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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD717
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
ULOW
集电极饱和电压
高
集电极耗散功率
应用
高
电源开关应用
·直流 - 直流
转换器和DC-AC逆变
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
70
50
5
10
2
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 70V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=1V
I
C
= 6A ; V
CE
=1V
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
70
30
10
350
民
50
典型值。
2SD717
最大
单位
V
0.4
1.2
10
10
240
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=5Ω;V
CC
=30V
0.3
2.5
0.4
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD717
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
2SD717
概述
硅外延平面晶体管
硅NPN高频，高功率晶体管
in
一个塑料外壳，主要用于在音频使用和
通用
快速参考数据
符号
TO-3P(I)D
条件
V
BE
= 0V
典型值
最大
70
70
10
80
2
2.0
1.0-
单位
V
V
A
A
W
V
V
s
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
V
F
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
二极管的正向电压
下降时间
T
mb
25
I
C
= 4.0A ;我
B
=0.4A
I
F
= 3.5A
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
-
-
-
-
-
-
1.5
0.4
极限值
符号
V
CESM
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
发射极 - 基oltage （开colloctor ）
集电极电流（ DC ）
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0V
民
-
-
-
-
-
-55
-
TMB 25
最大
70
70
5
10
2.5
80
150
150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
h
FE
f
T
C
c
t
on
t
s
t
f
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率在f = 5MHz时，
集电极电容在f = 1MHz的
在次
TUM -断存储时间
下降时间
条件
V
CB
=70V
V
EB
=5V
I
C
=1mA
I
C
= 4.0A ;我
B
= 0.4A
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 1A ; V
CE
= 12V
V
CB
= 10V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
I
C
=4A,I
B1
=-I
B2
=0.4A,V
CC
=30V
典型值
-
-
70
-
50
10
350
0.3
2.5
0.4
最大
0.2
0.2
3
240
-
-
单位
mA
mA
V
V
兆赫
pF
us
us
us
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD717
描述
·带
TO-3P （Ⅰ）包
ULOW
集电极饱和电压
高
集电极耗散功率
应用
高
电源开关应用
·直流 - 直流
转换器和DC-AC逆变
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
70
50
5
10
2
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
T
C
=25℃
80
150
-55~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 70V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=1V
I
C
= 6A ; V
CE
=1V
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
70
30
10
民
50
典型值。
2SD717
最大
单位
V
0.4
1.2
10
10
240
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
导½
半
开启时间
贮存时间
的HAn
INC。
Y
120-240
ES
G
ON
MIC
E
OR
DUT
350
0.3
2.5
0.4
μs
μs
μs
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=5Ω;V
CC
=30V
h
FE-1
分类
O
70-140
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD717
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD717
描述
·采用TO- 3P （ I）包
·低集电极饱和电压
·高集电极耗散功率
应用
·高功率开关应用
· DC-DC转换器和DC-AC逆变
应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （Ⅰ） ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
70
50
5
10
2
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
I
C
= 6A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 70V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=1V
I
C
= 6A ; V
CE
=1V
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
70
30
10
民
50
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
2SD717
典型值。
最大
单位
V
0.4
1.2
10
10
240
V
V
A
A
兆赫
pF
350
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
B1
=-I
B2
=0.3A;R
L
=5A;V
CC
=30V
0.3
2.5
0.4
s
s
s
h
FE-1
分类
O
70-140
Y
120-240
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD717
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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2SC5172
2020DN103Z7
25LC080DT-E/MNY
25LC020A-H/SN
2-284040-3
2N3900A
2779L
2N5284
2SA1096A
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2-2-1D
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