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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2439
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SB1588
应用
·音频
，系列稳压器和通用
用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
10
1
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
2SD2439
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10Ω
I
B1
=-I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2439
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2439
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SB1588
应用
·音频
，稳压器和通用
钉扎
针
1
2
3
BASE
描述
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
最大绝对额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
Collectorl功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
10
1
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
首席执行官
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
2SD2439
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10Ω
I
B1
=-I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2439
图2外形尺寸
JMnic
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2439
描述
·采用TO- 3PML包
·补键入2SB1588
应用
·音频，串联稳压器和通用
用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
150
5
10
1
80
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
1
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
民
150
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
2SD2439
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
A
A
55
95
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;R
L
=10B
I
B1
=-I
B2
=7mA
V
CC
=70V
0.5
10.0
1.1
s
s
s
h
FE
分类
O
5000-12000
P
6500-20000
Y
15000-30000
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2439
图2外形尺寸
3
等效电路
C
达林顿
2SD2439
s
电气特性
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
f
T
C
OB
条件
V
CB
=160V
V
EB
=5V
I
C
=30mA
V
CE
= 4V ，我
C
=7A
I
C
= 7A ，我
B
=7mA
I
C
= 7A ，我
B
=7mA
V
CE
= 12V，我
E
=–2A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
2SD2439
100
最大
100
最大
150
民
5000
民
2.5
最大
3.0
最大
55
典型值
95
典型值
V
V
兆赫
pF
16.2
B
( 7 0 )
E
硅NPN三重扩散平面晶体管
（补键入2SB1588 ）
s
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
Tj
T
英镑
2SD2439
160
150
5
10
1
80(Tc=25°C)
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
应用：
音频系列稳压器和通用
(Ta=25°C)
单位
外形尺寸
FM100(TO3PF)
0.8
±0.2
15.6
±0.2
5.5
±0.2
3.45
±0.2
5.5
3.3
±0.2
1.6
A
V
9.5
±0.2
A
23.0
±0.3
a
b
1.75
2.15
1.05
+0.2
-0.1
5.45
±0.1
1.5
4.4
5.45
±0.1
1.5
0.65
+0.2
-0.1
3.3
0.8
h
FE
秩
O（ 5000 12000 ） ， P（ 6500 20000 ） ， Y（ 15000至30000）
s
典型的开关特性（共发射极）
V
CC
(V)
70
R
L
()
10
I
C
(A)
7
V
BB1
(V)
10
V
BB2
(V)
–5
I
B1
（MA ）
7
I
B2
（MA ）
–7
t
on
(
s)
0.5typ
t
英镑
(
s)
10.0typ
t
f
(
s)
1.1typ
3.35
B
C
E
重量：约6.5克
一。型号
B 。批号
I
C
– V
CE
特征
（典型值）
ollect或 - EM伊特尔萨TUR在我的V OL吨AG电子V
CE（ s的）
(V )
10mA
2.
5m
A
V
CE
（SAT） - 我
B
特征
（典型值）
3
I
C
– V
Bé
温度特性
（典型值）
10
( V
权证
=4 V )
10
A
2m
1.5微米的
8
联合L L权证T O服务铜R R简T I
C
( A )
1. 2米一
1mA
8
C 0 L L权证吨 R C ü R R鄂西北我
C
( A)
2
6
到0.8M
6
I
C
= 1 0A
I
C
= 7A
1
I
C
= 5A
p)
统
se
ê特
125
25C
0
0
2
4
6
0
0.2
0.5
1
5
10
50
100 200
0
0
1
–30
2
2
C (C
I
B
=0.4mA
C
（CAS
（CA
日月光
统
4
0.6mA
4
MP ）
p)
2
合作LL ê CT -Em I T吨ER V OL标签ê V
权证
(V )
巴SE铜R R鄂西北我
B
（M A）
巴发E - ê米I T与R V OL吨AG电子V
Bé
( V)
h
F ê
– I
C
特征
（典型值）
(V
权证
= 4 V )
40000
DC铜R R EN吨克我N·H
FE
h
F ê
– I
C
温度特性
（典型值）
( V
权证
= 4V )
70000
50000
1 25 C
瞬态热阻
θ
J- á
（ C / W ）
3
θ
的J - 一
- T特征
典型值
10000
5000
D C ú R R EN吨克有效成分N·H
FE
1
0.5
10000
5000
25 C
–3 0 C
1000
1000
02
0.5
1
醇L E CT或C乌尔仁T I
C
(A )
5
10
500
0 .2
0 .5
1
OL升EC T或C UR 鄂西北我
C
( A)
5
10
0.1
1
5
10
50 100
时间t（ ms）的
5 00 10 0 0 2 0 0 0
f
T
– I
E
特征
（典型值）
(V
权证
=1 2 V)
100
30
安全工作区
（单脉冲）
80
10
m
电脑 - 钽降额
80
铜吨-O FF FRE曲简和Y F
T
（ M·H
Z
)
合作LLE CTO R C ü 重新N t个我
C
( A )
10
5
DC
10
0m
M IM AX UM P 2 O WE R迪S S小我PA T I O 4 N P
C
( W )
s
s
60
60
典型值
1
0 .5
无需散热器
自然冷却
0 .1
40
40
20
20
无需散热器
5
10
50
10 0
20 0
3.5
0
0
50
100
15 0
0
–0.02
– 0. 1
–1
EM I T吨ER ú rren T I
E
(A)
–10
0.05
3
联合L L EC于r - 他们我TT呃武升TA克ê V
权证
( V)
A M B I连接吨率T e米P·E R A TU - [R （E T） A（ C）
152
3.0
2. 5
W
第i个
In
鳍
ITE
he
at
si
nk
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD2439
描述
·带
TO- 3PML包
.Complement
键入2SB1588
应用
·音频
，系列稳压器和通用
用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（ TC = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
ES
昂
CH
导½
半
参数
发射极开路
开基
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
160
150
5
10
1
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
集电极开路
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
80
150
-55~150
1
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50毫安;我
B
=0
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
I
C
= 7 A;我
B
= 7米一
V
CB
= 160V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 7A ; V
CE
=4V
I
C
= 2A ; V
CE
=12V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=1MHz
5000
55
95
民
150
2SD2439
典型值。
最大
单位
V
2.5
3.0
100
100
V
V
μA
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
固电
下降时间
开启时间
贮存时间
h
FE
分类
O
5000-12000
P
IN
ES
昂
CH
Y
15000-30000
导½
半
I
C
=7A;R
L
=10Ω
I
B1
=-I
B2
=7mA
V
CC
=70V
ON
MIC
E
OR
DUT
0.5
10.0
1.1
μs
μs
μs
6500-20000
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN达林顿功率晶体管
包装外形
2SD2439
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
查看更多2SD2439PDF信息
推荐型号
28C04AFT-20I/P
206-411N
2W08
2N3456
2SC3947
253B124B60NA
2911-12-121
2SD1618
296UA252B2C
26-20-2101
25-02-6008
2SC1622AD17
23L6410A-70
2SB648D
2SB799MK
24C04AT-/SL
2SD0592S
20IMX15-15-15-9
2N4220A
22-12-4132
供货商
型号
厂家
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    2SD2439
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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