【TRANSYS电子L I M I T E TO- 126C塑料封装晶体管2SD669晶体管（ NPN】,IC型号2SD669A-C-AB3-R,2SD669A-C-AB3-R PDF资料,2SD669A-C-AB3-R经销商,ic,电子元器件-51电子网

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电子

L I M I T E

TO- 126C塑料封装晶体管

2SD669

晶体管（ NPN ）

TO-126C

特点

功耗

P

厘米：

1

W（环境温度Tamb = 25℃）

1.发射器

2.收集

3. BASE

集电极电流

1.5

A

I

厘米：

集电极 - 基极电压

180

V

V

（ BR ） CBO

:

工作和存储结温范围

T

J

, T

英镑

： -55 ℃+ 150 ℃

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE(1)

直流电流增益

h

FE(2)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

集电极输出电容

V

CE （ SAT ）

V

BE

123

除非另有规定编）

TEST

条件

民

典型值

最大

单位

V

V

V

IC 。

1

妈，我

E

=0

IC 。

10

妈，我

B

=0

I

E

=

1

妈，我

C

=0

V

CB

=

160

V，I

E

=0

V

EB

=

4

V，I

C

=0

V

CE

=

5

V，I

C

=

150

mA

V

CE

=

5

V，I

C

=

500

mA

I

C

=

500

妈，我

B

=

50

mA

V

CE

=

5

V，I

C

=

150

mA

V

CE

=

5

V，I

C

=

150

mA

V

CB

=

10

V，I

E

=0, f=

1

兆赫

180

120

5

10

10

60

30

1

1.5

140

14

320

A

A

V

V

兆赫

pF

f

T

C

ob

分类h及

FE(1)

秩

范围

B

60-120

C

100-200

D

160-320

典型特征

2SD669

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