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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第344页 > 2SD602A
2SD602 ， 602A
公司Bauelemente
NPN塑封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素和无铅
特点
对于一般的放大
补充2SB710和2SB710A
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
3
集热器
1
BASE
SOT-23
暗淡
A
2
辐射源
民
2.800
1.200
0.890
0.370
1.780
0.013
0.085
0.450
0.890
2.100
0.450
最大
3.040
1.400
1.110
0.500
2.040
0.100
0.177
0.600
1.020
2.500
0.600
B
C
D
G
标识代码
2SD602 ：
2SD602A ：
WQ1 ， WR1 ， WS1
XQ ， XR ， XS
1
3
A
L
K
B·S
2
H
J
J
K
C
顶视图
L
S
V
V
G
D
H
单位：mm外形尺寸
绝对最大额定值在Ta = 25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Currrent
总功耗
交界处，贮存温度
2SD602
2SD602A
2SD602
2SD602A
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
T
J
, T
英镑
评级
30
60
25
50
5
500
200
+150, -55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
特性在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
（脉冲测试）
直流电流增益（脉冲测试）
跃迁频率
输出电容
测试条件
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CE
= 20V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 500毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
2SD602
2SD602A
2SD602
2SD602A
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE(1)
h
FE(2)
f
T
C
OB
分钟。
30
60
25
50
5
-
-
-
85
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.1
0.1
单位
V
V
V
μA
μA
V
-
-
-
200
-
0.6
340
-
-
15
兆赫
pF
分类h及
FE
1
秩
范围
2SD602
2SD602A
Q
85 - 170
85 - 170
R
120 - 240
120 - 240
S
170 - 340
170 - 340
01月， 2005年修订版A
第1页2
2SD602 ， 602A
公司Bauelemente
NPN塑封装晶体管
特性曲线
01月， 2005年修订版A
第2页2
SMD型
NPN硅外延平面型
2SD602A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
60
5
500
1
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20 V，I
E
= 0
V
CE
= 10 V，I
C
= 150毫安
85
160
0.35
200
6
15
民
60
50
5
0.1
340
0.6
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
f
T
C
ob
V
CB
= 10 V，I
E
= -50毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
XQ
85 170
XR
120 240
XS
170 340
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
晶体管
2SD602 ， 2SD602A
NPN硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SB710和2SB710A
单位：mm
s
特点
q
q
2.8
–0.3
0.65±0.15
+0.2
2.9
–0.05
1.9±0.2
+0.2
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
迷你型封装，设备，允许小型化，
通过带包装盒自动插入
包装。
(Ta=25C)
1.5
–0.05
+0.25
0.65±0.15
0.95
1
0.95
3
0.4
–0.05
+0.1
s
绝对最大额定值
参数
集电极
基极电压
集电极
2SD602
2SD602A
2SD602
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
CBO
符号
2
60
25
50
5
1
500
200
150
–55 ~ +150
V
发射极电压2SD602A
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
V
A
mA
mW
C
C
1 ：基本
2 ：发射器
3 ：收藏家
JEDEC ： TO- 236
EIAJ ： SC- 59
迷你型包装
标记符号：
W
(2SD602)
X
(2SD602A)
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家基地
电压
集电极到发射极
电压
2SD602
2SD602A
2SD602
2SD602A
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE1*1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 150毫安
*2
V
CE
= 10V ，我
C
= 500毫安
*2
I
C
= 300毫安，我
B
= 30毫安
*2
V
CB
= 10V ，我
E
= -50mA
*2
中，f = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
30
60
25
50
5
85
40
0.35
200
6
*2
民
典型值
0-0.1
为0.1 0.3
0.4±0.2
0.8
30
+0.2
1.1
–0.1
最大
0.1
0.16
–0.06
评级
单位
+0.1
1.45
单位
A
V
V
V
160
340
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
h
FE1
等级分类
0.6
V
兆赫
15
pF
脉冲测量
秩
h
FE1
记号
符号
2SD602
2SD602A
Q
85 ~ 170
WQ
XQ
R
120 ~ 240
WR
XR
S
170 ~ 340
WS
XS
1
晶体管
P
C
- TA
240
800
700
200
2SD602 ， 2SD602A
I
C
— V
CE
Ta=25C
I
B
=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
400
300
200
100
3mA
2mA
1mA
800
V
CE
=10V
Ta=25C
700
I
C
— I
B
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
600
500
集电极电流I
C
（MA ）
20
600
500
400
300
200
100
0
160
120
80
40
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
4
8
12
16
0
2
4
6
8
10
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=75C
25C
–25C
V
BE （ SAT ）
— I
C
基地发射极饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
100
30
10
3
25C
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.01 0.03
Ta=–25C
75C
I
C
/I
B
=10
300
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
正向电流传输比H
FE
250
Ta=75C
200
25C
–25C
150
100
50
0.1
0.3
1
3
10
0.1
0.3
1
3
10
0
0.01 0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
f
T
— I
E
240
12
C
ob
— V
CB
集电极输出电容C
ob
（PF ）
集电极到发射极电压V
CER
(V)
V
CB
=10V
Ta=25C
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
120
V
CER
— R
BE
I
C
=2mA
Ta=25C
100
过渡频率f
T
（兆赫）
200
10
160
8
80
120
6
60
2SD602A
40
2SD602
20
80
4
40
2
0
–1
0
–3
–10
–30
–100
1
3
10
30
100
0
1
3
10
30
100
300
1000
发射极电流I
E
（MA ）
集电极基极电压V
CB
(V)
基极 - 射极电阻R
BE
(k)
2
2SD602A
晶体管（ NPN ）
SOT–23
特点
低集电极到发射极饱和电压
迷你型包装
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
60
50
5
500
200
625
150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃/W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
电气特性（T
a
= 25 ℃除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
V
CE （ SAT ）
*
f
T
C
ob
TEST
条件
民
60
50
5
0.1
0.1
85
40
0.6
200
15
V
兆赫
pF
340
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
I
C
= 10μA ，我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ，我
C
=0
V
CB
= 20V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=0.15A
V
CE
= 10V ，我
C
=0.5A
I
C
= 0.3A ，我
B
=0.03A
V
CE
=10V,I
C
= 0.05A ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度≤350μs ，值班cycle≤ 2.0 ％ 。
分类
h
FE(1)
秩
范围
记号
Q
85–170
XQ
R
120–240
XR
S
170–340
XS
１　
金隅
半导体
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2SC5010
200HF80PV
2-1375820-8
2SB1320AQ
2274-10SURD/S530-A3
20KP48A
29U294ADFE
25XX040XT-I/SN
27LV64-25I/SO
22PCFSD6G
2SD1619R
25LC040AXT-I/OT
265562
2SA1757D
227LMH400M2DC
20020107-G201A01LF
254001
2SC3468E
2SC2078E
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD602A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市科恒伟业电子有限公司
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28562
SOT-23
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联系人：小邹
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2SD602A
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SOT-23
全系列封装原装正品★晶体管
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CJ/长电
24+
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原装正品，可含税供应。品质保障
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地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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SOT23
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