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> 2SD676
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD676
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 160V (最小值)
高
电源Dissipation-
: P
C
= 125W (最大) @T
C
=25℃
.Complement
到类型2SB656
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
160
单位
V
160
5
V
V
12
20
125
150
-55~150
A
A
W
℃
℃
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD676
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
160
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
2.5
V
V
BE
(上)
I
CBO
基射极电压上
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
h
FE-1
分类
B
60-120
C
100-200
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
60
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
20
200
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
2SD676
描述
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
( BR ) CEO
= 160V (最小值)
高
电源Dissipation-
: P
C
= 125W (最大) @T
C
=25℃
.Complement
到类型2SB656
应用
·设计
低频功率放大器的应用。
绝对最大额定值(T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
160
160
5
12
20
125
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
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产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SD676
最大
单位
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 50毫安;
BE
=
∞
160
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 5毫安;我
C
= 0
5
V
V
CE
(SAT)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ;我
B
= 0.6A
B
2.5
V
V
BE
(上)
I
CBO
基射极电压上
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 120V ;我
E
= 0
0.1
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
60
200
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 6A ; V
CE
= 5V
20
h
FE-1
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100-200
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终端采购配单精选
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