【2SD787 ， 2SD788NPN硅外延ADE - 208-1139 （ Z）1日。版2001年3】,IC型号2SD787E,2SD787E PDF资料,2SD787E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD787 ， 2SD788

NPN硅外延

ADE - 208-1139 （ Z）

1日。版

2001年3月

应用

低频功率放大器

互补配对2SB738和2SB739

概要

TO-92MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SD787 ， 2SD788

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

2SD787

0.9

150

-55到+150

2SD788

0.9

150

-50至+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD787

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

符号最小值

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

—

100

—

典型值

—

100

最大

—

0.2

800

0.3

—

2SD788

民

—

100

—

典型值

—

100

最大

—

0.2

800

0.3

—

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

= 0

= 16 V，I

= 0

= 6 V，I

= 0

= 2 V，I

= 0.1 A

= 1 A，I

= 0.1 A

= 2 V,

= 10毫安

= 10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

直流电流传输比H

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

注意：

100至200

160到320

COB

1. 2SD787和2SD788是用h分组

如下。

250至500

400至800

2SD787 ， 2SD788

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

(W)

1.2

集电极电流I

（MA ）

典型的输出特性

100

0.3

0.25

0.2

0.8

0.15

0.4

0.1

0.05毫安

= 0

100

环境温度Ta （C ）

150

集电极到发射极电压V

(V)

典型的输出特性

2.0

1,000

集电极电流I

(A)

1.6

5毫安

集电极电流I

（MA ）

300

100

典型的传输特性

= 2 V

TA = 75℃

–25

1.2

0.8

.9 W

0.4

= 0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

集电极到发射极电压V

(V)

0.2

0.4

0.6

0.8

基极至发射极电压V

(V)

1.0

2SD787 ， 2SD788

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

10,000

直流电流传输比H

3,000

1,000

300

100

100 300

集电极电流I

（MA ）

1,000

–25

脉冲

= 2 V

TA = 75℃

饱和电压与集电极电流

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

3.0

1.0

0.3

0.1

0.03

CE （ SAT ）

0.01

0.003

100 300 1,000 3,000

集电极电流I

（MA ）

= 10 I

BE （ SAT ）

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

1,000

300

F = 1 MHz的

= 0

100

0.1

0.3

1.0

集电极基极电压V

(V)

2SD787 ， 2SD788

包装尺寸

至于， 2001年1月

单位：mm

4.8

0.4

3.8

0.4

0.65

0.1

0.75最大

0.55Max

0.7

0.60 MAX

2.3最大

10.1敏

8.0

0.5

0.5Max

1.27

2.54

日立代码

JEDEC

EIAJ

质谱（参考值）

TO-92国防部

—

符合

0.35 g

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数量

封装

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