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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第171页 > 2SD768
2SD768(K)
NPN硅外延
应用
中等转速和功率开关互补对与2SB727 （ K）
概要
TO-220AB
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2 3
3 k
（典型值）
200
（典型值）
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
120
120
7
6
10
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SD768(K)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
120
7
—
—
1000
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
3.0
最大
—
—
100
10
20000
1.5
3
2
3.5
—
—
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 50 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
=∞
V
CE
= 3 V，I
C
= 3 A*
1
I
C
= 3 A，I
B
= 6毫安*
1
I
C
= 6A ，我
B
= 60毫安*
1
I
C
= 3 A，I
B
= 6毫安*
1
I
C
= 6 A，I
B
= 60毫安*
1
I
C
= 3 A，I
B1
= –I
B2
= 6毫安
I
C
= 3 A，I
B1
= –I
B2
= 6毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
t
on
t
关闭
最大集电极耗散
曲线
60
集电极耗散功率P
C
(W)
30
集电极电流I
C
(A)
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
i
C（峰值）
I
C（最大值）
1
s
安全工作区
10
0
40
s
PW
ERA
DC
5
°
C
s
s
=2
1m
0m
C
N（叔
TIO
=1
Op
20
TA = 25°C
1次脉冲
)
2
2SD768(K)
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
8
直流电流传输比H
FE
3,000
10,000
直流电流传输比
与集电极电流
6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Ta
1,000
=
°
C
75
25
°
C
4
°
C
25
–
V
CE
= 3 V
脉冲
2
0.2毫安
I
B
= 0
300
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基极至发射极sauration电压V
BE （ SAT ）
(V)
10
10
3
开关时间t（微秒）
V
BE （ SAT ）
1.0
I
C
/I
B
= 200
500
0
50
I
C
/
I
B
=
200
开关时间与集电极电流
T
C
= 25°C
3
t
英镑
t
on
t
f
V
CC
= 30V
I
C
= 500 I
B1
= –500 I
B2
TA = 25°C
1.0
0.3
0.1
0.03
V
CE （ SAT ）
0.3
0.1
0.1
1.0
3
0.3
集电极电流I
C
(A)
10
0.01
0.1
3
0.3
1.0
集电极电流I
C
(A)
10
3
2SD768(K)
瞬态热阻
10
热阻
θ
J-
（ ° C / W）
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
1
1
10
10
时间T
100
100
1,000 (s)
1000 （ ms）的
T
C
= 25°C
1-1000 s
1到1000毫秒
4
单位：mm
11.5 MAX
2.79
±
0.2
10.16
±
0.2
9.5
8.0
φ
3.6
-0.08
+0.1
4.44
±
0.2
1.26
±
0.15
6.4
+0.2
–0.1
18.5
±
0.5
15.0
±
0.3
1.27
2.7 MAX
14.0
±
0.5
1.5 MAX
7.8
±
0.5
0.76
±
0.1
2.54
±
0.5
2.54
±
0.5
0.5
±
0.1
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-220AB
符合
符合
1.8 g
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SD768(K)
NPN硅外延
ADE - 208-900 （ Z）
1日。版
2000年9月
应用
中等转速和功率开关互补对与2SB727 （ K）
概要
TO-220AB
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2 3
3 k
（典型值）
200
（典型值）
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
评级
120
120
7
6
10
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SD768(K)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
120
7
—
—
1000
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
3.0
最大
—
—
100
10
20000
1.5
3
2
3.5
—
—
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 50 mA时，我
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
=∞
V
CE
= 3 V，I
C
= 3 A*
1
I
C
= 3 A，I
B
= 6毫安*
1
I
C
= 6A ，我
B
= 60毫安*
1
I
C
= 3 A，I
B
= 6毫安*
1
I
C
= 6 A，I
B
= 60毫安*
1
I
C
= 3 A，I
B1
= –I
B2
= 6毫安
I
C
= 3 A，I
B1
= –I
B2
= 6毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(sat)1
V
BE(sat)2
t
on
t
关闭
最大集电极耗散
曲线
60
集电极耗散功率P
C
(W)
30
集电极电流I
C
(A)
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100 300 1,000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
i
C（峰值）
I
C（最大值）
1
s
安全工作区
s
)
0
5
°
C
s
10
s
=2
1m
0m
C
N（叔
=1
TIO
PW
ERA
Op
DC
40
20
TA = 25°C
1次脉冲
2SD768(K)
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
8
直流电流传输比H
FE
3,000
10,000
直流电流传输比
与集电极电流
6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
Ta
1,000
=
°
C
75
4
°
C
25
C
5
°
–2
V
CE
= 3 V
脉冲
2
0.2毫安
I
B
= 0
300
0
3
4
5
1
2
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
饱和电压
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基极至发射极sauration电压V
BE （ SAT ）
(V)
10
10
3
开关时间t（微秒）
V
BE （ SAT ）
1.0
I
C
/I
B
= 200
500
500
I
C
/
I
B
=
200
开关时间与集电极电流
T
C
= 25°C
3
t
英镑
t
on
t
f
V
CC
= 30V
I
C
= 500 I
B1
= –500 I
B2
TA = 25°C
1.0
0.3
0.1
0.03
V
CE （ SAT ）
0.3
0.1
0.1
1.0
3
0.3
集电极电流I
C
(A)
10
0.01
0.1
0.3
1.0
3
集电极电流I
C
(A)
10
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD768
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB727
·达林顿
应用
·对于中等速度和力量
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
120
7
6
10
40
150
-50~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 25毫安;
BE
=;
I
E
= 50毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=6mA
I
C
= 6A ;我
B
=60mA
I
C
= 3A ;我
B
=6mA
I
C
= 6A ;我
B
=60mA
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
CE
= 100V ;
BE
=;
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
民
120
7
典型值。
2SD768
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
3.5
100
10
20000
V
V
V
V
A
A
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
=3A;I
B1
=-I
B2
=6mA
打开-O FF时间
3.0
s
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD768
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD768
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SB727
·达林顿
应用
For
介质的速度和力量
切换应用程序
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
120
120
7
6
10
40
150
-50~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 25毫安;
BE
=∞
I
E
= 50毫安;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=6mA
I
C
= 6A ;我
B
=60mA
I
C
= 3A ;我
B
=6mA
I
C
= 6A ;我
B
=60mA
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
CE
= 100V ;
BE
=∞
I
C
= 3A ; V
CE
=3V
1000
民
120
7
典型值。
2SD768
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
3.5
100
10
20000
V
V
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
=3A;I
B1
=-I
B2
=6mA
打开-O FF时间
3.0
μs
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD768
图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的
3
查看更多2SD768PDF信息
推荐型号
2SB1072L
2SD2311
2SA1158BL
281282-1
200FM
2.15.350-115
296HB102C1B
2-1393231-3
2SK1190
200AWMSP1T2A1M6RE
2N3910
24LC04B-E/OT
2SC4533
232R2
2SB941P
2SB1452Q
2300LL-151-RC
2SK2826-Z
295S320R253C32
2SA1678
供货商
型号
厂家
批号
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