【ADE - 208-290 （ Z）2SH17硅N沟道IGBT1日。版1995年2月应用TO–220】,IC型号2SH17,2SH17 PDF资料,2SH17经销商,ic,电子元器件-51电子网

ADE - 208-290 （ Z）

2SH17

硅N沟道IGBT

1日。版

1995年2月

应用

TO–220AB

高速电源开关

特点

2

高开关速度

低导通饱和电压

1

3

2

3

1.门

2.收集

3.辐射源

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极电压

门到发射极电压

集电极电流

集电极电流峰值

Collectorl耗散

通道温度

储存温度

符号

V

CES

评级

600

±20

12

20

50

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

集成电路（峰值）

P

C

*

T

j

I

C

V

GES

———————————————————————————————————————————

TSTG

———————————————————————————————————————————

*在Tc值= 25°C

1

2SH17

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极击穿

电压

零门极电压集电极

当前

门极 - 发射极漏电流

门极 - 发射极截止电流

集电极到发射极饱和

电压

集电极到发射极饱和

电压

输入电容

符号

V

（ BR ） CES

I

CES

I

GES

民

600

典型值

—

最大

—

单位测试条件

V

I

C

= 100 μA ，V

GE

= 0

V

CE

= 600 V, V

GE

= 0

V

GE

= ±20 V, V

CE

= 0

———————————————————————————————————————————

—

0.5

mA

———————————————————————————————————————————

—

3.0

—

1.5

±1

6.0

—

A

V

———————————————————————————————————————————

V

CE （ SAT ）

1

V

CE （ SAT ）

2

资本投资者入境计划

I

C

= 5 A，V

GE

= 15 V

I

C

= 10 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 10 V, V

GE

= 0,

F = 1 MHz的

IC = 10 A，

RL = 30

,

VGE = ± 15 V

RG = 50

V

GE （关闭）

I

C

= 1毫安， VCE = 10 V

———————————————————————————————————————————

—

2.0

2.6

V

———————————————————————————————————————————

—

1000

—

pF

———————————————————————————————————————————

开关时间

————————————————

t

on

t

f

—

150

2000

2300

—

t

r

—

75

—

ns

————————————————

t

关闭

———————————————————————————————————————————

2

2SH17

功率与Tempereture降额

80

件（W）的

100

I

C

(A)

最高安全工作区

60

10

集电极耗散

集电极电流

40

1

DC

（T欧普

C = E

25比

℃正

)

10

0

s

1m

s(1

0m

OT ）

sh

PW

=1

20

0.1

TA = 25℃

0.01

0

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

1

10

100

1000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

反向偏置SOA

100

I

C

(A)

I

C

(A)

20

典型的输出特性

V

GE

=

15 V

12 V

10 V

16

10

集电极电流

1

集电极电流

12

8

8V

0.1

TC = 25℃

0

200

400

600

800

集电极到发射极电压V

CE

(V)

4

脉冲测试

TA = 25℃

6V

0.01

0

2

4

6

8

10

集电极到发射极电压V

CE

(V)

3

2SH17

典型的传输特性

20

TC = -25°C

I

C

(A)

16

25 °C

75 °C

集电极到发射极饱和电压

主场迎战门到发射极电压

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

10

I

C

= 10 A

8

5A

3A

集电极电流

12

6

8

4

脉冲测试

V

CE

= 10 V

4

8

12

门到发射极电压

16

V

GE

(V)

20

2

脉冲测试

0

4

8

12

门到发射极电压

16

20

V

GE

(V)

0

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

50

20

10

5

2

1

–25 °C

TC = 75℃

25 °C

脉冲测试

V

GE

= 15 V

C（ pF）的

1000

10000

典型的电容比。

集电极到发射极电压

V

GE

= 0

F = 1 MHz的

资本投资者入境计划

电容

100

卓越中心

CRES

0.5

2

5

10

1

集电极电流I

C

(A)

20

10

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

4

2SH17

动态输入特性

集电极到发射极电压V

CE

(V)

500

V

CC

= 400 V

300 V

200 V

20

门到发射极电压V

GE

(V)

开关特性

2000

tf

1000

T（ NS ）

500

TD （关闭）

200

100

TD （上）

50

tr

20

0.2

1

2

0.5

集电极电流

10

I

C

(A)

5

20

V

CC

= 300 V

V

GE

= ±15 V

RG = 50

TC = 25℃

400

16

V

CE

V

GE

8

V

CC

= 400 V

300 V

200 V

200

100

I

C

= 10 A

4

0

40

0

8

16

24

32

栅极电荷Qg （ NC ）

开关特性

2000

tf

1000

T（ NS ）

500

TD （关闭）

开关时间

300

12

开关特性

5000

2000

1000

500

TD （关闭）

200

100

50

–25

tr

TD （上）

0

25

50

75

100

壳温度（ ° C）

125

tf

I

C

= 10 A

R

L

= 30

V

GE

= ±15 V

RG = 50

开关时间

200

100

50

20

5

10

50 100

栅极电阻RG （

)

500

tr

TD （上）

I

C

= 10 A

R

L

= 30

V

GE

= ±15 V

开关时间

T（ NS ）

5