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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD904
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 5.0V （最大值） @我
C
= 3A
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对于彩电行输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
600
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
6
V
I
C
集电极电流 - 连续
7
A
I
CM
集电极电流 - 峰值
集电极耗散功率
@ T
a
= 25℃
10
A
3
W
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
T
J
结温
50
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-40~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD904
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 35mH
600
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
1.6
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V; V
BE
= 0
1.0
mA
I
EBO
收藏家Cuto FF电流
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
44
100
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
8
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
5
10
V
ECF
C- ê二极管正向电压
I
F
= 4A
2.0
V
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2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD904
描述
高
击穿电压 -
: V
CBO
= 1500V （最小值）
ULOW
集电极饱和电压 -
: V
CE （ SAT ）
= 5.0V （最大值） @我
C
= 3A
.Built式
阻尼二极管
应用
·设计
对于彩电行输出的应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流 - 连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
1500
V
600
V
6
V
7
A
10
A
3
W
50
℃
I
CM
集电极电流 - 峰值
集电极耗散功率
@ T
a
= 25℃
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
= 25℃
T
J
结温
150
T
英镑
存储温度范围
-40~150
℃
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD904
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 35mH
600
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 200毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.75A
B
5.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.6A
B
1.6
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 1500V; V
BE
= 0
I
EBO
收藏家Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
V
ECF
C- ê二极管正向电压
w
em
cs
。是
w
w
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
I
F
= 4A
.CN
i
44
8
5
1.0
mA
100
mA
10
2.0
V
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