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2SD2719
东芝三极管
硅NPN外延型(达林顿功率)
2SD2719
电磁驱动应用
电机驱动应用
高直流电流增益:H
FE
= 2000 (分钟) (V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A)
齐纳二极管之间包括集电极和基
单位:mm
绝对最大额定值
(大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
(注)
T
j
T
英镑
等级
50
60±10
8
0.8
3
0.5
0.8
1.25
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
1.基地
2.辐射源
3.收集
JEDEC
JEITA
东芝
2-3S1C
注1 :安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜区,
645 mm
2
)
重量0.01克(典型值)。
注2 :在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
等效电路
集热器
BASE
≒5
辐射源
≒300
Ω
1
2007-06-07
2SD2719
电气特性
(大
=
25°C)
特征
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
开启时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE (饱和)(1)
V
CE (饱和)(2)
V
BE (SAT)
t
on
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
45 V,I
E
=
0
V
CE
=
45 V,I
E
=
0
V
EB
=
8 V,I
C
=
0
I
C
=
10毫安,我
B
=
0
V
CE
=
2 V,I
C
=
1 A
I
C
=
0.5 A,I
B
=
1毫安
I
C
=
1 ,我
B
=
1毫安
I
C
=
1 ,我
B
=
1毫安
输入20
μs
5V
产量
R
L
=
30
Ω
0.80
50
2000
典型值。
60
0.4
4.0
0.6
最大
10
10
4.0
70
1.2
1.5
2.0
μs
V
V
V
单位
μA
μA
mA
V
占空比
≦1%
V
CC
=
30 V
记号
产品型号(或缩写代码)
W V
批号(年)
点:偶数年
没有点:奇数年
很多代码(月)
2
2007-06-07
2SD2719
I
C
– V
CE
3.2
3
1
0.5
共发射极
TA = 25°C
0.3
2.4
3.2
I
C
– V
BE
共发射极
VCE = 2 V
(A)
(A)
集电极电流I
C
2.4
集电极电流I
C
1.6
0.22
1.6
25
Ta
=
100℃
55
0.20
0.8
IB
=
0.18毫安
0
0
2
4
6
8
0.8
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
5000
共发射极
VCE = 2 V
10
V
CE (SAT)
– I
C
共发射极
IC / IB = 500
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
5
3
直流电流增益
FE
3000
Ta
=
100°C
1000
55
25
500
300
1
55
25
0.5
0.3
0.1
Ta
=
100°C
100
0.03 0.05
0.1
0.3 0.5
1
3
5
10
)
1
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
V
CE
– I
B
2.4
10
共发射极
TA = 25°C
V
BE (SAT)
– I
C
共发射极
IC / IB = 500
V
CE
(V)
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
2.0
2.5
2.0
1.5
1.2
1.0
0.5
0.8
0.1
IC
=
3.0 A
5
3
1.6
集电极 - 发射极电压
55
25
1
Ta
=100°C
0.4
0.5
0.3
0.1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1
10
基极电流I
B
(MA )
集电极电流I
C
(A)
3
2007-06-07
2SD2719
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
th
( ° C / W)
100
10
曲线仅适用于热敏电阻的有限区域。
单一不重复的脉冲
区, 645毫米
2
)
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Ta
=
25°C
安装在FR4电路板(环氧玻璃,厚1.6毫米,铜
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
IC MAX(脉冲)
*
10毫秒*
1毫秒*
(A)
集电极电流I
C
最大1 IC(连续)
100毫秒*
10 s*
直流操作
Ta=25℃
0.1
* :单非重复脉冲
Ta
=
25°C
注意,该曲线为100毫秒*,
10秒* ,直流操作将是
不同的,当设备不在
安装在FR4板
(玻璃环氧树脂; 1.6mm厚;铜
2
区域645毫米)。这些
特性曲线必须是
与增加的降额直线
温度。
0.01
1
VCEO MAX 。
10
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2007-06-07
2SD2719
限制产品使用
东芝公司及其子公司和联营公司(统称为“ TOSHIBA” ) ,保留更改信息的权利
在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
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东芝的书面许可,复制是允许的,只要还原度没有改变/遗漏。
虽然东芝的作品不断地提高产品的质量和可靠性,产品可能出现故障或失败。客户
负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
这最大限度地降低风险,并避免出现在产品的故障或失效可能导致生命丧失,身体系统
人身伤害或财产损失,包括数据丢失或损坏。在创建和生产设计和使用,客户必须
也指并遵守第(一)所有相关信息东芝的最新版本,包括但不限于本文件,
规格,数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA
半导体可靠性手册“和(b)对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户
独自负责其自己的产品设计或应用程序的所有方面,包括但不限于: (a)确定的
使用此类设计或应用该产品的适当性; ( b)评价和确定的任何适用性
本文档中包含的信息,或图表,图表,程序,算法,样本应用电路,或其他任何
引用的文件; (三)验证了这样的设计和应用的所有工作参数。
东芝不承担任何
责任为客户的产品设计或应用。
产品适用于一般电子设备的应用程序(使用例如,计算机,个人设备,办公设备,测量
设备,工业机器人和家用电子电器) ,或针对特定应用本文件中的明确规定。
产品既不打算也不保证在设备或系统的使用要求非常高的质量水平和/或
可靠性和/或故障或故障可能导致人的生命,人身伤害,严重财产损失或严重损失
公众的影响( “误用”)。意想不到的用途包括,但不限于核设施中使用的设备,二手设备
在航空航天工业,医疗设备,用于汽车,火车,轮船等运输,交通信号设备
设备,用来控制发火或爆炸,安全装置,电梯和自动扶梯设备,相关电力设备
电力,装备财务相关领域。不要使用产品的误用,除非在此特别许可
文档。
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数据丢失;(2 )拒绝任何明示或暗示的保证以及与条件
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适用于特定用途,精度信息,或不侵权的。
不要使用或以其他方式提供产品或相关软件或技术进行任何军事目的,包括但
限制,在设计,开发,使用,核武器,化学武器或生物武器或导弹储存或生产
技术产品(大规模杀伤武器) 。产品及相关软件和技术可根据被控制
日本外汇及外国贸易法和美国出口管理条例。出口和再出口产品
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请联系您的东芝销售代表的详细情况,诸如环境问题,如产品的RoHS指令的兼容性。
请遵守该规范的受控物质列入或使用的所有适用法律和法规使用的产品,
包括但不限于欧盟的RoHS指令。东芝对发生的结果损害或损失不承担任何责任
不遵守适用的法律和法规。
5
2007-06-07
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TOSHIBA/东芝
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SOT
全新原装现货,原厂代理。
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
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SOT23
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联系人:销售部
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HAMOS/汉姆
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22000
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
2SD2719
TOSHIBA
25+23+
12500
SOT
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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TOSHIBA/东芝
21+22+
27000
SOT
原装正品
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TOSHIBA/东芝
1539+
14036
SOT
原装正品,支持实单
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TOSHIBA/东芝
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23000
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