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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD951
描述
·带
TO- 3封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压能力
应用
·线操作
横向挠度
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
3
5
65
130
-65~130
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 5亿，我
C
=0
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
I
C
=2.5A;I
B
结束
=0.8A;L
B
=5μH
贮存时间
11
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 2.5A ; V
CE
=10V
I
F
=4A
8
3
1.7
民
5
典型值。
2SD951
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1.0
V
V
μA
mA
V
0.9
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD951
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD951
描述
·带
TO- 3封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压能力
应用
·线操作
横向挠度
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1500
5
3
5
单位
V
V
A
A
W
℃
℃
集电极开路
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
65
130
-65~130
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 5亿，我
C
=0
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 2.5A ; V
CE
=10V
I
F
=4A
8
3
民
5
典型值。
2SD951
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1.0
V
V
μA
mA
固电
下降时间
贮存时间
IN
ES
昂
CH
导½
半
I
C
=2.5A;I
B
结束
=0.8A;L
B
=5μH
ON
MIC
E
OR
DUT
1.7
11
V
μs
μs
0.9
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD951
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD951
描述
·采用TO-3封装
·内置阻尼二极管
·高电压能力
应用
·线操作水平偏转
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
集电极开路
价值
1500
5
3
5
65
130
-65~130
单位
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
E
= 5亿，我
C
=0
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
I
C
= 2 .5A ，我
B
=0.8 A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
V
F
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
二极管的正向电压
下降时间
I
C
=2.5A;I
B
结束
=0.8A;L
B
=5H
贮存时间
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 2.5A ; V
CE
=10V
I
F
=4A
8
3
民
5
2SD951
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
典型值。
最大
单位
V
5.0
1.5
50
1.0
V
V
A
mA
1.7
0.9
11
V
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD951
图2外形尺寸
3
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212X1002N220FA
24C01B-E/P
2N3468
2254580198
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