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等效电路
C
达林顿
2SD2561
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
C
OB
条件
V
CB
=150V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
= 4V ,我
C
=10A
I
C
= 10A ,我
B
=10mA
I
C
= 10A ,我
B
=10mA
V
CE
= 12V,我
E
=–2A
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
2SD2561
100
最大
100
最大
150
5000
2.5
最大
3.0
最大
70
典型值
120
典型值
V
V
兆赫
pF
20.0min
4.0max
2
3
B
( 7 0
)
E
硅NPN三重扩散平面晶体管
(补键入2SB1648 )
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SD2561
150
150
5
17
1
200(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用:
音频系列稳压器和通用
(Ta=25°C)
单位
外形尺寸
MT-200
36.4
±0.3
24.4
±0.2
2-3.2
±0.1
9
7
21.4
±0.3
2.1
6.0
±0.2
A
A
V
a
b
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
B
C
E
5.45
±0.1
0.65
+0.2
-0.1
3.0
+0.3
-0.1
h
FE
O( 5000 12000 ) , P( 6500 20000 ) , Y( 15000至30000)
s
典型的开关特性(共发射极)
V
CC
(V)
40
R
L
()
4
I
C
(A)
10
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
(MA )
10
I
B2
(MA )
–10
t
on
(
s)
0.8typ
t
英镑
(
s)
4.0typ
t
f
(
s)
1.2typ
重量:约18.4克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
CE
特征
(典型值)
ollector - è手套儿个TU配给武LT年龄V
权证(SAT)
( V )
17
50mA
V
CE
(SAT) - 我
B
特征
(典型值)
3
I
C
– V
温度特性
(典型值)
17
15
( V
CE
=4 V )
10mA
2m
3m
A
1.5微米的
15
A
1.0微米的
C 0 L L权证T或C ü R R简T I
C
( A )
0 0.8米一
2
10
C 0 L L EC为R C ü R R简T I
C
( A)
10
MP )
ê特
(CAS
25C
p)
I
C
= .1 5A
I
C
= .1 0A
1
I
C
= . 5A
eT
125
0
0
2
4
6
0
0.2
0.5
1
5
10
50
100 200
0
0
1
–30
C (C
C
5
I
B
=0.3mA
5
(CA
s
ASE牛逼
EMP )
em
0.5mA
2
2.6
COL L E CT或 - EM也忒诉OL标签ê V
权证
(V)
巴斯式C乌尔鄂西北我
B
(M A)
巴发E - ê M I TT 诉OL吨AG电子V
( V)
(V
权证
=4 V )
50000
DC C-UR重新NT嘎我N·H
FE
DC C-UR 鄂西北嘎我N·H
F ê
50000
12
5C
( V
权证
= 4 V)
瞬态热阻
θ
-a
(℃ / W)的
h
F ê
– I
C
特征
(典型值)
h
F ê
– I
C
温度特性
(典型值)
θ
的J - 一
- T特征
2
典型值
10000
5000
1
10000
5000
25
C
0 .5
–30
C
1000
500
02
0.5
1
醇L E克拉 姜黄素仁T I
C
(A )
5
10
17
1000
500
02
0 .5
1
OL升EC T或C乌尔 - [R EN T I
C
( A)
5
10
17
0 .1
1
10
10 0
时间t( ms)的
1 0 0 0 20 0 0
f
T
– I
E
特征
(典型值)
(V
权证
=1 2 V )
80
安全工作区
(单脉冲)
200
电脑 - 钽降额
M我们R D所I S的I P A T I O 4 N P一XIM ü米P 2 O
C
( W )
160
W
第i个
UT- FRE关曲简和Y F
T
( M·H
Z
)
60
In
120
ITE
he
40
at
si
nk
80
20
40
无需散热器
0
25
50
75
100
12 5
1 50
0
–0.02
– 0. 1
–1
EM I T吨ER Curre NT I
E
(A)
–10
5
0
A M B即N t个牛逼EM P·E R A TU - [R (E T) A( C)
159
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2561
描述
·带
MT- 200封装
.Complement
键入2SB1648
应用
·音频
,系列稳压器和通用
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
150
150
5
17
1
200
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CE(
SAT
)
V
BE (
SAT
)
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
ob
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 30毫安,我
B
=0
I
C
= 10A ;我
B
=10mA
I
C
= 10A ;我
B
=10mA
V
CB
= 150V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
E
= -2A ; V
CE
=12V
5000
120
70
150
典型值。
2SD2561
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
pF
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=10A;R
L
=4Ω
I
B1
=-I
B2
=10mA
V
CC
=40V
0.8
4.0
1.2
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2561
图2外形尺寸
3
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型号
厂家
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数量
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD2561
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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10000
MT-200
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SD2561
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10000
MT-200
全新原装现货,原厂代理。
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SD2561
SanKen
2024
20918
MT-200
原装现货上海库存,欢迎查询
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2SD2561
SANKEN
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联系人:刘经理
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SANKEN
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MT-200
全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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