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等效电路
C
达林顿
2SD2494
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
OB
条件
V
CB
=110V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
= 4V ，我
C
=5A
I
C
= 5A ，我
B
=5mA
I
C
= 5A ，我
B
=5mA
V
CE
= 12V，我
E
=–0.5A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
2SD2494
100
最大
100
最大
110
民
5000
民
2.5
最大
3.0
最大
60
典型值
55
典型值
V
V
16.2
B
(7 0
)
E
硅NPN三重扩散平面晶体管
（补键入2SB1625 ）
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SD2494
110
110
5
6
1
60(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用：
音频系列稳压器和通用
(Ta=25°C)
单位
外形尺寸
FM100(TO3PF)
0.8
±0.2
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
±0.2
5.5
3.3
±0.2
1.6
A
23.0
±0.3
V
9.5
±0.2
A
a
b
兆赫
pF
1.75
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
1.5
4.4
5.45
±0.1
1.5
0.65
+0.2
-0.1
3.3
0.8
h
FE
秩
O（ 5000 12000 ） ， P（ 6500 20000 ） ， Y（ 15000至30000）
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
30
R
L
()
6
I
C
(A)
5
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
（MA ）
5
I
B2
（MA ）
–5
t
on
(
s)
0.8typ
t
英镑
(
s)
6.2typ
t
f
(
s)
1.1typ
3.35
B
C
E
重量：约6.5克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
权证
特征
（典型值）
A
1m
V
CE
（SAT） - 我
B
特征
（典型值）
OL讲师 - 在uration V LT岁; V。E MI TT ER S
权证（S一T）
(V )
3
I
C
– V
BE
温度特性
（典型值）
6
( V
CE
=4 V )
6
5mA
0.
5
mA
0 0.4米一
0 3M公司
C 0 L L EC为R C ü R R简T I
C
( A)
4
0.2米一
C 0 L L EC T或C ü R R简T I
C
( A )
2
4
统
p)
I
C
= 5 A
p)
CAS
e
2
1
I
C
= 3 A
2
ê统
C (
25C
I
B
=0.1mA
0
0
2
4
6
0
0 .1
0.5
1
5
10
50
100
0
0
1
–30C
125
（案例
（CAS
温度
)
2
3.0
2 .5
联合L L EC T或 - 惠吨T E R诉OL踏歌V
权证
(V)
巴斯式C乌尔 - [R EN T I
B
（M A）
B一个发E - EM I T T O服务武L T A G é V
BE
( V )
h
FE
– I
C
特征
（典型值）
(V
权证
=4 V)
40000
D C铜RR连接的Tg艾N·H
FE
h
F ê
– I
C
温度特性
（典型值）
( V
权证
= 4 V)
40000
D C ú R R简吨克有效成分N·H
FE
瞬态热阻
θ
J-一
（ C / W ）
5
θ
的J - 一
- T特征
典型值
10000
5000
10000
5000
1 2 5 C
2 5 C
1000
500
– 30 C
1
1000
500
200
0.02
0.5
1
5
10
5 0 10 0
时间t（ ms）的
5 0 0 1 0 0 0 20 0 0
0. 1
0. 5
1
5 6
100
0.02
0.1
0. 5
1
56
OL升EC T或C ü RRE NT I
C
(A )
联合升乐于r铜R R EN T I
C
( A)
f
T
– I
E
特征
（典型值）
(V
权证
=1 2 V)
80
20
安全工作区
（单脉冲）
60
电脑 - 钽降额
典型值
10
5
10
60
合作LLE CT R C ü R R简T I
C
( A)
M IM AX UM P流è R D所I S的I P A T I O 4 N P
C
( W )
10
铜吨-O FF量F r é Q ü简和Y F
T
（ M·H
Z
)
W
m
D
第i个
s
C
0m
s
40
In
鳍
ITE
he
40
1
0.5
无需散热器
自然冷却
0.1
at
si
nk
20
20
无需散热器
5
10
50
1 00
20 0
3.5
0
0
25
50
75
100
125
150
0
–0.02
– 0. 1
–1
–6
0 .0 5
3
EMI吨T E 铜RRE NT I
E
( A)
OL升EC T或 - 他们我TT é 卷吨AG电子V
权证
( V)
A M B I连接吨率T e米P·E·R一吨UR （E T） A（ C）
154
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SB1625
应用
·音频系列
监管机构和一般
用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
描述
2SD2494
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
110
5
6
1
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
V
CB
= 110V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
60
55
民
110
2SD2494
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;R
L
=6Ω
I
B1
=-I
B2
=5mA
V
CC
=30V
0.8
6.2
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2494
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
·采用TO- 3PML包
·补键入2SB1625
应用
·音频，串联稳压器和通用
用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2SD2494
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
110
5
6
1
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
1
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
V
CB
= 110V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
民
110
2SD2494
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
A
A
60
55
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;R
L
=6@
I
B1
=-I
B2
=5mA
V
CC
=30V
0.8
6.2
1.1
s
s
s
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2494
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN达林顿功率晶体管
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SB1625
应用
·音频，
系列
调节器
■一般
用途
钉扎
2SD2494
针
1
2
3
BASE
描述
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
最大绝对额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
110
110
5
6
1
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
I
C
= 5 A;我
B
= 5M一
V
CB
= 110V我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 5A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
60
55
民
110
2SD2494
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=5A;R
L
=6Ω
I
B1
=-I
B2
=5mA
V
CC
=30V
0.8
6.2
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2494
图2外形尺寸
JMnic
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2-796423-4
24PCBFD1G
24LC08BT-/SM
2SD0875S
28DC515-150
299-93-320-10-001
2982-2240-00
2SJ288
248-7-10-25K
2040.0817
250MMBA123KE7TC
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厂家
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    2SD2494
    -
    -
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    -
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