【2SD970(K)硅NPN三重扩散ADE - 208-901 （ Z）1日。版2000年9月应用中等】,IC型号2SD970(K),2SD970(K) PDF资料,2SD970(K)经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SD970(K)

硅NPN三重扩散

ADE - 208-901 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

中等转速和功率开关互补对与2SB791 （ K）

概要

TO-220AB

2

1

1.基地

2.收集

（法兰）

3.辐射源

1

2 3

2 k

（典型值）

200

（典型值）

3

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

C

= 25°C.

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C（峰值）

P

C

*

1

Tj

TSTG

评级

120

120

7

8

12

40

150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

°C

°C

2SD970(K)

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号

民

120

7

—

—

1000

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.4

5.4

1.1

最大

—

—

100

10

20000

1.5

3.0

2.0

3.5

—

—

—

V

V

V

V

s

s

s

单位

V

V

A

A

测试条件

I

C

= 25毫安，R

BE

=

∞

I

E

= 50 mA时，我

C

= 0

V

CB

= 120 V，I

E

= 0

V

CE

= 100 V ，R

BE

=

∞

V

CE

= 3 V，I

C

= 4 A*

1

I

C

= 4 A，I

B

= 8毫安*

1

I

C

= 8 A，I

B

= 80毫安*

1

I

C

= 4 A，I

B

= 8毫安*

1

I

C

= 8 A，I

B

= 80毫安*

1

I

C

= 4 A，I

B1

= –I

B2

= 8毫安

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

首席执行官

直流电流传输比

集电极到发射极饱和

电压

基地发射极饱和

电压

启动时间

贮存时间

下降时间

注意：

1.脉冲测试。

h

FE

V

CE(sat)1

V

CE(sat)2

V

BE(sat)1

V

BE(sat)2

t

on

t

英镑

t

f

最大集电极耗散曲线

60

集电极耗散功率PC（ W）

30

i

C（峰值）

集电极电流I

C

(A)

10

3

1.0

0.3

0.1

0.03

0

50

100

案例温度T

C

(°C)

150

1

安全工作区

1

s

40

I

C（最大值）

（连续）

PW

=

10

m

s

ERA

TIO

DC

Op

0

10

s

1m

s

20

n(

T

C

C

5

°

=2

TA = 25°C

1次脉冲

3

10

30

100 300 1,000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

)

2

2SD970(K)

典型的输出特性

10

T

C

= 25°C

1.8

集电极电流I

C

(A)

8

1.6

1.4

10,000

直流电流传输比

与集电极电流

2.0

直流电流传输比H

FE

P

C

=

25

W

3,000

6

A

0.6 m

1,000

°

C

75

=

T

C

5

°

C

5

°

C

2

–2

4

1.2 1.0

2

I

B

= 0

0

1

2

3

4

5

集电极到发射极电压V

CE

(V)

0.8

V

CE

= 3 V

300

100

0.1

0.3

1.0

3

集电极电流I

C

(A)

10

集电极到发射极饱和电压V

CE （SAT）

(V)

基地发射极饱和电压V

BE （SAT）

(V)

饱和电压与集电极电流

10

5

l

C

/l

B

= 200

500

2

1.0

0.5

V

CE （SAT）

l

C

/l

B

= 500

200

0.2

0.1

0.1

T

C

= 25°C

0.2

0.5 1.0

2

5

集电极电流I

C

(A)

10

V

BE （SAT）

10

开关时间与集电极电流

t

英镑

3

开关时间t（微秒）

1.0

0.3

0.1

0.03

0.01

0.1

TA = 25°C

V

CC

= 30 V

I

C

= 500 I

B1

= –500 I

B2

0.3

1.0

3

集电极电流I

C

(A)

10

t

f

t

on

3

2SD970(K)

瞬态热阻

10

热阻

θ

J-

（ ° C / W）

1-1000 s

3

1.0

0.3

0.1

T

C

= 25°C

0.03

0.01

1

1

10

10

时间T

100

100

1,000 (s)

1000 （ ms）的

1到1000毫秒

4

2SD970(K)

包装尺寸

单位：mm

11.5 MAX

2.79

±

0.2

10.16

±

0.2

9.5

8.0

φ

3.6

-0.08

+0.1

4.44

±

0.2

1.26

±

0.15

6.4

+0.2

–0.1

18.5

±

0.5

15.0

±

0.3

1.27

2.7 MAX

14.0

±

0.5

1.5 MAX

7.8

±

0.5

0.76

±

0.1

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

0.5

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

TO-220AB

符合

符合

1.8 g

5

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型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

聚芯优品（深圳）控股集团有限公司

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电话：0755-28458422

联系人：max

地址：深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD双子塔.西塔3903B

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-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

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电话：0755-83209937

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

2SD970(K)

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-

-

-

终端采购配单精选

HECC GROUP CO，LIMITED

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电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890

联系人：Sante Zhang/Mollie

地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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-

终端采购配单精选

深圳市鹏顺兴科技有限公司

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电话：0755-23063133/23042311

联系人：谭小姐

地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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