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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD641
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
应用
·转换器
逆变器
开关稳压器
电机控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
集热器
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
600
400
7
15
30
6
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
1.0
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
20
4
150
民
400
7
2SD641
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
2.0
0.5
0.1
140
V
V
mA
mA
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD641
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD641
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高转速
应用
·转换器
·
逆变器
·
开关稳压器
·
电机控制
钉扎（参见图2 ）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
最大
600
400
7
15
30
6
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 10A ;我
B
=2A
I
C
= 10A ;我
B
=2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
20
民
400
7
2SD641
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
2.0
0.5
0.1
140
4
150
V
V
mA
mA
兆赫
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD641
图2外形尺寸
3
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