订购数量： ENN6960
2SB1683 / 2SD2639
2SB1683 ： PNP外延平面硅晶体管
2SD2639 ： NPN型三重扩散平面硅晶体管
2SB1683 / 2SD2639
140V / 12A ，自动对焦60W输出应用
特点
包装尺寸
单位：mm
2010C
[ 2SB1683 / 2SD2639 ]
10.2
3.6
5.1
2.7
6.3
4.5
由于芯片上的镇流器电阻宽的ASO 。
英尺当前和良好的HF良好的相关性
的特点。
1.3
18.0
5.6
1.2
14.0
0.8
15.1
0.4
1 2 3
2.7
特定网络阳离子
（）： 2SB1683
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
TSTG
条件
2.55
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
2.55
三洋： TO- 220
评级
(--)160
(--)140
(--)6
(--)12
(--)15
80
150
--40到150
Tc=25°C
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
符号
ICBO
IEBO
条件
VCB = （ - ） 80V ， IE = 0
VEB = （ - ） 4V， IC = 0
评级
民
典型值
最大
(--)0.1
(--)0.1
单位
mA
mA
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
62501 TS IM TA- 3139 ， 3140 No.6960-1 / 4
2SB1683 / 2SD2639
从接下页。
参数
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
下降时间
贮存时间
符号
hFE1
hFE2
fT
COB
VBE
VCE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
tf
TSTG
条件
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 1A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 6A
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 1A
VCB = （ - ） 10V ， F = 1MHz的
VCE = （ - ） 5V ， IC = （ - ） 1A
IC = （ - ） 5A ， IB = （ - ） 0.5A
IC = （ - ） 5毫安， IE = 0
IC = （ - ） 5毫安， RBE = ∞
IC = （ - ） 50mA时RBE = ∞
IE = （ - ） 5毫安， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
60*
20
典型值
最大
200*
单位
15
(300)210
(1.1)0.6
(--)160
(--)140
(--)140
(--)6
(0.25)0.26
(0.53)0.68
(1.61)6.88
1.5
2.5
兆赫
pF
V
V
V
V
V
V
s
s
s
*：本2SB1683 / 2SD2639是由图1A的hFE分类如下：
秩
的hFE
D
60至120
E
100至200
开关时间测试电路
IB1
PW=20s
D.C.≤1%
输入
51
VR
200
IB2
RB
1
+
1F
+
1F
RL
20
VCC=20V
产量
10IB1 = --10IB2 = IC = 1A
VBE=--2V
（对于PNP ，极性是相反的）
--10
IC - VCE
2SB1683
10
IC - VCE
A
200mA
2SD2639
集电极电流， IC - 一个
--2
4
集电极电流， IC - 一个
--8
mA
200
mA
--
0
--16
--120mA
8
mA
160
mA
120
80mA
--6
0m
A
6
--80mA
--4
24
0m
40mA
4
--40mA
--20mA
--2
20mA
2
0
0
--10
--20
--30
IB=0
--40
IT03152
0
0
10
20
30
40
IT03153
集电极 - 发射极电压VCE - V
--7
IC - VBE
集电极 - 发射极电压VCE - V
7
IC - VBE
--6
2SB1683
VCE = --5V
集电极电流， IC - 一个
6
2SD2639
VCE=5V
集电极电流， IC - 一个
--5
5
--4
4
--3
3
--2
2
--1
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
基极发射极电压VBE - V
IT03154
基极发射极电压VBE - V
IT03155
No.6960-2/4
2SB1683 / 2SD2639
5
3
2
VBE （星期六） - IC
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
2SD1683
IC / IB = 10
5
3
2
VBE （星期六） - IC
2SD2639
IC / IB = 10
基极 - 发射极
饱和电压VBE （星期六） - V
--10
7
5
3
2
10
7
5
3
2
--1.0
7
5
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
--10
IT03164
7
1.0
7
5
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
IT03165
3
2
10
正向偏置S 0
ICP=15A
IC=12A
DC
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
120
PC - 锝
2SB1683 / 2SD2639
2SB1683 / 2SD2639
集电极耗散，电脑 - 含
100
1m
10
m
集电极电流， IC - 一个
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
s
10
op
ERA
t
s
0m
80
s
离子
60
40
0.1
1.0
Tc=25°C
单脉冲
为PNP型，省略了负号
2
3
5
7
10
2
3
5
7 100
2
3
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT03166
外壳温度，TC -
°C
IT03168
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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