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2SD787 , 2SD788
NPN硅外延
ADE - 208-1139 ( Z)
1日。版
2001年3月
应用
低频功率放大器
互补配对2SB738和2SB739
概要
TO-92MOD
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SD787 , 2SD788
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
2SD787
20
16
6
2
0.9
150
-55到+150
2SD788
20
20
6
2
0.9
150
-50至+150
单位
V
V
V
A
W
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
2SD787
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号最小值
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
20
16
6
100
典型值
100
20
最大
2
0.2
800
0.3
2SD788
20
20
6
100
典型值
100
20
最大
2
0.2
800
0.3
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安,R
BE
=
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 16 V,I
E
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
I
C
= 1 A,I
B
= 0.1 A
V
CE
= 2 V,
I
C
= 10毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
直流电流传输比H
FE
*
1
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
注意:
B
100至200
C
160到320
COB
1. 2SD787和2SD788是用h分组
FE
如下。
D
250至500
E
400至800
2
2SD787 , 2SD788
最大集电极耗散曲线
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
集电极电流I
C
(MA )
80
典型的输出特性
100
0.3
0.25
0.2
0.8
60
0.15
40
0.4
0.1
20
0.05毫安
I
B
= 0
0
50
100
环境温度Ta (C )
150
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的输出特性
2.0
1,000
20
15
集电极电流I
C
(A)
1.6
10
5毫安
集电极电流I
C
(MA )
300
100
30
10
3
1
0
典型的传输特性
V
CE
= 2 V
TA = 75℃
25
–25
1.2
0.8
P
C
=0
.9 W
0.4
I
B
= 0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0.2
0.4
0.6
0.8
基极至发射极电压V
BE
(V)
1.0
3
2SD787 , 2SD788
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
10,000
直流电流传输比H
FE
3,000
1,000
300
100
30
10
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
(MA )
1,000
–25
脉冲
V
CE
= 2 V
TA = 75℃
25
饱和电压与集电极电流
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
3.0
1.0
0.3
0.1
0.03
V
CE ( SAT )
0.01
0.003
3
10
30
100 300 1,000 3,000
集电极电流I
C
(MA )
I
C
= 10 I
B
V
BE ( SAT )
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
1,000
300
F = 1 MHz的
I
E
= 0
100
30
10
0.1
0.3
1.0
3
10
集电极基极电压V
CB
(V)
4
2SD787 , 2SD788
包装尺寸
至于, 2001年1月
单位:mm
4.8
±
0.4
3.8
±
0.4
0.65
±
0.1
0.75最大
0.55Max
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5Max
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
质谱(参考值)
TO-92国防部
符合
0.35 g
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD787C
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联系人:刘先生
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