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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD823
描述
-collector
电流：I
C
= 6A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 90V （最小值）
应用
·设计
对于B / W水平的电视输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
I
C
集电极电流连续
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
200
V
90
V
7
V
6
A
10
A
40
W
150
℃
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
P
C
T
J
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD823
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
90
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
200
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
t
f
下降时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
B
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
1.5
V
V
CB
= 40V ;我
E
= 0
0.1
mA
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
0.1
mA
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
20
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
15
兆赫
I
C
= 5A ;我
B1
= 0.6A
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
这种材料版权归其各自的制造商
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD823
描述
-collector
电流：I
C
= 6A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 90V （最小值）
应用
·设计
对于B / W水平的电视输出应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
200
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
90
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
6
A
I
CM
集电极电流峰值
总功耗
@ T
C
=25℃
结温
10
A
P
C
40
W
T
J
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD823
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
B
= 0
B
90
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 5毫安;我
E
= 0
200
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
7
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.5
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.5
V
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40V ;我
E
= 0
0.1
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4V ;我
C
= 0
0.1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 5V
20
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
15
兆赫
t
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下降时间
I
C
= 5A ;我
B1
= 0.6A
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22-27-2281
2KD-5
20IMX35-03D05-9
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2SC3994K
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