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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第85页 > 2SD2474
SMD型
NPN硅外延平面型
2SD2474
晶体管
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
小功率型封装，设备的小型化使
并通过磁带包装盒自动插入
包装。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
10
10
7
2.4
2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 7 V，I
E
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 200毫安
10
10
7
200
0.19
60
100
800
0.25
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
1
单位
ìA
V
V
V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1 A，I
B
= 10毫安
f
T
COB
V
CB
= 6 V，I
E
= -50毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= 6 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
记号
记号
2F
www.kexin.com.cn
1
晶体管
2SB1612
PNP硅外延平面型
对于低频放大
补充2SD2474
单位：mm
s
特点
q
q
4.5±0.1
1.6±0.2
1.5±0.1
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
小功率型封装，设备的小型化使
并通过带包装和maga-自动插入
杂志包装。
2.6±0.1
0.4max.
45°
1.0
–0.2
+0.1
0.4±0.08
4.0
–0.20
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*
0.5±0.08
1.5±0.1
0.4±0.04
(Ta=25C)
评级
–10
–10
–7
–2.4
–2
1
150
–55 ~ +150
单位
V
V
V
A
A
W
C
C
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
3
3.0±0.15
2
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C*
T
j
T
英镑
记号
EIAJ SC- 62
迷你功率型封装
标记符号：
2F
印刷电路板：为1cm铜箔区
2
以上，板
厚度1.7毫米的集电极部
s
电气特性
参数
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
(Ta=25C)
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= -7V ，我
E
= 0
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -1mA ，我
B
= 0
I
E
= -10μA ，我
C
= 0
V
CE
= -2V ，我
C
= 200毫安
I
C
= -1A ，我
B
= -10mA
V
CB
= -6V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的
V
CB
= -6V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
–10
–10
–7
200
– 0.19
60
100
800
– 0.25
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
–1
单位
A
V
V
V
2.5±0.1
+0.25
1
晶体管
P
C
- TA
1.4
2SB1612
I
C
— V
CE
–1.2
Ta=25C
–1.0
–2.5
–3.0
V
CE
=–2V
I
C
— V
BE
集电极耗散功率P
C
(W)
1.2
印刷circut板：铜
为1cm箔领域
2
或更多，并且
的1.7毫米板厚度
对于集电部。
25C
Ta=75C
–25C
集电极电流I
C
(A)
1.0
– 0.8
集电极电流I
C
(A)
I
B
=–3.0mA
–2.5mA
–2.0mA
–1.5mA
–1.0mA
- 0.5毫安
–2.0
0.8
– 0.6
–1.5
0.6
– 0.4
–1.0
0.4
0.2
– 0.2
– 0.5
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
– 0.4 – 0.8 –1.2
–1.6
–2.0
–2.4
0
0
– 0.2 – 0.4 – 0.6 – 0.8 –1.0
–1.2
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
–100
–30
–10
–3
–1
I
C
/I
B
=100
600
h
FE
— I
C
240
V
CE
=–2V
f
T
— I
E
V
CB
=–6V
f=200MHz
Ta=25C
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（兆赫）
–1
–3
–10
200
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
160
120
– 0.3
25C
– 0.1
Ta=75C
80
–25C
100
40
– 0.03
– 0.01
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
0
– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3
0
1
3
10
30
100
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
发射极电流I
E
（MA ）
C
ob
— V
CB
240
集电极输出电容C
ob
（PF ）
200
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25C
160
120
80
40
0
–1
–3
–10
–30
–100
集电极基极电压V
CB
(V)
2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD2474
特点
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
.
小功率型封装，设备的小型化使
并通过磁带包装盒自动插入
包装。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
10
10
7
2.4
2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 7 V，I
E
= 0
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 200毫安
10
10
7
200
0.19
60
100
800
0.25
V
兆赫
pF
民
典型值
最大
1
单位
ìA
V
V
V
V
CE （ SAT ）
I
C
= 1 A，I
B
= 10毫安
f
T
COB
V
CB
= 6 V，I
E
= -50毫安， F = 200 MHz的
V
CB
= 6 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
记号
记号
2F
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
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24PCAFI2G
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2N5637
2SC4652F
2SB1115
22-28-2110
258644
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    2SD2474
    -
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    -
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