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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD896
描述
·采用TO- 3PN封装
·补键入2SB776
·安全运行的广域
应用
· 100V / 7A ， AF 40W输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
100
6
7
11
70
150
-40~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安; R
BE
？ ＆ LT ;
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
E
= 5毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.4A
I
C
=1A;V
CE
=5V
V
CB
= 80V我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
20
15
民
100
120
6
0.6
2SD896
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.5
0.1
0.1
200
V
V
mA
mA
兆赫
pF
140
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.1A
R
L
=20D;V
CC
=20V
0.2
6.0
0.6
s
s
s
h
FE-1
分类
D
60-120
E
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD896
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD896
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD896
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
键入2SB776
ùWide
安全工作区
应用
·100V/7A,
AF 40W输出的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
120
100
6
7
11
70
150
-40~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安; R
BE
=∞
I
C
= 5毫安，我
E
=0
I
E
= 5毫安，我
C
=0
I
C
= 4A ，我
B
=0.4A
B
2SD896
民
100
120
6
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.6
2.0
1.5
0.1
0.1
V
V
mA
mA
I
C
=1A;V
CE
=5V
V
CB
= 80V我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 4A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
20
15
140
200
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 1.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.1A
R
L
=20Ω;V
CC
=20V
0.2
6.0
0.6
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
D
60-120
E
100-200
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD896
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD896
4
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280108-05
234-T2C3-1PSB
28-6551-11
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    2SD896
    -
    -
    -
    -
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2SD896
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2SD896
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联系人：何小姐
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