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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD478
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SB568
应用
ULOW
高频高电压功率
放大器电视垂直偏转输出
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-45~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
150
6
2
5
1.8
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=∞
I
E
= 5毫安;我
C
=0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
60
民
150
6
典型值。
2SD478
最大
单位
V
V
3.0
1.0
1.0
1.0
320
V
V
μA
μA
h
FE-1
分类
B
60-120
C
100-200
D
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD478
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD478
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SB568
应用
·低频高压电源
放大器电视垂直偏转输出
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
30
150
-45~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
200
150
6
2
5
1.8
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=:
I
E
= 5毫安;我
C
=0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
60
民
150
6
典型值。
2SD478
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
最大
单位
V
V
3.0
1.0
1.0
1.0
320
V
V
A
A
h
FE-1
分类
B
60-120
C
100-200
D
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD478
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD478
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
键入2SB568
应用
ULOW
高频高电压功率
放大器电视垂直偏转输出
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
固电
IN
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
ES
昂
CH
T
a
=25℃
导½
半
发射极开路
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
200
150
6
2
5
1.8
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
30
150
-45~150
W
T
j
T
英镑
结温
储存温度
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 50毫安;
BE
=∞
I
E
= 5毫安;我
C
=0
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50米一
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
V
CB
= 120V ;我
E
=0
V
EB
= 4V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=10V
60
60
民
150
6
典型值。
2SD478
最大
单位
V
V
3.0
1.0
1.0
1.0
320
V
V
μA
μA
h
FE-1
分类
B
60-120
C
固电
100-200
IN
ES
昂
CH
D
160-320
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD478
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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推荐型号
2SB1296
2SA1145_07
206-111ESN
2035-23-SM-LF
24AA32AX-I/SM
200SXW82M16X25
2SA1851D
202A121
27LV64-20I/J
2SD774
2-103735-0
2N3637L
2SK1534
2SC2618D
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2-1825046-2
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