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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第414页 > 2SD667
2SD667 ， 2SD667A
NPN硅外延
应用
低频功率放大器
互补配对2SB647 / A
概要
TO-92MOD
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
2SD667 ， 2SD667A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
2SD667
120
80
5
1
2
0.9
150
-55到+150
2SD667A
120
100
5
1
2
0.9
150
-50至+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
2SD667
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
符号最小值
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
120
80
5
—
60
30
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
140
12
最大
—
—
—
10
320
—
1
1.5
—
—
2SD667A
民
120
100
5
—
60
30
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
140
12
最大
—
—
—
10
200
—
1
1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 100 V，I
E
= 0
V
CE
= 5 V,
I
C
= 150毫安*
2
V
CE
= 5 V,
I
C
= 500毫安*
2
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安*
2
V
CE
= 5 V,
I
C
= 150毫安*
2
V
CE
= 5 V,
I
C
= 150毫安*
2
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
直流电流传输比H
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
V
CE （ SAT ）
基极至发射极电压V
BE
增益带宽乘积F
T
集电极输出
电容
COB
注：1. 2SD667和2SD667A是用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试
B
2SD667
2SD667A
60至120
60至120
C
100至200
100至200
D
160到320
2
2SD667 ， 2SD667A
最大集电极耗散曲线
1.2
集电极耗散功率P
C
(W)
集电极电流I
C
(A)
1.0
典型的输出特性
35
30
25
20
15
10
5
0.4
P
0.8
0.8
0.6
2
=0
.9
W
0.4
C
0.2
1
0.5mA
I
B
= 0
0
50
100
150
环境温度Ta （C ）
0
2
4
6
8
10
集电极到发射极电压V
CE
(V)
典型的传输特性
500
集电极电流I
C
（MA ）
200
TA = 7
5
°
C
25
–25
直流电流传输比
与集电极电流
300
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 5 V
250
200
150
100
50
0
°
TA = 75
C
V
CE
= 5 V
100
50
20
10
5
2
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
25
–25
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
3
2SD667 ， 2SD667A
饱和电压
与集电极电流
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
30
100 300
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10 I
B
脉冲
V
BE （ SAT ）
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–25
°
C
TA =
25
75
75
5
2
°
C
–25
=
Ta
增益带宽积
与集电极电流
集电极输出电容C
ob
（PF ）
240
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
V
CE
= 5 V
200
160
120
80
40
0
10
200
100
50
20
10
5
2
1
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
I
E
= 0
30
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
1,000
2
5
10 20
50 100
集电极基极电压V
CB
(V)
4
单位：mm
4.8
±
0.3
3.8
±
0.3
0.65
±
0.1
0.75最大
0.5
±
0.1
0.7
0.60 MAX
2.3最大
10.1敏
8.0
±
0.5
0.5
1.27
2.54
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-92国防部
—
符合
0.35 g
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
2SD667
NPN硅外延
描述
在UTC
2SD667
是一个NPN型外延硅晶体管，其
可以用作一个低频功率放大器。
NPN硅晶体管
特点
·低频功率放大器
*无卤
订购信息
订购数量
2SD667G-T9N-B
2SD667G-T9N-K
包
TO-92NL
TO-92NL
1
E
E
引脚分配
2
C
C
3
B
B
填料
磁带盒
体积
www.unisonic.com.tw
2010 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R211-019.A
2SD667
绝对最大额定值
NPN硅晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
120
V
集电极到发射极电压
V
首席执行官
100
V
发射器基极电压
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
1.0
A
集电极电流峰值（注2 ）
I
CP
2.0
A
集电极耗散功率
P
C
0.9
W
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
°C
注： 1.Absolute最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
2. PW≤10ms ，职务cycle≤20 ％
电气特性
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，R
BE
=∞
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 120V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
V
CE
= 2V ，我
C
=150mA
V
CE
= 5V ，我
C
=1A
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
民
120
100
6
典型值
最大单位
V
V
V
500
nA
500
nA
330
0.5
1.1
V
V
140
40
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R211-019.A
2SD667
典型特征
NPN硅晶体管
集电极电流，I
C
(μA)
集电极电流，I
C
（MA ）
发射极电流与发射极，基极电压
120
集电极电流，I
C
（MA ）
100
发射极电流，I
E
(μA)
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
发射极 - 基极电压，V
EB
(V)
12
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
集电极电流与集电极
发射极电压
I
B
=1090μA
I
B
=890μA
I
B
=690μA
I
B
=490μA
I
B
=290μA
I
B
=90μA
1
2
3
4
5
6
7
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
集电极电流，I
C
（MA ）
3 4
QW-R211-019.A
2SD667
典型特征
集电极电流与集电极
发射极电压
NPN硅晶体管
1200
1000
I
B
=13.25mA
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
集电极 - 发射极电压，V
CE
(V)
I
B
=8.25mA
I
B
=3.25mA
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R211-019.A
2SD667 ， 2SD667A
NPN硅外延
REJ03G0769-0200
（上ADE- 208-1137 ）
Rev.2.00
Aug.10.2005
应用
低频功率放大器
互补配对2SB647 / A
概要
瑞萨封装代码： PRSS0003DC -A
（包名称： TO- 92 MOD）
1.发射器
2.收集
3. BASE
3
2
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
i
C（峰值）
P
C
Tj
TSTG
2SD667
120
80
5
1
2
0.9
150
-55到+150
2SD667A
120
100
5
1
2
0.9
150
-50至+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
Rev.2.00 2005年8月10日第1页5
2SD667 ， 2SD667A
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
收藏家基地
击穿电压
集电极到发射极
击穿电压
发射器基
击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
h
FE1
*
1
h
FE2
集电极到发射极
饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
V
CE （ SAT ）
V
BE
f
T
民
120
80
5
—
60
30
—
—
—
2SD667
典型值
最大
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
—
—
10
320
—
1
1.5
—
2SD667A
民
典型值
最大
120
—
—
100
5
—
60
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
140
12
—
—
10
200
—
1
1.5
—
—
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
C
= 1毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 100 V，I
E
= 0
V
CE
= 5 V,
2
I
C
= 150毫安*
V
CE
= 5 V,
2
I
C
= 500毫安*
I
C
= 500毫安，
2
I
B
= 50毫安*
V
CE
= 5 V,
2
I
C
= 150毫安*
V
CE
= 5 V,
2
I
C
= 150毫安*
V
CB
= 10 V，I
E
= 0,
F = 1 MHz的
COB
—
12
—
—
集电极输出
电容
注：1. 2SD667和2SD667A是用h分组
FE1
如下。
2.脉冲测试
B
C
D
2SD667
60至120
100至200
160到320
2SD667A
60至120
100至200
Rev.2.00 2005年8月10日第2页5
2SD667 ， 2SD667A
主要特点
最大集电极耗散曲线
典型的输出特性
1.0
35
30
25
20
15
10
5
0.4
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
集电极电流I
C
(A)
0.8
0.8
0.6
0.4
P
2
C
=0
.9
0.2
W
1
0.5mA
I
B
= 0
0
50
100
150
0
2
4
6
8
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
300
典型的传输特性
500
200
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
250
200
150
100
50
0
集电极电流Ic （ mA）的
°
C
TA = 75
25
–25
TA = 7
20
10
5
2
1
0
0.2
0.4
25
–25
0.6
0.8
50
5
°
C
100
1.0
1
3
10
30
100
300
1,000
基极至发射极电压V
BE
(V)
饱和电压
与集电极电流
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
增益带宽乘积F
T
（兆赫）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
10
30
100
300
1,000
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10 I
B
脉冲
V
BE （ SAT ）
240
V
CE
= 5 V
200
160
120
80
40
0
10
25
°
C
TA = -
25
75
75
5
2
C
25
°
=–
Ta
30
100
300
1,000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
Rev.2.00 2005年8月10日第3页5
2SD667 ， 2SD667A
集电极输出电容与
集电极 - 基极电压
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
100
50
20
10
5
2
1
2
5
10
20
50
100
F = 1 MHz的
I
E
= 0
集电极基极电压V
CB
(V)
Rev.2.00 2005年8月10日第4
2SD667 ， 2SD667A
包装尺寸
JEITA封装代码
SC-51
瑞萨代码
PRSS0003DC-A
包名称
的TO- 92国防部/ TO-92 ModV
质量[典型值]
0.35g
单位：mm
4.8 ± 0.4
3.8 ± 0.4
0.65 ± 0.1
0.75最大
0.55最大
0.60 MAX
2.3最大
0.7
10.1敏
8.0 ± 0.5
0.5最大
1.27
2.54
订购信息
部件名称
2SD667BTZ-E
2SD667CTZ-E
2SD667DTZ-E
2SD667ABTZ-E
2SD667ACTZ-E
2500
QUANTITY
中海集装箱
按住盒子，径向编带
注：对于某些牌号，产量可能被终止。请联系瑞萨销售办事处，检查状态
订购产品之前生产。
Rev.2.00 2005年8月10日第5
查看更多2SD667PDF信息
推荐型号
25AA320I/ST
25AA320-I/ST
2SB1309
2SC5758
296XC102B3B
27C512-12
24E20E35
2N1677
2082-6042-08
26PCDSP2G
296UC252B1B
2SD600E
22R333C
2SC3479
281285-1
24LC01B-E/SN
265005
295S224R253C32
2N5629
2N2060A
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD667
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市百润电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1943137555 复制 点击这里给我发消息 QQ：23610956 复制

电话：17876146278/15814081976
联系人：梁小姐
地址：华强广场B座7楼001室
2SD667
OTHER/其它
22+
10000
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