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A
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD868
描述
·带
TO- 3封装
.Built式
阻尼二极管
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
在彩电偏转电路使用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
2.5
1.0
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
P
T
T
j
T
英镑
热特性
符号
RθJC
特征
热阻结到外壳
最大
2.5
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
V
F
f
T
C
OB
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
下降时间
条件
I
E
= 200米A;我
C
=0
I
C
= 2 A;我
B
=0.6 A
B
2SD868
民
5
典型值。
最大
单位
V
8.0
1.5
10
8
2.0
3
100
1.0
V
V
μA
I
C
= 2 A;我
B
=0.6 A
B
V
CB
=500V;I
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
F
=2.5A
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V ; F = 1MHz的
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
=2A;I
B1
结束
=0.6A
V
兆赫
pF
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD868
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD868
描述
·采用TO-3封装
·内置阻尼二极管
·高电压，高转速
·低集电极饱和电压
应用
·对于彩电偏转电路使用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 集电极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
2.5
1.0
50
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
热特性
符号
R5jc
特征
热阻结到外壳
最大
2.5
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
二极管的正向电压
跃迁频率
集电极输出电容
下降时间
条件
I
E
= 200米A;我
C
=0
I
C
= 2 A;我
B
=0.6 A
I
C
= 2 A;我
B
=0.6 A
V
CB
=500V;I
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
F
=2.5A
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V ; F = 1MHz的
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
C
=2A;I
B1
结束
=0.6A
3
8
民
5
2SD868
符号
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
V
F
f
T
C
OB
t
f
典型值。
最大
单位
V
8.0
1.5
10
V
V
A
2.0
V
兆赫
pF
100
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD868
图2外形尺寸
3
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2SA963R
22386025549
2N4295
2N4093
2SC5522
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