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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入2SB632 / 632K
高
集电极耗散
ùWide
安全工作区
应用
·25V/35V,
2A低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
2SD612 2SD612K
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
参数
2SD612
V
CBO
集电极 - 基极电压
2SD612K
2SD612
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2SD612K
V
EBO
I
C
I
CM
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
D
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
10
150
-55~150
℃
℃
集电极开路
开基
35
5
2
3
1
W
V
A
A
发射极开路
35
25
V
条件
价值
25
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD612
I
C
= 1毫安;
BE
=∞
2SD612K
2SD612
I
C
= 10μA ;我
E
=0
2SD612K
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
V
CB
= 20V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
条件
2SD612 2SD612K
民
25
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
V
35
25
V
35
5
0.3
1.1
0.8
1.5
1
1
60
30
100
30
兆赫
pF
320
V
V
V
μA
μA
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开关时间
t
on
t
f
t
英镑
开启时间
下降时间
贮存时间
I
C
= 500毫安; V
CE
=12V
I
B1
=-I
B2
=50mA
0.05
0.10
0.40
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD612 2SD612K
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD612 2SD612K
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 126封装
·补键入2SB632 / 632K
·高集电极耗散
·安全运行的广域
应用
· 25V / 35V ， 2A低频功率
扩增fi er应用
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
2SD612 2SD612K
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
参数
2SD612
集电极 - 基极电压
2SD612K
2SD612
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
D
T
j
T
英镑
集电极 - 发射极电压
2SD612K
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
T
a
=25
总功耗
T
C
=25
结温
储存温度
10
150
-55~150
集电极开路
开基
35
5
2
3
1
W
V
A
A
发射极开路
35
25
V
条件
价值
25
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
2SD612
I
C
= 1毫安;
BE
=;
2SD612K
2SD612
I
C
= 10μA ;我
E
=0
2SD612K
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.15A
V
CB
= 20V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=2V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
F = 1MHz的; V
CB
=10V
条件
符号
2SD612 2SD612K
民
25
典型值。
最大
单位
V
（ BR ） CEO
V
35
25
V
35
5
0.3
1.1
0.8
1.5
1
1
60
30
100
30
兆赫
pF
320
V
V
V
A
A
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基
击穿电压
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
开关时间
t
on
t
f
t
英镑
开启时间
下降时间
贮存时间
I
C
= 500毫安; V
CE
=12V
I
B1
=-I
B2
=50mA
0.05
0.10
0.40
s
s
s
h
FE-1
分类
D
60-120
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD612 2SD612K
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD612 2SD612K
4
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