–6 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
–2.0
典型的传输特性
–25°C
–1.6
V
DS
= –20 V
脉冲测试
–1.2
T
C
= 25°C
75°C
–1.2
–0.8
–5 V
–0.8
–0.4
V
GS
= –4 V
–0.4
0
–10
–30
–40
–20
–50
漏极至源极电压V
DS
(V)
0
–2
–6
–8
–10
–4
栅极至源极电压V
GS
(V)
3
2SJ130 （L） 2SJ130 （S）
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
–20
50
20
V
GS
= –10 V
10
5
–15 V
2
1.0
0.5
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2
漏电流I
D
(A)
–5
脉冲测试
脉冲测试
–16
I
D
= –2 A
–12
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
–8
–1 A
–4
–0.5 A
0
–20
–4
–12
–16
–8
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
yfs
(S)
20
5
V
DS
= –20 V
脉冲测试
V
GS
= –10 V
脉冲测试
2
1.0
0.5
I
D
= –2 A
12
–1 A
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
与漏电流
16
–25°C
TA = 25°C
8
–0.5 A
4
0.2
0.1
75°C
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.05
–0.02
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0
漏电流I
D
(A)
–2
2SJ130 （L） 2SJ130 （S）
正向转移导纳
与频率的关系
正向转移导纳
yfs
(S)
5
T
C
= 25°C
V
DS
= –20 V
I
D
= –0.5 A
西塞
电容C （PF ）
100
科斯
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
1,000
典型的电容比。
漏源极电压
2
1
0.5
10
CRSS
0.2
0.1
0.05
0.2 M
0.5 M 1.0 M 2 M
5M
频率f（赫兹）
10 M 20 M
0
–20
–10
–30
–40
漏极至源极电压V
DS
(V)
–50
1
动态输入特性
0
栅极至源极电压V
GS
(V)
RDrain到源V
DS
(V)
V
DD
= –50V
–100 V
–200 V
50
开关时间t（ NS ）
t
D（关闭）
20
10
5
t
D（上）
t
r
t
f
–4
V
DD
= –200 V
–200
V
DS
–50 V
–12
V
GS
–400
I
D
= –1 A
–500
0
8
4
12
16
栅极电荷Qg （ NC ）
–20
20
–16
–100 V
–8
0
100
开关特性
–100
–300
V
GS
= –10 V
.
.
PW = 2
s
V
DD
= 30 V
2
值班< 1 ％
1
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5 –1.0 –2
漏电流I
D
(A)
–5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
硅P沟道MOS场效应晶体管
REJ03G0847-0200
（上一个： ADE- 208-1182 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
描述
低频功率放大器
互补配对2SK1056 ， 2SK1057与2SK1058
特点
良好的频率特性
高速开关
安全运行的广域
增强型
良好的互补特性
配备了栅极保护二极管
适用于音频功率放大器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004ZE -A
（包名称： TO- 3P ）
D
G
1.门
2.源（法兰）
3.排水
1
2
3
S
Rev.2.00 2005年9月7日第1页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
栅极至源极电压
漏电流
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意：
1.价值在Tc = 25℃
V
GSS
I
D
I
DR
注1
PCH
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSX
价值
–120
–140
–160
±15
–7
–7
100
150
-55到+150
V
A
A
W
°C
°C
单位
V
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
2SJ160
2SJ161
2SJ162
V
（ BR ） GSS
V
GS （关闭）
V
DS （SAT）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
on
t
关闭
符号
V
（ BR ） DSX
民
–120
–140
–160
±15
–0.15
—
0.7
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
1.0
900
400
40
230
110
最大
—
—
—
—
–1.45
–12
1.4
—
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
I
D
= -100毫安，V
DS
= –10 V
I
D
= -7 A ，V
GS
= 0
注2
I
D
= -3 A ，V
DS
= –10 V
V
GS
= 5 V, V
DS
= –10 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= -20 V I
D
= –4 A
注2
测试条件
I
D
= -10毫安，V
GS
= 10 V
栅源击穿电压
门源截止电压
漏极至源极饱和电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
注意：
2.脉冲测试
Rev.2.00 2005年9月7日第2页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
主要特点
功率与温度降额
150
–20
-10我最大（连续）
D
–5
(–14.3 V,
–7 A)
最高安全工作区
TA = 25°C
P沟（W）的
I
D
(A)
)
ot
sh
1
s(
)
)
m
ot
SH 5℃
10
1
2
=
S（ C =
m
PW
0 N （T
10
=比
PW Ope宇宙
DC
100
散热通道
漏电流
–2
–1
–0.5
50
（ -120 V， -0.83 A）
（ -140 V， -0.71 A）
（ -160 V， -0.63 A）
2SJ160
2SJ161
2SJ162
0
0
50
100
150
–0.2
–5
–10 –20
–50 –100 –200
–500
外壳温度
TC （ ℃）
漏源极电压
V
DS
(V)
典型的输出特性
–10
–9
TC = 25°C
–1.0
典型的传输特性
V
DS
= –10 V
I
D
(A)
–8
–8
–7
I
D
(A)
–0.8
TC = -25°C
–0.6
25°C
–0.4
75°C
–6
漏电流
–5
–4
–4
–3
–2
PCH
=1
00 W
–1 V
漏电流
–6
–2
V
GS
= 0
–0.2
0
0
–10
–20
–30
–40
–50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
漏源极电压
V
DS
(V)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
漏极至源极饱和电压V
DS （SAT）
(V)
漏极至源极饱和电压与
漏电流
漏极至源极电压 -
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
(V)
–10
75°C
–5
25°C
–10
脉冲测试
–8
漏源极电压
–2
TC = -25°C
–1
–0.5
–6
–5 A
–4
–2 A
I
D
= –1 A
0
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–0.2
V
GD
= 0 V
–0.1
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
0
漏电流
I
D
(A)
栅极至源极电压
V
GS
(V)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页5
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
输入电容与
栅极至源极电压
正向转移导纳主场迎战
频率
正向转移导纳| YFS | （ S）
1000
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
TC = 25°C
V
DS
= –10 V
I
D
= –2 A
100 k 300 k
1M
3M
10 M
输入电容西塞（PF ）
500
200
V
DS
= –10 V
F = 1 MHz的
100
0
2
4
6
8
10
0.003
10 k 30 k
栅极至源极电压V
GS
(V)
频率f（赫兹）
开关时间与漏电流
500
开关时间t
on
, t
关闭
（纳秒）
200
100
50
吨
花花公子
20
10
5
–0.1 –0.2
–0.5
–1
–2
–5
–10
漏电流
I
D
(A)
开关时间测试电路
产量
10%
输入
R
L
输入
吨
–20 V
PW = 50
s
占空比= 1％
50
产量
波形
90%
花花公子
90%
10%
Rev.2.00 2005年9月7日第4
2SJ160 ， 2SJ161 ， 2SJ162
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-65
瑞萨代码
PRSS0004ZE-A
包名称
TO-3P / TO- 3PV
质量[典型值]
5.0g
5.0 ± 0.3
单位：mm
4.8 ± 0.2
1.5
15.6 ± 0.3
0.5
1.0
φ
3.2 ± 0.2
14.9 ± 0.2
19.9 ± 0.2
1.6
1.4最大
2.0
2.8
2.0
1.0 ± 0.2
3.6
0.9
1.0
18.0 ± 0.5
0.6 ± 0.2
5.45 ± 0.5
5.45 ± 0.5
订购信息
部件名称
2SJ160-E
2SJ161-E
360个
360个
QUANTITY
箱（管）
箱（管）
中海集装箱
2SJ162-E
360个
箱（管）
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年9月7日第5
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2SK3059
2SC3739
2SC5779
2254786597
24T5.15K
259033
2N7307H
2SA1892
2SB1502Q
2SD1963Q
2778A
2SC3841P
2SD2167P
2SC5035
2727R-17J
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24FC256IP
2N1610
243-11322-15
2SK3924-01S
供货商
型号
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