【2SD669 ， 2SD669ANPN硅外延ADE - 208-899 （ Z）1日。版2000年9】,IC型号2SD669AC,2SD669AC PDF资料,2SD669AC经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SD669 ， 2SD669A

NPN硅外延

ADE - 208-899 （ Z）

1日。版

2000年9月

应用

低频功率放大器互补配对2SB649 / A

概要

TO- 126 MOD

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SD669 ， 2SD669A

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

评级

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

集电极耗散功率

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（峰值）

结温

储存温度

注意：

1.价值在T

= 25°C.

TSTG

2SD669

180

120

1.5

150

-55到+150

2SD669A

180

160

1.5

150

-55到+150

单位

°C

2SD669 ， 2SD669A

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SD669

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

民

180

120

—

典型值

—

140

最大

—

320

—

1.5

—

2SD669A

民

180

160

—

典型值

—

140

最大

—

200

—

1.5

—

兆赫

单位

测试条件

= 1毫安，我

= 0

= 10毫安，R

∞

= 1毫安，我

= 0

= 160 V，I

= 0

= 5 V，I

= 150毫安*

= 5 V，I

= 500毫安*

= 500毫安，

= 50毫安*

= 5 V，I

= 150毫安*

= 5 V，I

= 150毫安*

= 10 V，I

= 0,

F = 1 MHz的

直流电流传输比H

FE1

FE2

集电极到发射极

饱和电压

CE （ SAT ）

基极至发射极电压V

增益带宽乘积F

集电极输出

电容

COB

注：1. 2SD669和2SD669A是用h分组

FE1

如下。

2.脉冲测试。

2SD669

2SD669A

60至120

100至200

160到320

—

最大集电极耗散

曲线

集电极耗散功率P

(W)

集电极电流I

(A)

安全工作区

（ 13.3 V， 1.5 A）

1.0

（ 40 V ， 0.5 A ）

0.3

0.1

0.03

2SD669

0.01

DC操作（T

= 25°C)

（ 120 V ， 0.04 A）

（ 160 V， 0.02A ）

2SD669A

100

案例温度T

(°C)

150

100

300

集电极到发射极电压V

(V)

2SD669 ， 2SD669A

典型输出Characteristecs

1.0

4.5

3.5

3.0

2.5

典型的传输特性

500

集电极电流I

（MA ）

= 5 V

集电极电流I

(A)

0.8

0.6

= 25°C

200

100

2.0

1.5

0.4

1.0

0.2

0.5毫安

= 0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

300

直流电流传输比H

250

200

150

100

100 300 1,000 3,000

集电极电流I

（MA ）

= 5 V

= 75

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

直流电流传输比

与集电极电流

集电极到发射极饱和电压

与集电极电流

1.2

= 10 I

1.0

0.8

0.6

–25

TA = 75

–25

0.4

0.2

100 300

集电极电流I

（MA ）

–2

1,000

2SD669 ， 2SD669A

基地发射极饱和电压

与集电极电流

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

1.2

增益带宽乘积F

（兆赫）

= 10 I

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100 300

集电极电流I

（MA ）

1,000

= –

增益带宽积

与集电极电流

240

200

160

120

= 5 V

TA = 25°C

100

300

集电极电流I

（MA ）

1,000

集电极输出电容

与集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

200

100

F = 1 MHz的

= 0

50 100

集电极基极电压V

(V)

MCC

微型商业组件

?????????? ?????? omponents

20736玛丽拉

街道查茨沃斯

???? ?????? ？！ ?? " ＃ ???

$ ％？？？ ???? ？！ ?? " ＃ ???

2SD669(A)

2SD669(A)-B

2SD669(A)-C

2SD669-D

NPN硅

塑料封装

晶体管

特点

无铅涂层/符合RoHS （注1）（ "P"后缀候

符合RoHS 。参见订购信息）

环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级

水分动态敏感度等级1

可1瓦功率耗散。

集电极电流

1.5A

集电极 - 基极电压

180V

工作和存储结温范围： -55

C至+150

除非另有说明电气特性@ 25℃

符号

参数

民

最大

单位

开关特性

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

= 10mAdc ，我

=0)

2SD669

2SD669A

120

160

---

VDC

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

集电极 - 基极击穿电压

= 1mAdc ，我

=0)

发射极 - 基极击穿电压

= 1mAdc ，我

=0)

收藏家Cuto FF电流

= 160VDC ，我

=0)

发射Cuto FF电流

= 4Vdc电压，我

=0)

180

5.0

---

VDC

---

uAdc

---

uAdc

基本特征

FE-1

直流电流增益

= 150mAdc ，V

=5Vdc)

2SD669

2SD669A

FE-2

CE （ SAT ）

直流电流增益

= 500mAdc ，V

=5Vdc)

集电极 - 发射极饱和电压

= 500mAdc ，我

=50mAdc)

基射极饱和电压

= 5V直流，我

=150mAdc)

跃迁频率

= 5V直流，我

=150mAdc)

集电极输出电容

= 10Vdc的，我

=0,f=1MHz)

---

320

200

---

1.0

---

VDC

---

1.5

VDC

PIN 1 。

第2脚。

3脚。

辐射源

集热器

BASE

140(TYP)

14(TYP)

兆赫

尺寸

分类h及

秩

范围

2SD669

2SD669A

60-120

100-200

160-320

注：1 。

高温焊料豁免适用，见欧盟指令附件注7 。

0.291

0.307

0.417

0.433

0.602

0.618

0.118

0.126

0.026

0.034

0.046

0.054

0.090TYP

0.098

0.114

0.083

0.091

0.000

0.012

0.043

0.059

0.018

0.024

7.40

7.80

10.60

11.00

15.30

15.70

3.90

4.10

3.00

3.20

0.66

0.86

1.17

1.37

2.290TYP

2.50

2.90

2.10

2.30

0.00

0.30

1.10

1.50

0.45

0.60

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修订版：A

1作者：

2011/01/01

MCC

微型商业组件

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***客户意识***

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