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MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
2SD669(A)
2SD669(A)-B
2SD669(A)-C
2SD669-D
NPN硅
塑料封装
晶体管

A
N
特点
无铅涂层/符合RoHS (注1) ( "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息)
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
可1瓦功率耗散。
集电极电流
1.5A
集电极 - 基极电压
180V
工作和存储结温范围: -55
O
C至+150
O
C
除非另有说明电气特性@ 25℃
O
K
符号
参数
最大
单位
D
开关特性
V
( BR ) CEO
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 10mAdc ,我
B
=0)
2SD669
2SD669A
120
160
---
---
VDC
VDC
E

B
M
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 1mAdc ,我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1mAdc ,我
C
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 160VDC ,我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4Vdc电压,我
C
=0)
180
5.0
---
---
VDC
VDC
1
2
3
L




---
10
uAdc
---
10
uAdc
G
基本特征
h
FE-1
直流电流增益
(I
C
= 150mAdc ,V
CE
=5Vdc)
2SD669
2SD669A
h
FE-2
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
直流电流增益
(I
C
= 500mAdc ,V
CE
=5Vdc)
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 500mAdc ,我
B
=50mAdc)
基射极饱和电压
(V
CE
= 5V直流,我
C
=150mAdc)
跃迁频率
(V
CE
= 5V直流,我
C
=150mAdc)
集电极输出电容
(V
CB
= 10Vdc的,我
E
=0,f=1MHz)
60
60
30
---
320
200
---
1.0
---
---
---
VDC
F
C
---
1.5
VDC
J
Q
PIN 1 。
第2脚。
3脚。
辐射源
集热器
BASE
140(TYP)
14(TYP)
兆赫
尺寸
pF










L
M
N
Q
分类h及
FE
范围
2SD669
2SD669A
B
60-120
60-120
C
100-200
100-200
D
160-320
注:1 。
高温焊料豁免适用,见欧盟指令附件注7 。
 





0.291
0.307
0.417
0.433
0.602
0.618
4
1
0.118
0.126
0.026
0.034
0.046
0.054
0.090TYP
0.098
0.114
0.083
0.091
0.000
0.012
0.043
0.059
0.018
0.024






7.40
7.80
10.60
11.00
15.30
15.70
3.90
4.10
3.00
3.20
0.66
0.86
1.17
1.37
2.290TYP
2.50
2.90
2.10
2.30
0.00
0.30
1.10
1.50
0.45
0.60

www.mccsemi.com
修订版:A
1作者:
2
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息:
设备
型号-BP
填料
Bulk;1Kpcs/Box
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改,恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上,反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件( MCC )正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件,具有完整的可追溯性,满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题,并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
修订版:A
www.mccsemi.com
2
of
2
2011/01/01
3
2SD669 , 2SD669A
NPN硅外延
ADE - 208-899 ( Z)
1日。版
2000年9月
应用
低频功率放大器互补配对2SB649 / A
概要
TO- 126 MOD
1
1.发射器
2.收集
3. BASE
2
3
2SD669 , 2SD669A
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
评级
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C(峰值)
P
C
P
C
*
1
结温
储存温度
注意:
1.价值在T
C
= 25°C.
Tj
TSTG
2SD669
180
120
5
1.5
3
1
20
150
-55到+150
2SD669A
180
160
5
1.5
3
1
20
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
°C
°C
2
2SD669 , 2SD669A
电气特性
( TA = 25°C )
2SD669
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
180
120
5
60
30
典型值
140
14
最大
10
320
1
1.5
2SD669A
180
160
5
60
30
典型值
140
14
最大
10
200
1
1.5
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 1毫安,我
E
= 0
I
C
= 10毫安,R
BE
=
I
E
= 1毫安,我
C
= 0
V
CB
= 160 V,I
E
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安*
2
V
CE
= 5 V,I
C
= 500毫安*
2
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安*
2
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安*
2
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安*
2
V
CB
= 10 V,I
E
= 0,
F = 1 MHz的
直流电流传输比H
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
V
CE ( SAT )
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
注:1. 2SD669和2SD669A是用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试。
B
2SD669
2SD669A
60至120
60至120
C
100至200
100至200
D
160到320
最大集电极耗散
曲线
30
集电极耗散功率P
C
(W)
3
集电极电流I
C
(A)
安全工作区
( 13.3 V, 1.5 A)
1.0
( 40 V , 0.5 A )
0.3
0.1
0.03
2SD669
0.01
DC操作(T
C
= 25°C)
( 120 V , 0.04 A)
( 160 V, 0.02A )
2SD669A
20
10
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
3
2SD669 , 2SD669A
典型输出Characteristecs
1.0
5
0
5.
5.
4.5
.0
4
3.5
3.0
2.5
典型的传输特性
500
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
= 5 V
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.6
T
C
= 25°C
200
100
P
C
=
20
2.0
1.5
0.4
1.0
20
10
5
2
0.2
0.5毫安
I
B
= 0
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
0
10
20
30
40
50
集电极到发射极电压V
CE
(V)
300
直流电流传输比H
FE
250
200
150
100
50
1
1
3
10
100 300 1,000 3,000
30
集电极电流I
C
(MA )
V
CE
= 5 V
Ta
C
= 75
°
集电极到发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压
与集电极电流
1.2
I
C
= 10 I
B
1.0
0.8
0.6
=7
25
–25
TA = 75
°
C
25
–25
W
50
0.4
0.2
0
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
(MA )
4
–2
25
5
T
C
5
°
C
1,000
2SD669 , 2SD669A
基地发射极饱和电压
与集电极电流
基地发射极饱和电压V
BE ( SAT )
(V)
1.2
增益带宽乘积F
T
(兆赫)
I
C
= 10 I
B
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
(MA )
1,000
25
°
C
T
C
= –
25
75
增益带宽积
与集电极电流
240
200
160
120
80
40
0
10
V
CE
= 5 V
TA = 25°C
30
100
300
集电极电流I
C
(MA )
1,000
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
(PF )
200
100
50
F = 1 MHz的
I
E
= 0
20
10
5
2
1
10
2
5
20
50 100
集电极基极电压V
CB
(V)
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD669B
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
2SD669B
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