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ADE - 208-288 （ Z）

2SH15

硅N沟道IGBT

1日。版

1995年2月

应用

高速电源开关

TO–3P

特点

高开关速度

低导通饱和电压

1

2

3

1

2

3

1.门

2.收集

3.辐射源

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极电压

门到发射极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散

通道温度

储存温度

符号

V

CES

评级

600

±20

50

100

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

集成电路（峰值）

P

C

*

T

j

I

C

V

GES

———————————————————————————————————————————

TSTG

———————————————————————————————————————————

*在Tc值= 25°C

1

2SH15

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极到发射极击穿

电压

零门极电压集电极

当前

门极 - 发射极漏电流

门极 - 发射极截止电流

集电极到发射极饱和

电压

集电极到发射极饱和

voltage1

输入电容

符号

V

（ BR ） CES

I

CES

I

GES

民

600

典型值

—

最大

—

单位测试条件

V

I

C

= 100 μA ，V

GE

= 0

V

CE

= 600 V, V

GE

= 0

V

GE

= ±20 V, V

CE

= 0

———————————————————————————————————————————

—

0.5

mA

———————————————————————————————————————————

—

3.0

—

2.0

±1

5.0

—

A

V

———————————————————————————————————————————

V

CE （ SAT ）

1

V

CE （ SAT ）

2

资本投资者入境计划

I

C

= 25 A，V

GE

= 15 V

I

C

= 50 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 10 V, V

GE

= 0,

F = 1 MHz的

IC = 50 A，

RL = 6

,

VGE = ± 15 V

RG = 50

V

GE （关闭）

I

C

= 1毫安， VCE = 10 V

———————————————————————————————————————————

—

2.6

3.3**

V

———————————————————————————————————————————

—

4200

—

pF

———————————————————————————————————————————

开关时间

————————————————

t

on

t

f

—

500

300

600

—

600

1200

t

r

—

350

—

ns

————————————————

t

关闭

———————————————————————————————————————————

**

V

CE （ SAT ）

2是在相关的测试条件中指定（我

C

=20A)

2

2SH15

功率与温度降额

200

件（W）的

100

I

C

(A)

最高安全工作区

PW

1

=1

m

s

10

0

s

150

10

集电极耗散

100

集电极电流

DC

0

(1ms

（T欧普

C = E

sh

OT ）

25比

℃正

)

1

50

0.1

TA = 25℃

0.01

0

50

100

外壳温度

150

TC （ ℃）

200

1

10

100

1000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

反向偏置SOA

100

I

C

(A)

典型的输出特性

V

GE

= 15 V

12 V

10 V

脉冲测试

TA = 25℃

I

C

(A)

80

集电极电流

10

60

40

8V

20

6V

0

2

4

6

8

10

集电极到发射极电压V

CE

(V)

1

TC = 25℃

0.1

0

200

400

600

800

集电极到发射极电压V

CE

(V)

3

2SH15

典型的传输特性

TC = -25°C

I

C

(A)

80

25 °C

75 °C

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

100

10

集电极到发射极饱和电压

主场迎战门到发射极电压

8

I

C

= 50 A

40 A

25 A

集电极电流

60

6

40

4

20

脉冲测试

V

CE

= 10 V

0

4

8

12

门到发射极电压

16

V

GE

(V)

20

2

脉冲测试

0

4

8

12

门到发射极电压

16

V

GE

(V)

20

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

(V)

50

20

10

5

2

1

TC = 75℃

25 °C

–25 °C

脉冲测试

V

GE

= 15 V

C（ pF）的

1000

10000

典型的电容比。

集电极到发射极电压

资本投资者入境计划

电容

卓越中心

100

CRES

V

GE

= 0

F = 1 MHz的

0.5

1

2

5

10

20

50

集电极电流I

C

(A)

100

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

4

2SH15

动态输入特性

集电极到发射极电压V

CE

(V)

500

V

CC

= 400 V

300 V

200 V

20

门到发射极电压V

GE

(V)

开关特性

1000

500

T（ NS ）

TD （关闭）

200

100

50

20

10

1

V

CC

= 300 V

V

GE

= ±15 V

RG = 50

TC = 25℃

5

10

集电极电流

50

I

C

(A)

100

tf

tr

TD （上）

400

16

V

GE

200

V

CC

= 400 V

300 V

200 V

V

CE

0

40

80

120

160

栅极电荷Qg （ NC ）

8

100

I

C

= 50 A

4

0

200

开关特性

1000

td

开关时间

300

12

开关特性

1000

500

T（ NS ）

tf

200

tr

100

50

20

10

5

TD （上）

(o

f

f)

500

T（ NS ）

tr

tf

TD （关闭）

200

100

50

开关时间

TD （上）

I

C

= 50 A

R

L

=6

(V

CC

= 300 V)

V

GE

= ±15 V

TC = 25℃

10

50 100

栅极电阻RG （

)

500

20

10

–25

I

C

= 50 A

R

L

= 6

V

GE

= ±15 V

RG = 50

0

25

50

75

100

壳温度（ ° C）

125

5